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1、微观粒子的运动微观粒子的运动South China Normal UniversityI=V/ R （4-1） R=L/S； （4-2）: 电阻率 , m ；cm L：导体的长度；S：截面积 =1/ （4-3） ：电导率，-1cm-1 在一定的V，L，S下，不同的导体的导电性能是由电阻率或电导率决定的。1、欧姆定律、欧姆定律South China Normal UniversitySouth China Normal UniversitySouth China Normal UniversitySouth China Normal UniversitySouth China Normal Un
2、iversitySouth China Normal UniversitySouth China Normal Universityl半导体的电导率对于n型半导体；= nqn = nq2n/mn* （4-45）对于p型半导体：= pqp = pq2p/mp*对本征半导体： = nqn+pqp = nq2n/mn* + pq 2p/mp* l载流子散射 1）电离杂质散射：载流子与电离杂质由于库仑作用引起的散射。3、半导体的电导率和迁移率、半导体的电导率和迁移率South China Normal University杂质浓度有关：杂质浓度越大，散射越强，迁移率 越低。 与温度有关：温度越大，载流
3、子运动快，散射小，温度低，载流子运动慢，散射大。 P Ni/ T3/2 （4-19） i T3/2/Ni 2）晶格振动散射：由于晶格原子振动引起的载流子散射 温度越高，晶格振动越剧烈，散射越强。声学波散射：P T3/2 （4-29） s T-3/2 温度高，振动剧烈，散射强，平均自由运动时间短。 光学波散射： 公式（4-30） v1:纵光学波振动频率；hvl:纵光学声子的能量3、半导体的电导率和迁移率、半导体的电导率和迁移率South China Normal University3）其它因素引起的散射： 中性杂质散射；位错散射；等能谷间散射、载流子之间的散射。l迁移率与杂质和温度的关系电离杂
4、质散射： P Ni/ T3/2 ；i T3/2/Ni （4-51）声学波散射： P T3/2； s T-3/2 （4-52）光学波散射： P 1/exp(hvl/K0T)-1；o exp(hvl/K0T)-1 （4-53）根据= q/m*，得：电离杂质散射： i T3/2/Ni （4-54）声学波散射： s T-3/2 （4-55）光学波散射： o exp(hvl/K0T)-1 （4-56）3、半导体的电导率和迁移率、半导体的电导率和迁移率South China Normal University任何时候，都有几种散射机理存在，因此有： 载流子平均自由运动时间： 1/=1/i+1/s+1/o+ （4-58） 迁移率： 1/=1/i+1/s+1/o+. （4-59）3、半导体的电导率和迁移率、半导体的电导率和迁移率结束语结束语谢谢大家聆听！谢谢大家聆听！13
