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1、电压基准和电流基准的作用(zuyng)；电压基准结构选择；与温度无关的电压基准bandgap；实际bandgap电路设计；实际bandgap电路仿真；电流基准的设计：PTAT电流/与温度无关电流；补充内容：闭环电路的稳定性判据；课后练习要求。Outlinebandgap参考电压参考电压(diny)源电路设计与仿真源电路设计与仿真第1页/共47页第一页，共48页。电压基准( jzhn)和电流基准( jzhn)的作用模拟电路的设计中须广泛的应用到电压基准和电流基准，它们是直流量，为核心电路提供偏置，建立直流工作点；一般来说，从芯片外部引入的供电电压都存在(cnzi)着一定的波动，而模拟电路对偏置电
2、压的稳定性要求较高，因此一般会使用一个参考电压源，它将电源电压转化为一个具有良好电压稳定性和温度稳定性的电压，以提供良好的偏置。同时大部分电路也需要一个参考电流源以提供偏置，常见的有不随温度变化的电流和与温度成正比的电流；第2页/共47页第二页，共48页。电压基准( jzhn)和电流基准( jzhn)的作用常用常用(chn yn)的基准有：的基准有： 与温度无关的基准电压；与温度无关的基准电压； 与温度成正比的电流（与温度成正比的电流（PTAT电流）；电流）； 与温度无关的电流与温度无关的电流.第3页/共47页第三页，共48页。电压基准电压基准(jzhn)结构选择结构选择灵敏度S：灵敏度用于衡
3、量参考电压源的稳压特性，灵敏度越低参考电压源的稳压特性越好。动态电阻：对于一个二端元件，当其端电压变化(binhu)时，端电压微小增量与端电流微小增量的比值。动态电阻等于IV曲线上参考点处曲线斜率的倒数。介绍(jisho)两个概念r=第4页/共47页第四页，共48页。电压基准结构电压基准结构(jigu)选择选择对一个一般的分压网络进行分析(fnx)，R1、R2为阻性元件。假定电源电压变化了,因为R1和R2串联，会以一定比例分配在这两个电阻上，并且两者的电流改变量一致。第5页/共47页第五页，共48页。电压基准结构电压基准结构(jigu)选择选择这说明在R1、R2上的分配与R1、R2的动态电阻成
4、正比。如果我们能让R1的动态电阻很小，R2的动态电阻很大，则大部分落在R2上，一小部分落在R1上，对电源电压的灵敏度会大大降低，稳压性能(xngnng)就会得到很大提高。第6页/共47页第六页，共48页。电压电压(diny)基准结构选择基准结构选择如果选择R1、R2均为线性电阻，则它们的动态电阻与静态电阻相等。电源电压变化量将仍以原来的静态电阻的分压比分配给R1、R2，最后R1、R2的分压比与电源电压变化前相比(xinb)没有改变。所以与电源电压将等比例变化，S=1，稳压效果不理想。第7页/共47页第七页，共48页。电压基准电压基准(jzhn)结构选择结构选择在CMOS电路设计中，最自然的考虑
5、是用非线性电阻元件MOS二极管来替代(tdi)电阻R1。MOS二极管具有较小的动态电阻。在W/L=2,R2=100K情况下，S的典型值为0.283。第8页/共47页第八页，共48页。电压电压(diny)基准结构选择基准结构选择在CMOS工艺当中，我们还可以利用寄生的纵向(znxin)pnp三极管来形成二极管，它比MOS二极管具有更小的动态电阻。典型值S=0.0362。此种结构的稳压性能比较好，现阶段我们都采用此种结构。第9页/共47页第九页，共48页。bandgap电路设计这种结构的稳压(wn y)性能虽好，但是它的温度特性仍然没有得到改善。 具有负的温度系数，在室温时大约是-2.2mV/。我
6、们可以通过补偿的方法来改善参考电压源的温度特性。我们期望构造出具有正温度系数的KT项，其中K为正常数，T为热力学温标,使当温度变化时， 与KT具有相反的变化趋势，则可以使 的温度特性得到补偿。第10页/共47页第十页，共48页。bandgap电路设计此结构是在一个负反馈运算放大器的两个输入端各接一个稳压电路。两路稳压电路并联。它们并联的总电压作为我们所要的参考电压，连接到运放的输出(shch)端输出(shch)。电源电压包含在运放里。下面分析一下它的工作原理。第11页/共47页第十一页，共48页。bandgap电路设计（VR3即是我们(w men)要构造的KT项）k为波尔兹曼常数，q为电子(d
7、inz)电荷，T为绝对温度,A为发射极面积。第12页/共47页第十二页，共48页。bandgap电路设计将VR1带入 VR3，得其中(qzhng)所以(suy)因为(yn wi)所以第13页/共47页第十三页，共48页。bandgap电路设计1.K必须(bx)独立于温度(用电阻之比)2.K必须(bx)独立于电源电压第14页/共47页第十四页，共48页。KT项其实是两只稳压管的be结电压之差，这个电压我们是通过负反馈运放虚短用R1电阻取得的。我们又通过负反馈的作用使得I1/I2固定于R2/R3，从而使得K值独立(dl)于温度和电源电压。最后，通过R1与R3的电压线性比例关系得到在R3上的温度补偿
8、电压。bandgap电路设计第15页/共47页第十五页，共48页。bandgap电路设计第16页/共47页第十六页，共48页。bandgap电路设计第17页/共47页第十七页，共48页。bandgap电路设计第18页/共47页第十八页，共48页。bandgap电路设计第19页/共47页第十九页，共48页。bandgap电路仿真分析目的：直流温度(wnd)扫描分析是为了分析参考电压源的温度(wnd)特性，即在扫描温度(wnd)范围内输出的参考电压值随温度(wnd)的变化情况。测试激励：固定供电电压源1.8V，扫描温度(wnd)参数。扫描范围（-40，120）。直流温度(wnd)扫描第20页/共4
9、7页第二十页，共48页。bandgap电路仿真第21页/共47页第二十一页，共48页。bandgap电路仿真分析目的：分析在工艺参数变化的情况(qngkung)下，输出参考电压的变化情况(qngkung)。测试激励：corner分析，ff,ss,温度扫描范围（-40，120）。工艺(gngy)角扫描第22页/共47页第二十二页，共48页。bandgap电路仿真分析(fnx)目的：直流电压扫描分析(fnx)是考察在供电电源电压值线性变化的情况下，输出参考电压值的变化情况。测试激励：施加直流电压线性扫描，供电电压扫描范围（1.6V，2V）。直流电压扫描(somio)第23页/共47页第二十三页，共
10、48页。bandgap电路仿真PTAT电流(dinli)的产生第24页/共47页第二十四页，共48页。目的：产生(chnshng)与温度和电源都无关的电压基准；产生(chnshng)与温度无关的电流基准；bandgap电路设计进阶( jnji)第25页/共47页第二十五页，共48页。bandgap电路设计进阶( jnji)第26页/共47页第二十六页，共48页。bandgap电路设计进阶( jnji)第27页/共47页第二十七页，共48页。bandgap电路设计进阶( jnji)第28页/共47页第二十八页，共48页。bandgap电路设计进阶( jnji)第29页/共47页第二十九页，共48
11、页。bandgap电路设计进阶( jnji)第30页/共47页第三十页，共48页。bandgap电路设计进阶( jnji)其它(qt)结构的电压基准电路设计产生与温度和电源无关的电压基准；产生与温度无关的电流基准；第31页/共47页第三十一页，共48页。bandgap电路设计进阶( jnji)第32页/共47页第三十二页，共48页。bandgap电路设计进阶( jnji)第33页/共47页第三十三页，共48页。bandgap电路设计进阶( jnji)第34页/共47页第三十四页，共48页。bandgap电路设计进阶( jnji)第35页/共47页第三十五页，共48页。bandgap电路设计进阶
12、( jnji)第36页/共47页第三十六页，共48页。bandgap电路设计进阶( jnji)第37页/共47页第三十七页，共48页。bandgap电路设计进阶( jnji)第38页/共47页第三十八页，共48页。补充补充(bchng)闭环电路(dinl)的稳定性判据第39页/共47页第三十九页，共48页。补充补充(bchng)Stability Analysis with Bode Plots第40页/共47页第四十页，共48页。ENDQ&A第41页/共47页第四十一页，共48页。课后练习要求课后练习要求(yoqi)：Bandgap2_2v调试，电路(dinl)如下：第42页/共47页第四十
13、二页，共48页。课后练习要求课后练习要求(yoqi)指标要求：VREF直流范围：0.7V0.9V;IREF直流范围：10uA50uAVREF温度系数：60degreegainmargin10dB第43页/共47页第四十三页，共48页。课后练习要求课后练习要求(yoqi)：Bandgap3_3v调试，电路(dinl)如下：第44页/共47页第四十四页，共48页。课后练习要求课后练习要求(yoqi)指标(zhbio)要求：VREF直流范围：1.1V1.3V;IREF直流范围：50uA100uAVREF温度系数：60degreegainmargin10dB第45页/共47页第四十五页，共48页。预习
14、预习(yx)要求要求比较器电路基础(jch)；VCO与PLL电路基础(jch)；射频电路基础(jch)：史密斯圆图，阻抗匹配，最大功率传输原理，高频电路中电容与电感如何等效；参考书目：P.E.Allen,“CMOSAnalogCircuitDesign”,SecondEdition, 电子工业出版社ThomasH.Lee,“TheDesignofCMOSRaidoFrequencyIntegratedCircuits”(英文版或中文版)BehzadRazavi，“RFMicroelectronics”(英文版或中文版)第46页/共47页第四十六页，共48页。谢谢您的观看(gunkn)！第47页/共47页第四十七页，共48页。内容(nirng)总结电压基准和电流基准的作用。电压基准和电流基准的作用。与温度无关的电压基准bandgap。如果选择R1、R2均为线性电阻，则它们的动态电阻与静态电阻相等。在CMOS电路设计中，最自然的考虑是用非线性电阻元件MOS二极管来替代电阻R1。在W/L=2,R2=100K情况下，S的典型值为0.283。此种结构的稳压(wn y)性能比较好，现阶段我们都采用此种结构。此结构是在一个负反馈运算放大器的两个输入端各接一个稳压(wn y)电路第四十八页，共48页。
