大学物理下复习题(附答案)

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1、大学物理下复习题大学物理下复习题（附答案）（附答案）第一章填空题第一章填空题自然界中只存在正负两种电荷，同种电荷相互排斥，异种电荷相互吸引。 （ ）对自然界中只存在正负两种电荷，同种电荷相互吸引，异种电荷相互排斥。 （ ）错电荷电量是量子化的。 （ ）对物体所带电量可以连续地取任意值。 （ ）错物体所带电量只能是电子电量的整数倍。 （ ）对库仑定律只适用于真空中的点电荷。 （ ）对电场线稀疏处的电场强度小。 （ ）对电场线稀疏处的电场强度大。 （ ）错静电场是有源场。 （ ） 对静电场是无源场。 （ ）错静电场力是保守力。 （ ）对静电场力是非保守力。 （ ）错静电场是保守力场。 （ ）对静电

2、场是非保守力场。 （ ）错电势是矢量。 （ ）错电势是标量。 （ ）对等势面上的电势一定相等。 （ ）对沿着电场线的方向电势降落。 （ ）对沿着电场线的方向电势升高。 （ ）错电场中某点场强方向就是将点电荷放在该点处所受电场力的方向。 （ ）错电场中某点场强方向就是将正点电荷放在该点处所受电场力的方向。 （ ）对电场中某点场强方向就是将负点电荷放在该点处所受电场力的方向。 （ ）错电荷在电场中某点受到电场力很大，该点场强E 一定很大。 （ ）错电荷在电场中某点受到电场力很大，该点场强E 不一定很大。 （ ）对在以点电荷为中心，r 为半径的球面上，场强E 处处相等。 （ ）错在以点电荷为中心，r

3、 为半径的球面上，场强E 大小处处相等。 （ ）对如果在高斯面上的 E 处处为零，肯定此高斯面内一定没有净电荷。 （）对根据场强与电势梯度的关系可知，在电势不变的空间电场强度为零。 （）对如果高斯面内没有净电荷，肯定高斯面上的E 处处为零。 （）错正电荷由 A 移到 B 时，外力克服电场力做正功，则B 点电势高。对导体达到静电平衡时，导体内部的场强处处为零。 （ ）对第一章填空题第一章填空题-19-19已一个电子所带的电量的绝对值e= C。1.602*10或 1.6*10真空中介电常数值为0 C.N .m 。8.85*102-1-2-12真空中有一无限长带电直棒，电荷线密度为，其附近一点P 与

4、棒的距离为 a，则 P 点电场强度 E 的大小为。E=20a真空中有一无限长带电直棒，电荷线密度为，其附近一点P 与棒的距离为 b，则P 点电场强度 E 的大小为。20b某一介质（介电常数为）中有一无限长带电直棒，电荷线密度为，其附近一点 P与棒的距离为 b，则 P 点电场强度 E 的大小为。2b某一介质（介电常数为）中有一无限长带电直棒，电荷线密度为，其附近一点 P与棒的距离为 a，则 P 点电场强度 E 的大小为。2a均匀带电细圆环环心处的场强E=。E=0在真空中，无限大均匀带电平板（电荷面密度为）附近电场强度大小等于。E 200在真空中，两个无限大均匀带电平板（电荷面密度为）平行平面间的

5、电场强度大小等于。E 在某种介质（介电常数为）中，无限大均匀带电平板（电荷面密度为）附近电场强度大小等于。E 2在静电场中，电场强度沿任意闭合回路的积分恒等于。零在真空中，一均匀带电球面，电量为Q，球半径为R，则球面上的电势等于。U Q40R在某种介质（介电常数为）中，一均匀带电球面，电量为 q，球半径为 R，则球面上的电势等于。U q4R电场强度与电势梯度的关系式为E=。E gradU U第一章计算题第一章计算题习题 9-1， 习题 9-3， 9-5， 9-6， 习题 9-139-16， 习题 9-18-9-21， ； 例题 9-5， 例题 9-9-9-10，下面是书上以外的题1.设在均匀电

6、场中，场强E与半径为 R 的半球面的轴相平行，试计算通过此半球面的电场强度通量？解：在圆平面 S1上：EdS E所以通过此半球面的电通量为：s1dS1ER2e ER2题图2.在真空中，两个等值同号的点电荷相距 0.01m 时的作用力为10N，它们相距 0.1m 时的作用力为多大？两点电荷所带的电荷量为多少？解：（1）设两点电荷相距 r1 时的库伦力的大小为 F1,相距 r2 时的库伦力的大小为 F2，有F1=5q24r20 1，F2 q2140r22R2=0.1m 时的作用力大小为r12F2 F12=107Nr2(2) 由F2q240r22，得q 40r22F233.31010C10 8C，在

7、（3m，0）处为4108C，在（0，3.设点电荷的分布是：在（0，0）处为584m）处为-610C。计算通过以（0，0）为球心，半径等于 5m 的球面上的总 E 通量。解：以(0,0)为球心，半径为R=5m 作高斯闭合球面，则三个点电荷均在球面内，通过球面的总 E 通量为EsEdS 10qii131(510841086108)V m 3.4103V m128.85104.地球的半径为 6.3710 m，地球表面附近的电场强度近似为100V/m,方向指向地球中心，试计算地球带的总电荷量.解： （1）贴近地球表面作与地球同心的高斯球面，半径为 RRE，使地球表面的电荷全部6为高斯面所包围.有高斯定

8、理SE EdS= -S= -E4R2E=Q0代入RE= 6.37106m， E = 100V/m. 得Q = -40ER2E= -4.51105CQ 0 ，表明地球带负电.5.在半径分别为 10cm 和 20cm 的两层假想同心球面中间，均匀分布着电荷体密度为109C /m3的正电荷. 求离球心 5cm 处的电场强度.解：以R1和R2分别表示均匀带电球壳的内、外半径.设离球心r1 0.05m处的电场强度为 E E1，在以r1为半径的高斯球面S1上，E E1的大小应该相同，并处处与S1的法线方向平行. 对S1运用高斯定理，有S1E E1dS =S =10q 0所以，离球心 5cm 处的电场强度

9、E E1= 0 .第二章判断题第二章判断题导体处于静电平衡时，导体表面是一个等势面。 （ ）对导体处于静电平衡时，导体表面的场强处处垂直于导体表面。 （ ）对导体处于静电平衡时，导体的净电荷只能分布在其外表面。 （ ）对静电平衡时，导体内部处处无净电荷，净电荷只能分布在它的外表面上。 （ ）对若导体是孤立的，则导体表面曲率大的地方，电荷面密度也大。 （ ）对若导体是孤立的，则导体表面曲率小的地方，电荷面密度也小。 （ ）对若导体是孤立的，则导体表面曲率小的地方，电荷面密度也小，场强就小。 （ ）对若导体是孤立的，则导体表面曲率小的地方，电荷面密度也小，场强大。 （ ）错电容器在不带电荷的情况下

10、，电容量为零。 （ ）错电容的国际单位是法拉“F” 。 （ ）对电容器是根据静电屏蔽的原理制作的。 （ ）对两个电容器串联总电容变小。 （ ）对两电容器并联，则总电容变大。 （ ）对两电容器并联，则总电容变小。 （ ）错凡绝缘的物质均称为电介质。 （ ）对CO2分子为无极性分子。 （ ）对CH4分子为无极性分子。 （ ）对CH4分子为有极性分子。 （ ）错对于平行板电容器，电容的大小和两板之间的距离成反比。 （ ）对对于平行板电容器，电容的大小和两板之间的距离成正比。 （ ）错对于平行板电容器，电容的大小和两板相对面积成反比。 （ ）错对于平行板电容器，电容的大小和两板相对面积成正比。 （ ）

11、对质点系内力所做的总功不一定为零。 （ ）对一导体球上不带电，其电容为零。 （ ）错电容器充电后切断电源，则极板上的电量Q 不变。 （ ）对平行板电容器两极接上电源，则其电压不变。 （ ）对平行板电容器电容值和板间填充物的介电常数大小成正比。 （ ）对平行板电容器电容值和板间填充物的介电常数大小成反比。 （ ）错一导体球带不带电，其电容值不变。 （ ）对第二章填空题第二章填空题真空中，平行板电容器的相对面积为S，极板间距为 d，则平行板电容器的电容为。C 0Sd在某种介质（介电常数为）中，平行板电容器的相对面积为 S，极板间距为 d，则平S行板电容器的电容为。C d 200pF 和 300pF

12、 的电容串联后的总电容为_。120pF200pF 和 300pF 的电容并联后的总电容为_。500pF200pF 和 400pF 的电容并联后的总电容为_。600pF400pF 和 300pF 的电容并联后的总电容为_。700pF两个 100pF 的电容串连后的总电容为_。50pF两个 200pF 的电容串连后的总电容为_。100pF两个 300pF 的电容串连后的总电容为_。150pF两个 300pF 的电容并连后的总电容为_。600pF三个 300pF 的电容并连后的总电容为_。900pF三个 300pF 的电容串连后的总电容为_。100pF三个 600pF 的电容并连后的总电容为_。18

13、00pF三个 600pF 的电容串连后的总电容为_。200pF第二章计算题第二章计算题习题 10-1习题 10-7，习题 10-13第三章判断题第三章判断题电流是大量电荷有规则的定向运动。 （ ）对电流的国际单位是安培”A”。 （ ）对导体内有可移动的自由电荷变能形成持续的电流。 （ ）错导体内有可移动的自由电荷，还要维持一个电场，才能形成持续的电流。 （ ）对导体中通过任一截面的电流不随时间变化，则称其为恒定电流。 （ ）对电阻率的倒数成为电导率。 （ ）对电阻率的国际单位是欧姆.米。 （ ）对超导体的电阻为零。 （ ）对同性磁极相斥，异性磁极相吸。 （ ）对一切磁现象都起源于电荷的运动。

14、（ ）对毕奥-萨伐尔定律是用来计算真空中电流元产生磁场的磁感应强度的。 （ ）对真空中磁场的高斯定理说明磁场是一个无源场。 （ ）对真空中磁场的高斯定理说明磁场是一个有源场。 （ ）错磁通量的国际单位是韦伯“Wb” 。 （ ）对磁通量是标量。 （ ）对磁通量是矢量。 （ ）错应用安培环路定理可以求出具有某种对称性的电流周围的磁场分布。 （ ）对非静电力是保守力。 （ ）错非静电力和静电力都是保守力。 （ ）错非静电力和静电力不同，非静电力不是保守力。 （ ）对霍尔效应不能发生在绝缘体内。 （ ）对霍尔效应可以发生在绝缘体内。 （ ）错通过实验测定霍尔系数正负可以判断半导体是n 型还是 p 型。

15、 （ ）对通过实验测定霍尔系数大小可以计算载流子的浓度。 （ ）对半导体内载流子浓度小，霍尔系数大。 （ ）对半导体内载流子浓度小，霍尔系数小。 （ ）错通过实验测定霍尔系数是负的，则可以判断半导体是n 型。 （ ）对通过实验测定霍尔系数是负的，则可以判断半导体是P 型。 （ ）错通过实验测定霍尔系数是正的，则可以判断半导体是P 型。 （ ）对通过实验测定霍尔系数是正的，则可以判断半导体是n 型（ ）错第三章填空题第三章填空题两个流向相同的平行载流导线之间相互。 （填“吸引”或“排斥” ）吸引两个流向相反的平行载流导线之间相互。 （填“吸引”或“排斥” ）排斥特斯拉（T）和高斯（G）的换算关系

16、为 1T = G 。10-4特斯拉（T）和高斯（G）的换算关系为 1G = T 。10真空中一无限长直螺线管（通的电流为 I，单位长度的匝数为 n）内部的磁感应强度B=。0nI4真空中一长直螺线管（通的电流为 I，长度为 L,总匝数为 N）内部的磁感应强度 B=。0某介质中（介电磁导率为）一无限长直螺线管（通的电流为 I，单位长度的匝数为n）内部的磁感应强度 B=。 nILIN某介质中（介电相对磁导率为r）一无限长直螺线管（通的电流为I，单位长度的匝数为 n）内部的磁感应强度 B=0rnI磁场中的高斯定理Bd S 。0s磁场中的高斯定理对应的数学表达式为。Bd S 0s磁场中的高斯定理（填 “

17、有源” 或 “无Bd S 0， 说明磁场是一个场。s源” ）无源磁场中的高斯定理说明磁场是一个场。 （填“有源”或“无源” ）无源一个半径为 R 的假象球面有一运动电荷，则穿过球面的磁通量是。Bd S 0 或 0s一个半径为 R 的假象球面有一负的运动电荷，则穿过球面的磁通量是。Bd S 0 或 0s第三章计算题第三章计算题习题 11-4.11-10，11-15，11-17，11-19，11-25，11-30，11-31如图所示，长方形线圈 OPQR 可绕 y 轴转动，边长 l1=6cm，l2=8cm，线圈中的电流为 10A，方向沿 OPQRO,线圈所在处的磁场是均匀的， 磁场感应强度为 0.

18、02T，方向平行于 Ox 轴。 （1）如果使线圈的平面与磁感应强度成=30角，求此时线圈所受的磁力矩；（2）当线圈有这个位置转至平衡位置时，求磁场力的功。题图解： （1）磁力矩 M=8.3*10 N.m； （2）磁场力所作的功 A=4.8*10 J-4-4第四章判断题第四章判断题1抗磁质的相对磁导率r1。 （ ）错2顺磁质的相对磁导率r1。 （ ）对3抗磁质的相对磁导率r1。 （ ）对4顺磁质的相对磁导率r1。 （ ）错5铁磁质的相对磁导率r1。 （ ）错6铁磁质的相对磁导率r1。 （ ）对7纯铁属于铁磁质。 （ ）对8铝属于顺磁质。 （ ）对9铝属于铁磁质。 （ ）错10铜属于抗磁质。 （

19、）对11铜属于铁磁质。 （ ）错12铜属于顺磁质。 （ ）错13铁磁质磁化后能产生于外磁场方向相同的很强的附加磁场。 （ ）对14铁磁质磁化后能产生于外磁场方向相反的很强的附加磁场。 （ ）错15铁、钴、镍属于铁磁质。 （ ）对16处于超导状态的物质相对磁导率r 0。 （ ）对17超导体具有完全抗磁性。 （ ）对18处于超导状态的物质相对磁导率r不一定等于零。 （ ）错19磁场强度 H 的国际单位是 A/m。 （ ）对20在国际单位制中，磁场强度H 的单位是 A/m。 （ ）对21在国际单位制中，磁场强度H 的单位是特斯拉。 （ ）错22在国际单位制中，磁感应强度B 的单位是特斯拉。 （ ）对

20、23磁场强度 H 和磁感应强度一定满足B H的正比关系。 （ ）错24B H的关系式只适合于各项同性的均匀磁介质。 （ ）对252627282930磁滞损耗的大小与磁滞回线所围面积成正比。 （ ）对磁滞损耗的大小与磁滞回线所围面积成反比。 （ ）错矫顽力 Hc 很小，磁滞回线比较瘦小的材料属于软磁材料。 （ ）对矫顽力 Hc 很小，磁滞回线比较瘦小的材料属于硬磁材料。 （ ）错矫顽力 Hc 较大，磁滞回线比较胖，剩磁很大的材料属于硬磁材料。 （ ）对矫顽力 Hc 较大，磁滞回线比较胖，剩磁很大的材料属于软磁材料。 （ ）错第四章填空题第四章填空题1一束质子在磁场中运动，粒子的动能。 （填“不变

21、”或“变” ）不变2一束质子在电场中运动，粒子的动能。 （填“不变”或“变” ）变3从一种介质过度到另一种介质的时候， 磁感应强度的法向分量B1n B2n。 （填“=”或“” ）=4通过两种介质的分界面， 磁场强度的切向分量 H1t H2t。（填 “=” 或 “” ）=5磁场强度 H 和磁感应强度 B 之间的一般关系式为。H B0 M6根据相对磁导率的大小可以把磁介质分为顺磁质、 抗磁质和。 铁磁质7根据相对磁导率的大小可以把磁介质分为顺磁质、 铁磁质和。 抗磁质8根据相对磁导率的大小可以把磁介质分为铁磁质、 抗磁质和。 顺磁质9相对磁导率r和磁化率m之间的关系式为。r1m10 真空中的相对磁导率r=。111 真空中的磁化率m=。零12 同轴电缆外部的磁感应强度B=。013 同轴电缆外部的磁场强度H=。014 当铁磁质的温度 T TC(居里点)时， 它将失去铁磁性， 成为一般的顺磁质。（填“”或“=” ）