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1、ESD的产生原理及防护主要内容ESD的产生原理几种常见的ESD模型ESD的防护ESD防护器件的摆放ESD的产生原理及防护ESD的产生原理ESD:Electrostatic Discharge,即是静电放电通过摩擦使得A物体的电荷移动,从而A带有静电;A周边的电磁场发生改变,导致A带有静电;当A接触B时,A的静电流入B。ESD的放电过程很短,一般是ns级别,但是放电瞬间会产生很高的电流ESD的产生原理及防护几种常见的ESD模型人体放电模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM)机器放电模型机器放电模型(Machine Model, MM)元件充电模型元件充电模型(Charged
2、-Device Model, CDM)电场感应模型电场感应模型(Field-Induced Model, FIM)ESD的产生原理及防护几种常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM)人体放电模型(HBM)的ESD是指人体在地上走动摩擦或其他因素在人体上累积了静电,当此人去触碰IC时,人体上的静电便经由IC的pin脚进入IC内部,再经由IC内部放电到地。放电过程会在几百ns的时间内产生数安培的瞬间放电电流,此电流可能会把IC内的元件给烧毁。ESD的产生原理及防护几种常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM)ESD的产生原理及防护几种
3、常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM)工业标准 MIL-STD-883C method 3015.7 中HBM的等效线路图,其中人体的等效电容定义为100pF,人体的等效放电电阻定义为1.5kohmESD的产生原理及防护几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM)机器放电模型的ESD是指机器本身也积累了静电,当此机器去触碰IC时,静电便经由IC的pin脚放电。机器放电的放电过程时间更短,在几十ns的时间内会有数安培的瞬间放电电流产生。工业标准 EIAJ-IC-121 method 20 中MM的等效电路图,其中机器的等效电容定义为2
4、00pF,机器的等效放电电阻为0ohmESD的产生原理及防护几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM)人体放电模型2kV和机器放电模型200V的放电电流比较图ESD的产生原理及防护几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM)ESD的产生原理及防护几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM)元件充电模型是指IC本身先因摩擦或其它因素而在IC内部累积了静电,但在静电累积的过程中IC并未损伤。在处理此IC的过程中,IC的pin脚触碰到了地,IC内部的静电便经由IC内部的pin脚流出来,而造成了放电现象。此
5、种模式的放电时间更短,仅约为几ns,而且放电现象更难以被真实的模拟。因为IC内部积累的静电会因IC内部的等效电容的不同而改变。ESD的产生原理及防护几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM)两种常见的CDM的放电情况ESD的产生原理及防护几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM)CDM测试标准ESD的产生原理及防护几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM)HBM 2kV,MM 200V,CDM 1kV三种模型的放电电流比较图CDM更容易造成IC的损伤ESD的产生原
6、理及防护几种常见的ESD模型电场感应模型(Field-Induced Model, FIM)FIM的静电放电是因电场感应而引起的。当IC因传输带或其它因素,经过一个电场时,其相对极性的电荷可能会从IC的pin脚排放掉,这样当IC通过电场以后,IC便累积了静电。此静电再以类似CDM放电模型的情况放电出来。ESD的产生原理及防护ESD的防护器件选型时必须认证ESD等级IO接口线路上摆放ESD防护器件做好EMI防护ESD的产生原理及防护ESD的防护常用的ESD防护器件:二极管阵列ESD的产生原理及防护ESD的防护ESD防护器件的一般连接方式ESD的产生原理及防护ESD的防护ESD防护器件可以有效的抑
7、制由ESD放电产生的直接电荷注入PCB设计中更重要的是克服放电电流产生的电磁干扰效应-EMI措施:通用的PCB板布线准则;ESD防护器件的摆放位置ESD的产生原理及防护ESD防护器件的摆放ESD电流路径上寄生自感的影响被保护IC所承受的电压 Vx其中VF1为D1的正向导通电压ESD的产生原理及防护ESD防护器件的摆放在PCB 布线时,遵循几个简单的规则就可以使这些寄生自感最小:1、尽可能地,用Vcc 和地平面充当电源和地分散能量。2、要确保印刷电路上的走线从ESD 保护二极管阵列的Vp 和Vn 到Vcc 和地平面间走线尽量地短、宽。理想情况是,将Vp 和Vn 直接通过多个口连到Vcc 和地平面
8、。3、在Vp 和地平面间连入一个高频旁路电容-用最短的走线使自感最小ESD的产生原理及防护ESD与EOS的区别EOS: Electrical Over Stress 指所有的过度电性应力,超过其最大指定极限后,器件功能会减弱或损坏ESD: Electrical static Discharge 静电放电, 电荷从一个物体转移到另一个物体。区别:EOS通常产生于 电源 测试装置 其过程持续时间可能是几微妙到几秒,很短的EOS脉冲导致的损坏与ESD损坏相似。 ESD属于EOS的特例,能量有限,由于静态电荷引起。其持续过程为几PS到NS。其可见性不强。通常导致晶体管级别的损坏。ESD的产生原理及防护
9、导致EOS的原因:*由于测试程序切换(热切换)导致的瞬变电流/峰值/低频干扰*电源(AC/DC) 干扰和过电压。*测试设计欠佳,例如,在器件尚未加电或已超过其操作上限的情况下给器件发送测试信号。*从其他装置发送的脉冲。*工作流程不甚合理*接地反弹(由于接地点不够,快速电流切换导致电压升高)4、EOS的避免*电源 确保交流电源配备了瞬态电流抑制器(滤波器) 电源过压保护 交流电源稳压器(可选)。 电源时序控制器,可调整时序 不共用滤波器和稳压器*工作流程 将正确流程存档。 确保针对以下内容进行培训并给出警示标志:%电源开/关顺序%不可“热插拔”%正确的插入方向 定期检查以确保遵守相关规定ESD的
10、产生原理及防护随着半导体行业的发展,微电路制造工艺不断提高(国外普遍采用0.8-1.0um,国内也达到2-3um的水平),以硅半导体为基础的微细工艺技术更加突显ESD对电子工业的危害,主要表现在:大规模集成电路IC的pin脚和I/O接口越来越多,pin间距越来越小,受到ESD时,其放电回路的阻抗非常小,无法限制放电电流的突变,使得IC的相关pin脚瞬间达到几十安培的大电流,过流和过热会导致IC严重损坏。另外ESD会使IC工作不正常,高电压在CMOS器件内会形成大电流通道,引起IC逻辑电路锁死。ESD的产生原理及防护、问:1M 电阻在半导体装配过程中的作用是什么?答:假设1:我们正谈论ESD 控
11、制问题;假设2:人体与半导体及带有半导体的器件接触,在防静电腕、防静电鞋、拉链、地线等地方均可发现1M 串联电阻,其作用是限制可通过人体的电流量,保护人体安全。1M 电阻的主要限定要求是:在250V 交流有效值时,电流被限制到250 微安,正好是大多数人的感知水平(神经系统发生反射的临界值)。电流在体表及体内物理感知的不同取决于人体大小、重量、水份、皮肤条件等。ESD的产生原理及防护谢谢!ESD的产生原理及防护谢谢!ESD的产生原理及防护谢谢!ESD的产生原理及防护谢谢!ESD的产生原理及防护谢谢!ESD的产生原理及防护谢谢!ESD的产生原理及防护谢谢!ESD的产生原理及防护谢谢!ESD的产生原理及防护谢谢!ESD的产生原理及防护谢谢!ESD的产生原理及防护