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1、光纤通信技术第四章激光器及光发射机1光源光源调制器调制器调制器调制器驱动电路驱动电路驱动电路驱动电路放大器放大器光电二光电二极管极管判决器判决器光纤光纤光纤光纤光纤光纤光纤光纤中继器中继器中继器中继器光发射机光发射机光发射机光发射机将电信号转变为光信号将电信号转变为光信号将电信号转变为光信号将电信号转变为光信号2第四章 激光器及光发射机4.1半导体激光器4.1.1法布里-珀罗型激光器F-P LD4.1.2分布反馈激光器DFB LD4.1.3分布Bragg反射型激光器DBR LD4.1.4量子阱激光器QW LD4.1.5垂直腔面发射激光器VCSEL4.2半导体激光器的工作特性4.3光发射机34.
2、1 半导体激光器LD激光器被视为20世纪的三大发明（还有半导体和原子能）之一，特别是半导体激光器LD倍受重视。光纤通信中最常用的光源是半导体激光器LD和发光二极管LED。主要差别：发光二极管输出非相干光；半导体激光器输出相干光。4发光二极管LED对于光纤通信系统，如果使用多模光纤且信息比特率在100200Mb/s以下，同时只要求几十微瓦的输入光功率，那么LED是可选用的最佳光源。比起半导体激光器，因为LED不需要热稳定和光稳定电路，所以LED的驱动电路相对简单，另外其制作成本低、产量高。5发光二极管LEDLED的主要工作原理对应光的自发发射过程，因而是一种非相干光源。LED发射光的谱线较宽、方
3、向性较差，本身的响应速度又较慢，所以只适用于速率较低的通信系统。在高速、大容量的光纤通信系统中主要采用半导体激光器作光源。6半导体激光器LD半导体激光器的优点：尺寸小，耦合效率高，响应速度快，波长和尺寸与光纤尺寸适配，可直接调制，相干性好。按结构分类：F-P LD、 DFB LD、 DBR LD、 QW LD、 VCSEL按波导机制分类：增益导引LD和折射率导引LD按性能分类：低阈值LD、超高速LD、动态单模LD、大功率LD74.1.1 法布里-珀罗型激光器F-P LDF-P LD是最常见最普通的LD.由外延生长的有源层和有源层两边的限制层构成，谐振腔由晶体的两个解理面构成。通常为双异质结（D
4、H）LD。激光器实质上是一个受激发射的光振荡放大器。8F-P LD基本工作原理实现F-P LD激射工作的四个基本条件：要有能实现电子和光场相互作用的工作物质要有注入能量的泵浦源（光泵或者电泵浦）要有一个F-P谐振腔要满足振荡条件91. 光的自发发射、受激吸收和受激发射工作物质和泵浦源是实现光的自发发射、受激吸收和受激发射的最基本条件。自发发射：大量处于高能级的粒子，各自分别发射一列一列频率为=(E2 -E1) /h的光波，但各列光波之间没有固定的相位关系，可以有不同的偏振方向，沿所有可能的方向传播。各光子彼此无关。受激发射：处于高能级E2的粒子受到光子能量为的光照射时，粒子会由于这种入射光的刺
5、激而发射出与入射光一模一样的光子，并跃迁到低能级E1上。有相同的偏振方向和传播方向。10双能级原子系统的三种跃迁双能级原子系统的三种跃迁h h E E2 2E E1 1自发发射跃迁自发发射跃迁自发发射跃迁自发发射跃迁E E2 2E E1 1受激吸收跃迁受激吸收跃迁受激吸收跃迁受激吸收跃迁h h h h E E2 2E E1 1受激发射跃迁受激发射跃迁受激发射跃迁受激发射跃迁h h h h 受激发射的光子受激发射的光子受激发射的光子受激发射的光子与原光子具有相与原光子具有相与原光子具有相与原光子具有相同的波长、相位同的波长、相位同的波长、相位同的波长、相位和传播方向和传播方向和传播方向和传播方向
6、11自发发射和受激发射的特点自发发射的同时总伴有受激发射发生。在热平衡情况下，自发发射占绝对优势。当外界给系统提供能量时，如采用光照（即光泵）或电流注入（即电泵），打破热平衡状态，大量粒子处于高能级，即粒子数反转后，在发光束方向上的受激发射比自发发射的强度大几个数量级。总结激光发射的首要条件：工作物质（即能实现粒子跃迁的晶体材料，如GaAs和InGaAsP）外界供给能量满足粒子数反转（常采用电流注入法）122. F-P谐振腔只有增益介质而无光学反馈装置，便不能形成激光将已实现粒子数反转分布的系统置于严格平行的一对反射镜之间便形成F-P谐振腔。光在两个反射镜之间往返多次过程中，得到放大。133.
7、 振荡条件当增益超过由部分反射和散射等多种因素引起的总损耗，经过谐振腔的选频作用，特定频率的光波在谐振腔内积累能量并通过反射镜射出，形成激光（相干光）。振幅条件相位条件：n-n-有源层折射率；有源层折射率；有源层折射率；有源层折射率；L-L-腔长腔长腔长腔长m-m-任意整数；任意整数；任意整数；任意整数； - -波长波长波长波长满足相位条件的频率有无限多个，满足相位条件的频率有无限多个，满足相位条件的频率有无限多个，满足相位条件的频率有无限多个，只有那些在谱线中心附近的频率只有那些在谱线中心附近的频率只有那些在谱线中心附近的频率只有那些在谱线中心附近的频率才能满足振荡条件，所以激光器才能满足振
8、荡条件，所以激光器才能满足振荡条件，所以激光器才能满足振荡条件，所以激光器的振荡频率只能取有限个分立值。的振荡频率只能取有限个分立值。的振荡频率只能取有限个分立值。的振荡频率只能取有限个分立值。14Modes produced in a Typical Fabry-Perot LaserModes produced in a Typical Fabry-Perot LaserSpectral width and Linewidth at FWHM (Full Width Half Maximum)Spectral width and Linewidth at FWHM (Full Width
9、Half Maximum)15Output spectrum changes as power is appliedOutput spectrum changes as power is appliedTypical mode hopping behaviorTypical mode hopping behaviorF-P LDF-P LD在高速调制下，或在温度和注入电流变化时，不再维在高速调制下，或在温度和注入电流变化时，不再维在高速调制下，或在温度和注入电流变化时，不再维在高速调制下，或在温度和注入电流变化时，不再维持原激射模式，而会出现模式跳跃和谱线展宽，这对高速应用持原激射模式，而会出
10、现模式跳跃和谱线展宽，这对高速应用持原激射模式，而会出现模式跳跃和谱线展宽，这对高速应用持原激射模式，而会出现模式跳跃和谱线展宽，这对高速应用很不利。为了维持单模，减小光谱展宽，需研究动态单模激光很不利。为了维持单模，减小光谱展宽，需研究动态单模激光很不利。为了维持单模，减小光谱展宽，需研究动态单模激光很不利。为了维持单模，减小光谱展宽，需研究动态单模激光器器器器DFB LDDFB LD及及及及DBR LDDBR LD（光纤通信最有前途的实用化器件）光纤通信最有前途的实用化器件）光纤通信最有前途的实用化器件）光纤通信最有前途的实用化器件）16FP LD的结构很难将光很难将光很难将光很难将光导引
11、到光导引到光导引到光导引到光纤纤纤纤增益导引半导体激光增益导引半导体激光增益导引半导体激光增益导引半导体激光器：沿激光长度方向器：沿激光长度方向器：沿激光长度方向器：沿激光长度方向放置一个窄的条形电放置一个窄的条形电放置一个窄的条形电放置一个窄的条形电极，将注入电流限制极，将注入电流限制极，将注入电流限制极，将注入电流限制在一个窄条里。在一个窄条里。在一个窄条里。在一个窄条里。缺点：光功率增缺点：光功率增缺点：光功率增缺点：光功率增大时，光斑尺寸大时，光斑尺寸大时，光斑尺寸大时，光斑尺寸不稳定，模式稳不稳定，模式稳不稳定，模式稳不稳定，模式稳定性亦不高。定性亦不高。定性亦不高。定性亦不高。折射
12、率导引半导体激折射率导引半导体激折射率导引半导体激折射率导引半导体激光器，引入折射率差。光器，引入折射率差。光器，引入折射率差。光器，引入折射率差。结构简单，制造工艺结构简单，制造工艺结构简单，制造工艺结构简单，制造工艺不太复杂，辐射光空不太复杂，辐射光空不太复杂，辐射光空不太复杂，辐射光空间分布稳定性高，被间分布稳定性高，被间分布稳定性高，被间分布稳定性高，被大多数光波系统使用。大多数光波系统使用。大多数光波系统使用。大多数光波系统使用。174.1.2 分布反馈激光器DFB LDDFB LD同F-P LD的主要区别：DFB LD没有集总的谐振腔反射镜，它的反射机构是由有源区波导上的Bragg
13、光栅提供的。分布式反馈非常好的单色性和方向性18DFB LD基本工作原理在有源区介质表面上使用全息光刻法做成周期性的波纹形状。用泵浦（光泵浦或电泵浦）激发，造成足够的粒子数反转，具备增益条件只有波长满足“Bragg反射条件”的光波才能在介质中来回反射，得到不断的加强和增长。DFB LD已成为中长距离光纤通信已成为中长距离光纤通信应用的主要激光器应用的主要激光器194.1.3分布Bragg反射型激光器DBR LDDBR LD的周期性沟槽不在有源波导表面上，而是在有源层波导两外侧的无源波导层上，这两个无源的光栅波导充当Bragg反射镜的作用。由于有源波导的增益特性和无源周期波导的Bragg发射，只
14、有在Bragg频率附近的光波才能满足振荡条件，从而发射出激光。GaAs/AlGaAs DBRGaAs/AlGaAs DBR激光二极管激光二极管激光二极管激光二极管204.1.4 量子阱激光器QW LD特点：特点：特点：特点： 低阈值电流低阈值电流低阈值电流低阈值电流 高输出功率高输出功率高输出功率高输出功率 窄线宽窄线宽窄线宽窄线宽 频率啁啾改善频率啁啾改善频率啁啾改善频率啁啾改善 调制速率高调制速率高调制速率高调制速率高 有源区厚度薄有源区厚度薄有源区厚度薄有源区厚度薄110110nmnm（FPFP腔腔腔腔100200100200nmnm） 周期结构，将窄带隙的很薄的有源区夹在宽带隙周期结构
15、，将窄带隙的很薄的有源区夹在宽带隙周期结构，将窄带隙的很薄的有源区夹在宽带隙周期结构，将窄带隙的很薄的有源区夹在宽带隙的半导体材料之间，形成势能阱的半导体材料之间，形成势能阱的半导体材料之间，形成势能阱的半导体材料之间，形成势能阱 多个势能阱多个势能阱多个势能阱多个势能阱- -多量子阱（多量子阱（多量子阱（多量子阱（MQWMQW），），），），单个势能阱单个势能阱单个势能阱单个势能阱- -单量子阱（单量子阱（单量子阱（单量子阱（SQWSQW）214.1.5 垂直腔面发射激光器VCSELVertical Cavity Surface Emitting Laser垂直于衬底方向出光的面发射激光器优
16、点：发光效率高(850nm的VCSEL，10mA驱动1.5mW输出光功率)工作阈值极低（工作电流515mA，简化了驱动电路的设计）可单纵模也可多纵模工作（应用于以多模光纤为传输媒介底局域网中或VSR）调制速率高寿命长（Honeywell进行了可靠性实验）价格低、产量高22可任意配置高密度二维激光阵列。二维激光器阵列二维激光器阵列二维激光器阵列二维激光器阵列23第四章 激光器及光发射机4.1半导体激光器4.1.1法布里-珀罗型激光器F-P LD4.1.2分布反馈激光器DFB LD4.1.3分布Bragg反射型激光器DBR LD4.1.4量子阱激光器QW LD4.1.5垂直腔面发射激光器VCSEL
17、4.2半导体激光器的工作特性4.3光发射机244.2 半导体激光器的工作特性激光器件的绝对最大额定值：光输出功率（Po和Pf）：从一个未损伤器件可辐射出的最大连续光输出功率。Po是从器件端面输出的光功率，Pf是从带有尾纤器件输出的光功率。正向电流（IF）：可以施加到器件上且不产生器件损伤的最大连续正向电流。反向电压（VR）：可以施加到器件上且不产生器件损伤的最大方向电压。25一、半导体激光器的PI特性典型的典型的PI曲线曲线P PI I曲线：曲线：曲线：曲线：激光二极管的激光二极管的激光二极管的激光二极管的总发射光功率总发射光功率总发射光功率总发射光功率P P与注入电流与注入电流与注入电流与注
18、入电流I I的关系曲线。的关系曲线。的关系曲线。的关系曲线。随注入电流增加，激光二极随注入电流增加，激光二极随注入电流增加，激光二极随注入电流增加，激光二极管首先是渐渐地增加自发发管首先是渐渐地增加自发发管首先是渐渐地增加自发发管首先是渐渐地增加自发发射，直至开始发射受激发射。射，直至开始发射受激发射。射，直至开始发射受激发射。射，直至开始发射受激发射。1. 1. 阈值电流阈值电流阈值电流阈值电流I Ithth：开始发射受激开始发射受激开始发射受激开始发射受激发射的电流值。发射的电流值。发射的电流值。发射的电流值。阈值电流与腔阈值电流与腔阈值电流与腔阈值电流与腔的损耗、尺寸、有源区材料和的损耗
19、、尺寸、有源区材料和的损耗、尺寸、有源区材料和的损耗、尺寸、有源区材料和厚度等因素有关。厚度等因素有关。厚度等因素有关。厚度等因素有关。 IIIIIIthth，受激辐射，发出的是相干光受激辐射，发出的是相干光受激辐射，发出的是相干光受激辐射，发出的是相干光26表示激光器件把注入的电子空穴对（注入电荷）转换成从器件发射的光子（输出光）的效率。是一个以百分数（）度量的性能系数。一个把100注入电流转换成输出光的理想假设器件(即器件没有以热形式消耗)，在理论上应具有100的e。e可从P-I特性的斜率（阈值以上）dP/dI求得：（对（对（对（对GaALAsGaALAs材料）材料）材料）材料）2. 2.
20、 外微分量子效率外微分量子效率外微分量子效率外微分量子效率 e e：27内量子效率i是衡量激光二极管把电子空穴对（注入电流）转换成光子能力的一个参数。与e不同的的是，i与激光二极管的几何尺寸无关，是评价激光二极管半导体晶片质量的主要参数。i和e既又关系又有差别。i是激光二极管把电子空穴对（注入电流）转换成光子（光）效率的直接表示，但要注意，并非所有光子都出射成为输出光，有些光子由于各种内部损耗而被重新吸收。e是激光二极管把电子空穴对（注入电流）转换成输出光的效率象征。e总是比i小。内量子效率内量子效率内量子效率内量子效率 i i= =有源区内每秒钟产生的光子数有源区内每秒钟产生的光子数有源区内
21、每秒钟产生的光子数有源区内每秒钟产生的光子数有源区内每秒钟注入的电子有源区内每秒钟注入的电子有源区内每秒钟注入的电子有源区内每秒钟注入的电子- - - -空穴对数空穴对数空穴对数空穴对数3. 3. 内量子效率内量子效率内量子效率内量子效率 i i：28T0-LD的特征温度，与器件的材料、结构等有关。T0代表Ith对温度的灵敏度，也可解释为激光二极管的热稳定性。较高的T0意味着当温度快速增加时，激光二极管Ith增加不大。对于对于对于对于GaAs/GaALAs GaAs/GaALAs LD TLD T0 0=100150K=100150K；InGaAsP/InP-LD InGaAsP/InP-LD
22、 T T0 0=4070K=4070K。不同温度下的不同温度下的不同温度下的不同温度下的P PI I曲线曲线曲线曲线 4. 温度特性：温度特性：温度升高时性能下降，阈值电温度升高时性能下降，阈值电温度升高时性能下降，阈值电温度升高时性能下降，阈值电流随温度按指数增长。流随温度按指数增长。流随温度按指数增长。流随温度按指数增长。29 LD LD的模式特性首先取决于光腔的三个线度（横向、的模式特性首先取决于光腔的三个线度（横向、的模式特性首先取决于光腔的三个线度（横向、的模式特性首先取决于光腔的三个线度（横向、侧向、纵向的尺寸）及介质特性。通常腔内能存在许侧向、纵向的尺寸）及介质特性。通常腔内能存
23、在许侧向、纵向的尺寸）及介质特性。通常腔内能存在许侧向、纵向的尺寸）及介质特性。通常腔内能存在许多模式，但只有获得净增益（满足阈值条件）的那些多模式，但只有获得净增益（满足阈值条件）的那些多模式，但只有获得净增益（满足阈值条件）的那些多模式，但只有获得净增益（满足阈值条件）的那些模式才能被激励，它的频率才会出现在输出光中。在模式才能被激励，它的频率才会出现在输出光中。在模式才能被激励，它的频率才会出现在输出光中。在模式才能被激励，它的频率才会出现在输出光中。在实际应用中，实际应用中，实际应用中，实际应用中，模式的稳定性和线宽模式的稳定性和线宽模式的稳定性和线宽模式的稳定性和线宽是对系统性能影响
24、是对系统性能影响是对系统性能影响是对系统性能影响较大的两个参量。较大的两个参量。较大的两个参量。较大的两个参量。 LD LD工作在基横模时，相干性最好，因此要求工作在基横模时，相干性最好，因此要求工作在基横模时，相干性最好，因此要求工作在基横模时，相干性最好，因此要求LDLD在在在在设计和结构上设计和结构上设计和结构上设计和结构上保证基横模工作保证基横模工作保证基横模工作保证基横模工作。根据基横模的条件通。根据基横模的条件通。根据基横模的条件通。根据基横模的条件通过对光载流子的横向以及垂直向限制、减小有源区宽过对光载流子的横向以及垂直向限制、减小有源区宽过对光载流子的横向以及垂直向限制、减小有
25、源区宽过对光载流子的横向以及垂直向限制、减小有源区宽度和厚度等措施可以实现度和厚度等措施可以实现度和厚度等措施可以实现度和厚度等措施可以实现LDLD的基横模工作。的基横模工作。的基横模工作。的基横模工作。 ( (详见详见详见详见激光原理激光原理激光原理激光原理) )二、半导体激光器的模式特性二、半导体激光器的模式特性301 1、激光器纵模的概念：激光器纵模的概念：激光器纵模的概念：激光器纵模的概念： 激光器的纵模反映激光器的光谱性质。对于半激光器的纵模反映激光器的光谱性质。对于半激光器的纵模反映激光器的光谱性质。对于半激光器的纵模反映激光器的光谱性质。对于半导体激光器，当注入电流低于阈值时，发
26、射光谱是导体激光器，当注入电流低于阈值时，发射光谱是导体激光器，当注入电流低于阈值时，发射光谱是导体激光器，当注入电流低于阈值时，发射光谱是导带和价带的自发发射谱，谱线较宽；只有当激光导带和价带的自发发射谱，谱线较宽；只有当激光导带和价带的自发发射谱，谱线较宽；只有当激光导带和价带的自发发射谱，谱线较宽；只有当激光器的注入电流大于阈值后，谐振腔里的增益才大于器的注入电流大于阈值后，谐振腔里的增益才大于器的注入电流大于阈值后，谐振腔里的增益才大于器的注入电流大于阈值后，谐振腔里的增益才大于损耗，自发发射谱线中满足驻波条件的光频率才能损耗，自发发射谱线中满足驻波条件的光频率才能损耗，自发发射谱线中
27、满足驻波条件的光频率才能损耗，自发发射谱线中满足驻波条件的光频率才能在谐振腔里振荡并建立起场强，这个场强使粒子数在谐振腔里振荡并建立起场强，这个场强使粒子数在谐振腔里振荡并建立起场强，这个场强使粒子数在谐振腔里振荡并建立起场强，这个场强使粒子数反转分布的能级间产生受激辐射，而其他频率的光反转分布的能级间产生受激辐射，而其他频率的光反转分布的能级间产生受激辐射，而其他频率的光反转分布的能级间产生受激辐射，而其他频率的光却受到抑制，使激光器的输出光谱呈现出以一个或却受到抑制，使激光器的输出光谱呈现出以一个或却受到抑制，使激光器的输出光谱呈现出以一个或却受到抑制，使激光器的输出光谱呈现出以一个或几个
28、模式振荡，这种振荡称之为激光器的纵模。几个模式振荡，这种振荡称之为激光器的纵模。几个模式振荡，这种振荡称之为激光器的纵模。几个模式振荡，这种振荡称之为激光器的纵模。31I=67mAI=67mAP=1.2mWP=1.2mWI=75mAI=75mAP=2.5mWP=2.5mWI=100mAI=100mAP=10mWP=10mWI=95mAI=95mAP=6mWP=6mWI=80mAI=80mAP=4mWP=4mW随着电流增加，主模的增益增加，而边模的增益减小，纵模数随着电流增加，主模的增益增加，而边模的增益减小，纵模数随着电流增加，主模的增益增加，而边模的增益减小，纵模数随着电流增加，主模的增益增
29、加，而边模的增益减小，纵模数减少，一个模式开始占优势，直到出现单个窄线宽的光谱为止。减少，一个模式开始占优势，直到出现单个窄线宽的光谱为止。减少，一个模式开始占优势，直到出现单个窄线宽的光谱为止。减少，一个模式开始占优势，直到出现单个窄线宽的光谱为止。2 2、纵模数随注入电流而变：纵模数随注入电流而变：纵模数随注入电流而变：纵模数随注入电流而变：32 在众多的纵模中，只有那些频率落在增益介质在众多的纵模中，只有那些频率落在增益介质在众多的纵模中，只有那些频率落在增益介质在众多的纵模中，只有那些频率落在增益介质的增益曲线范围内，且增益大于损耗的那些腔的增益曲线范围内，且增益大于损耗的那些腔的增益
30、曲线范围内，且增益大于损耗的那些腔的增益曲线范围内，且增益大于损耗的那些腔模才能在模才能在模才能在模才能在LDLD的输出中存在。的输出中存在。的输出中存在。的输出中存在。3 3、谱线特性：谱线特性：谱线特性：谱线特性：33在纵向，光波以驻波形式振荡。在纵向，光波以驻波形式振荡。在纵向，光波以驻波形式振荡。在纵向，光波以驻波形式振荡。谐振频率（正入射）谐振频率（正入射）谐振频率（正入射）谐振频率（正入射）: :m-m-正整数；正整数；正整数；正整数；L-L-腔长；腔长；腔长；腔长；n-n-材料折射。材料折射。材料折射。材料折射。相邻纵模的频率间隔相邻纵模的频率间隔相邻纵模的频率间隔相邻纵模的频率
31、间隔: :增益曲线：增益曲线：增益曲线：增益曲线： 0 0- -增益谱中心波长，由增益介质的能级差决定；增益谱中心波长，由增益介质的能级差决定；增益谱中心波长，由增益介质的能级差决定；增益谱中心波长，由增益介质的能级差决定； - -增益谱增益谱增益谱增益谱宽，由增益介质内原子热运动（多普勒加宽）和原子碰撞（均宽，由增益介质内原子热运动（多普勒加宽）和原子碰撞（均宽，由增益介质内原子热运动（多普勒加宽）和原子碰撞（均宽，由增益介质内原子热运动（多普勒加宽）和原子碰撞（均匀加宽）造成；匀加宽）造成；匀加宽）造成；匀加宽）造成；g(0)-g(0)-正比于粒子数反转的最大增益正比于粒子数反转的最大增益
32、正比于粒子数反转的最大增益正比于粒子数反转的最大增益344 4、峰值波长随温度变化：峰值波长随温度变化：峰值波长随温度变化：峰值波长随温度变化：半导体激光器的发射波长随结区温半导体激光器的发射波长随结区温半导体激光器的发射波长随结区温半导体激光器的发射波长随结区温度而变化。当结温升高时，半导体度而变化。当结温升高时，半导体度而变化。当结温升高时，半导体度而变化。当结温升高时，半导体材料的禁区带宽变窄，因而使激光材料的禁区带宽变窄，因而使激光材料的禁区带宽变窄，因而使激光材料的禁区带宽变窄，因而使激光器发射光谱的峰值波长移向长波长。器发射光谱的峰值波长移向长波长。器发射光谱的峰值波长移向长波长。
33、器发射光谱的峰值波长移向长波长。InGaAsP/InPInGaAsP/InP激光器的发射激光器的发射激光器的发射激光器的发射波长随注入电流漂移的情况，波长随注入电流漂移的情况，波长随注入电流漂移的情况，波长随注入电流漂移的情况，此激光器没加温度控制，由此激光器没加温度控制，由此激光器没加温度控制，由此激光器没加温度控制，由于电流的热效应，使结温度于电流的热效应，使结温度于电流的热效应，使结温度于电流的热效应，使结温度升高，从而使发射波长漂移。升高，从而使发射波长漂移。升高，从而使发射波长漂移。升高，从而使发射波长漂移。355 5、动态谱线展宽：动态谱线展宽：动态谱线展宽：动态谱线展宽：动态谱线
34、展宽对高速光纤通信非常动态谱线展宽对高速光纤通信非常动态谱线展宽对高速光纤通信非常动态谱线展宽对高速光纤通信非常不利，各种动态单模激光器已得到不利，各种动态单模激光器已得到不利，各种动态单模激光器已得到不利，各种动态单模激光器已得到迅速发展迅速发展迅速发展迅速发展DFB LDDFB LD及及及及DBR LDDBR LD。对激光器进行直接强度调制会使发射对激光器进行直接强度调制会使发射对激光器进行直接强度调制会使发射对激光器进行直接强度调制会使发射谱线增宽，振荡模数增加。这是因为谱线增宽，振荡模数增加。这是因为谱线增宽，振荡模数增加。这是因为谱线增宽，振荡模数增加。这是因为对激光器进行脉冲调制时
35、，注入电流对激光器进行脉冲调制时，注入电流对激光器进行脉冲调制时，注入电流对激光器进行脉冲调制时，注入电流不断变化，使有源区里载流子浓度随不断变化，使有源区里载流子浓度随不断变化，使有源区里载流子浓度随不断变化，使有源区里载流子浓度随之变化，进而导致折射率随之变化，之变化，进而导致折射率随之变化，之变化，进而导致折射率随之变化，之变化，进而导致折射率随之变化，激光器的谐振频率发生漂移，动态谱激光器的谐振频率发生漂移，动态谱激光器的谐振频率发生漂移，动态谱激光器的谐振频率发生漂移，动态谱线展宽。线展宽。线展宽。线展宽。调制速率越高，调制电流越调制速率越高，调制电流越调制速率越高，调制电流越调制速
36、率越高，调制电流越大，谱线展宽的越多。大，谱线展宽的越多。大，谱线展宽的越多。大，谱线展宽的越多。激光器的发射光谱随调激光器的发射光谱随调激光器的发射光谱随调激光器的发射光谱随调制电流变化的情况制电流变化的情况制电流变化的情况制电流变化的情况366 6、动态单模半导体激光器：动态单模半导体激光器：动态单模半导体激光器：动态单模半导体激光器： 实现实现实现实现LDLD单纵模工作的方法：单纵模工作的方法：单纵模工作的方法：单纵模工作的方法： 采用短腔结构，采用短腔结构，采用短腔结构，采用短腔结构，增大相邻纵模间隔增大相邻纵模间隔增大相邻纵模间隔增大相邻纵模间隔, ,使增益谱线范围内使增益谱线范围内
37、使增益谱线范围内使增益谱线范围内只有一个谱线存在，短腔制造困难，只有一个谱线存在，短腔制造困难，只有一个谱线存在，短腔制造困难，只有一个谱线存在，短腔制造困难，LDLD输出功率低。输出功率低。输出功率低。输出功率低。 采用波长选择反馈，采用波长选择反馈，采用波长选择反馈，采用波长选择反馈，使不同的纵模有不同的损耗，包括：使不同的纵模有不同的损耗，包括：使不同的纵模有不同的损耗，包括：使不同的纵模有不同的损耗，包括：分布反馈结构和耦合腔结构。分布反馈结构和耦合腔结构。分布反馈结构和耦合腔结构。分布反馈结构和耦合腔结构。 单纵模单纵模单纵模单纵模LDLD的性能通常由的性能通常由的性能通常由的性能通
38、常由边模抑制比（边模抑制比（边模抑制比（边模抑制比（MSRMSR）来表征，定来表征，定来表征，定来表征，定义为义为义为义为MSR=PMSR=Pmmmm/P/PsmsmP Pmmmm为主模功率；为主模功率；为主模功率；为主模功率； P Psmsm为最大边模功率。为最大边模功率。为最大边模功率。为最大边模功率。一个较好的单纵模一个较好的单纵模一个较好的单纵模一个较好的单纵模LDLD，MSRMSR应大于应大于应大于应大于3030dBdB。377. 7. 影响发射波长的因素：影响发射波长的因素：影响发射波长的因素：影响发射波长的因素：对于DFB激光器，影响发射波长的因素：管芯温度；工作电流；光反射（利
39、用隔离器减小）比较而言，温度变化是波长漂移的主要因素。管芯温度与发射波长的关系：温度升高红移相比之下，折射率波导相比之下，折射率波导相比之下，折射率波导相比之下，折射率波导LDLD的热稳定性差得多，其的热稳定性差得多，其的热稳定性差得多，其的热稳定性差得多，其这种特性在泵浦激光器中是有用的，可以通过精确地控制温这种特性在泵浦激光器中是有用的，可以通过精确地控制温这种特性在泵浦激光器中是有用的，可以通过精确地控制温这种特性在泵浦激光器中是有用的，可以通过精确地控制温度，把度，把度，把度，把LDLD的发射波长调节到特定波长上，以满足应用要求。的发射波长调节到特定波长上，以满足应用要求。的发射波长调
40、节到特定波长上，以满足应用要求。的发射波长调节到特定波长上，以满足应用要求。38 线宽是线宽是线宽是线宽是LDLD输出光谱的另一个重要参量。窄的线宽有利于减输出光谱的另一个重要参量。窄的线宽有利于减输出光谱的另一个重要参量。窄的线宽有利于减输出光谱的另一个重要参量。窄的线宽有利于减小光纤的色散。小光纤的色散。小光纤的色散。小光纤的色散。LDLD输出的有限线宽源于两个因素：输出的有限线宽源于两个因素：输出的有限线宽源于两个因素：输出的有限线宽源于两个因素： 一是激光腔内自发辐射引起的光场相位脉动一是激光腔内自发辐射引起的光场相位脉动一是激光腔内自发辐射引起的光场相位脉动一是激光腔内自发辐射引起的
41、光场相位脉动 二是载流子浓度脉动引起的折射率变化，使光腔谐振频二是载流子浓度脉动引起的折射率变化，使光腔谐振频二是载流子浓度脉动引起的折射率变化，使光腔谐振频二是载流子浓度脉动引起的折射率变化，使光腔谐振频率发生变化。率发生变化。率发生变化。率发生变化。 简化理论推导的光源线宽为：简化理论推导的光源线宽为：简化理论推导的光源线宽为：简化理论推导的光源线宽为：X-X-自发发射事件的平均速率；自发发射事件的平均速率；自发发射事件的平均速率；自发发射事件的平均速率；P-P-光功率；光功率；光功率；光功率； - -线宽增强因子线宽增强因子线宽增强因子线宽增强因子8 8、线宽线宽线宽线宽 降低线宽可采取
42、以下措施：降低线宽可采取以下措施：降低线宽可采取以下措施：降低线宽可采取以下措施： 增大光功率增大光功率增大光功率增大光功率 减小自发发射速率减小自发发射速率减小自发发射速率减小自发发射速率 从外部稳定载流子密度从外部稳定载流子密度从外部稳定载流子密度从外部稳定载流子密度 FP-LDFP-LD的线宽通常达几的线宽通常达几的线宽通常达几的线宽通常达几nmnm DFB-LDDFB-LD线宽通常约线宽通常约线宽通常约线宽通常约510510MHzMHz MQW-LDMQW-LD线宽仅几十线宽仅几十线宽仅几十线宽仅几十 几百几百几百几百KHzKHz39三、半导体激光器的瞬态性质半导体激光器具有电光转换效
43、率高、响应速度快、可以进行直接调制的优点，被视为光纤通信中的理想光源。但在对半导体激光器进行脉冲调制时，激光器往往呈现出复杂的动态性质光电瞬态响应。n n电光延迟电光延迟n n张弛振荡张弛振荡n n自脉动自脉动40张弛振荡：张弛振荡：张弛振荡：张弛振荡：当电流当电流当电流当电流脉冲注入激光器以脉冲注入激光器以脉冲注入激光器以脉冲注入激光器以后，输出光脉冲表后，输出光脉冲表后，输出光脉冲表后，输出光脉冲表现出衰减式振荡。现出衰减式振荡。现出衰减式振荡。现出衰减式振荡。是激光器内部光电是激光器内部光电是激光器内部光电是激光器内部光电相互作用所表现出相互作用所表现出相互作用所表现出相互作用所表现出来
44、的固有特性。来的固有特性。来的固有特性。来的固有特性。自脉动：自脉动：自脉动：自脉动：某些激某些激某些激某些激光器在某些注入光器在某些注入光器在某些注入光器在某些注入电流下发生的一电流下发生的一电流下发生的一电流下发生的一种持续振荡。种持续振荡。种持续振荡。种持续振荡。张弛振荡和自脉动张弛振荡和自脉动张弛振荡和自脉动张弛振荡和自脉动的结合。的结合。的结合。的结合。激光器激激光器激激光器激激光器激射以后，先出现一射以后，先出现一射以后，先出现一射以后，先出现一个张弛振荡的过程，个张弛振荡的过程，个张弛振荡的过程，个张弛振荡的过程，随后则开始持续自随后则开始持续自随后则开始持续自随后则开始持续自脉
45、动。脉动。脉动。脉动。光电瞬态响应波形：光电瞬态响应波形：光电瞬态响应波形：光电瞬态响应波形：411. 1. 电光延迟电光延迟电光延迟电光延迟 原因：原因：原因：原因：激光输出与注入电脉冲之间存在一个时间延迟，激光输出与注入电脉冲之间存在一个时间延迟，激光输出与注入电脉冲之间存在一个时间延迟，激光输出与注入电脉冲之间存在一个时间延迟，一般为纳秒量级。一般为纳秒量级。一般为纳秒量级。一般为纳秒量级。 降低方法：降低方法：降低方法：降低方法：预偏置在预偏置在预偏置在预偏置在I Ithth附近。附近。附近。附近。上升时间：从额定功率的上升时间：从额定功率的上升时间：从额定功率的上升时间：从额定功率的
46、1010升到升到升到升到9090所需的时间所需的时间所需的时间所需的时间下降时间：从额定功率的下降时间：从额定功率的下降时间：从额定功率的下降时间：从额定功率的9090降到降到降到降到1010所需的时间所需的时间所需的时间所需的时间42 当注入电流从零快当注入电流从零快当注入电流从零快当注入电流从零快速增大到阈值以上速增大到阈值以上速增大到阈值以上速增大到阈值以上时，经电光延迟后时，经电光延迟后时，经电光延迟后时，经电光延迟后产生激光输出，并产生激光输出，并产生激光输出，并产生激光输出，并在脉冲顶部出现阻在脉冲顶部出现阻在脉冲顶部出现阻在脉冲顶部出现阻尼振荡，经过几个尼振荡，经过几个尼振荡，经
47、过几个尼振荡，经过几个周期后达到平衡值。周期后达到平衡值。周期后达到平衡值。周期后达到平衡值。 采用预偏置在采用预偏置在采用预偏置在采用预偏置在I Ithth附附附附近的方法，可减小近的方法，可减小近的方法，可减小近的方法，可减小张弛振荡张弛振荡张弛振荡张弛振荡2. 2. 张弛振荡张弛振荡张弛振荡张弛振荡43 不同于张弛振荡，没有不同于张弛振荡，没有不同于张弛振荡，没有不同于张弛振荡，没有阻尼，脉动频率范围为阻尼，脉动频率范围为阻尼，脉动频率范围为阻尼，脉动频率范围为0.240.24GHz,GHz,容易发生在容易发生在容易发生在容易发生在阈值附近和阈值附近和阈值附近和阈值附近和P-IP-I特性
48、的扭特性的扭特性的扭特性的扭曲区。曲区。曲区。曲区。 造成自脉动的机理涉及造成自脉动的机理涉及造成自脉动的机理涉及造成自脉动的机理涉及量子噪声效应、有源区量子噪声效应、有源区量子噪声效应、有源区量子噪声效应、有源区的缺陷及温度感应的变的缺陷及温度感应的变的缺陷及温度感应的变的缺陷及温度感应的变化等因素。化等因素。化等因素。化等因素。 抑制这种现象主要靠控抑制这种现象主要靠控抑制这种现象主要靠控抑制这种现象主要靠控制材料的质量，尽量减制材料的质量，尽量减制材料的质量，尽量减制材料的质量，尽量减少有源区的缺陷。少有源区的缺陷。少有源区的缺陷。少有源区的缺陷。3. 3. 自脉动自脉动自脉动自脉动44
49、4 4、码型效应：码型效应：码型效应：码型效应： 由于瞬态性质，输出光脉冲会出现码型效应。由于瞬态性质，输出光脉冲会出现码型效应。由于瞬态性质，输出光脉冲会出现码型效应。由于瞬态性质，输出光脉冲会出现码型效应。码型效应起因：码型效应起因：码型效应起因：码型效应起因：当第一个电流脉冲过后，存储在有源区的当第一个电流脉冲过后，存储在有源区的当第一个电流脉冲过后，存储在有源区的当第一个电流脉冲过后，存储在有源区的电荷以指数形式衰减，回到初始状态有一个时间过程电荷以指数形式衰减，回到初始状态有一个时间过程电荷以指数形式衰减，回到初始状态有一个时间过程电荷以指数形式衰减，回到初始状态有一个时间过程 sp
50、sp，如果调制速率很高，脉冲间隔小于如果调制速率很高，脉冲间隔小于如果调制速率很高，脉冲间隔小于如果调制速率很高，脉冲间隔小于 spsp ，会使第二个电流脉，会使第二个电流脉，会使第二个电流脉，会使第二个电流脉冲到来时，前一个电流脉冲注入的电荷并没有完全复合消冲到来时，前一个电流脉冲注入的电荷并没有完全复合消冲到来时，前一个电流脉冲注入的电荷并没有完全复合消冲到来时，前一个电流脉冲注入的电荷并没有完全复合消失，有源区的存储电荷起到直流预偏置的作用，于是第二失，有源区的存储电荷起到直流预偏置的作用，于是第二失，有源区的存储电荷起到直流预偏置的作用，于是第二失，有源区的存储电荷起到直流预偏置的作用
51、，于是第二个光脉冲延迟时间减小，输出光脉冲的幅度和宽度增加。个光脉冲延迟时间减小，输出光脉冲的幅度和宽度增加。个光脉冲延迟时间减小，输出光脉冲的幅度和宽度增加。个光脉冲延迟时间减小，输出光脉冲的幅度和宽度增加。消除方法：消除方法：消除方法：消除方法：增加直流偏置电流。增加直流偏置电流。增加直流偏置电流。增加直流偏置电流。电流脉冲电流脉冲电流脉冲电流脉冲光脉冲光脉冲光脉冲光脉冲两个连两个连两个连两个连“1”“1”的现的现的现的现象象象象45起因：起因：起因：起因：注入电流导致温升，进而引起阈值电流的变化，注入电流导致温升，进而引起阈值电流的变化，注入电流导致温升，进而引起阈值电流的变化，注入电流
52、导致温升，进而引起阈值电流的变化，从而输出光功率也发生变化。在电流脉冲持续阶段，输从而输出光功率也发生变化。在电流脉冲持续阶段，输从而输出光功率也发生变化。在电流脉冲持续阶段，输从而输出光功率也发生变化。在电流脉冲持续阶段，输出光功率随时间而减小；而当电流脉冲过后，输出光功出光功率随时间而减小；而当电流脉冲过后，输出光功出光功率随时间而减小；而当电流脉冲过后，输出光功出光功率随时间而减小；而当电流脉冲过后，输出光功率随时间而增加。率随时间而增加。率随时间而增加。率随时间而增加。消除方法：消除方法：消除方法：消除方法：适当增加偏置电流适当增加偏置电流适当增加偏置电流适当增加偏置电流 5 5、结发
53、热效应：结发热效应：结发热效应：结发热效应： 半导体激光器是对温度很敏感的器件，不仅环境温度的变化会使半导体激光器是对温度很敏感的器件，不仅环境温度的变化会使半导体激光器是对温度很敏感的器件，不仅环境温度的变化会使半导体激光器是对温度很敏感的器件，不仅环境温度的变化会使激光器的阈值电流以及输出光功率发生变化，注入电流的热效应也会激光器的阈值电流以及输出光功率发生变化，注入电流的热效应也会激光器的阈值电流以及输出光功率发生变化，注入电流的热效应也会激光器的阈值电流以及输出光功率发生变化，注入电流的热效应也会发生类似的变化发生类似的变化发生类似的变化发生类似的变化结发热效应。是激光器的另一种瞬态调
54、制效应。结发热效应。是激光器的另一种瞬态调制效应。结发热效应。是激光器的另一种瞬态调制效应。结发热效应。是激光器的另一种瞬态调制效应。46激光二极管的啁啾(Chirp)特性：在直接调制激光二极管时，不仅输出光功率随调制电流发生变化，而且光的频率也会发生波动，即在幅度调制的同时还受到频率调制。带有频率啁啾的信号在单模光纤中传播时，在色散作用下，将增大非线性失真。随着调制速率增加，啁啾现象愈加严重。解决办法：采用外部调制器。6 6、啁啾啁啾啁啾啁啾47LDLD的噪声源主要有：的噪声源主要有：的噪声源主要有：的噪声源主要有：（1 1）相位噪声）相位噪声）相位噪声）相位噪声（2 2）工作不稳定引起的噪
55、声（如自脉动）工作不稳定引起的噪声（如自脉动）工作不稳定引起的噪声（如自脉动）工作不稳定引起的噪声（如自脉动）（3 3）光纤端面与）光纤端面与）光纤端面与）光纤端面与LDLD之间互作用引起的噪声之间互作用引起的噪声之间互作用引起的噪声之间互作用引起的噪声（4 4）模噪声（单模）模噪声（单模）模噪声（单模）模噪声（单模LD+LD+多模光纤系统）与模分配噪声多模光纤系统）与模分配噪声多模光纤系统）与模分配噪声多模光纤系统）与模分配噪声（多模（多模（多模（多模LD+LD+单模光纤系统）单模光纤系统）单模光纤系统）单模光纤系统）（2 2） （4 4）可通过模式稳定及光隔离器来减低或消除）可通过模式稳定
56、及光隔离器来减低或消除）可通过模式稳定及光隔离器来减低或消除）可通过模式稳定及光隔离器来减低或消除四、半导体激光器的噪声特性四、半导体激光器的噪声特性由于由于由于由于LDLD谐振腔内载流子和光子密度的量子起伏，谐振腔内载流子和光子密度的量子起伏，谐振腔内载流子和光子密度的量子起伏，谐振腔内载流子和光子密度的量子起伏，造成输出光波中存在着固有的量子噪声，一般用造成输出光波中存在着固有的量子噪声，一般用造成输出光波中存在着固有的量子噪声，一般用造成输出光波中存在着固有的量子噪声，一般用相对噪声强度相对噪声强度相对噪声强度相对噪声强度RINRIN来度量，即光强度脉动的均方来度量，即光强度脉动的均方来
57、度量，即光强度脉动的均方来度量，即光强度脉动的均方根与平均光强度平方之比。根与平均光强度平方之比。根与平均光强度平方之比。根与平均光强度平方之比。48第四章 激光器及光发射机4.1半导体激光器4.1.1法布里-珀罗型激光器F-P LD4.1.2分布反馈激光器DFB LD4.1.3分布Bragg反射型激光器DBR LD4.1.4量子阱激光器QW LD4.1.5垂直腔面发射激光器VCSEL4.2半导体激光器的工作特性4.3光发射机494.3.1 发射机的结构防止防止防止防止LDLD输出的输出的输出的输出的激光反射，实激光反射，实激光反射，实激光反射，实现光的单向传现光的单向传现光的单向传现光的单向
58、传输输输输保持保持保持保持LDLD组件内恒组件内恒组件内恒组件内恒定的温度，保证定的温度，保证定的温度，保证定的温度，保证激光参数的稳定激光参数的稳定激光参数的稳定激光参数的稳定性性性性使使使使LDLD有恒有恒有恒有恒定的光输定的光输定的光输定的光输出功率出功率出功率出功率数据数据数据数据电接口电接口电接口电接口线路线路线路线路编码编码编码编码驱动驱动驱动驱动电路电路电路电路调制器调制器调制器调制器光隔离器光隔离器光隔离器光隔离器LDLD功控功控功控功控温控温控温控温控光发射机光发射机光发射机光发射机504.3.2 光源的调制方式调制方式：直接调制间接调制（外调制）一、直接调制的特点：将要传送
59、的信息转变为电流信号注入LD或LED调制后的光波振幅的平方比例于调制信号（强度调制）简单、经济、容易实现响应带宽有限（2.5Gb/s）引入调制啁啾51加大偏置电流使其逼近激光器阈值，可以大大减小电光延迟时间，同时使张驰振荡得到一定程度的抑制.偏置于阈值附近，较小的调制脉冲电流即可得到足够的输出光脉冲，从而可大大减小码型效应和结发热效应的影响.另一方面，加大直流偏置电流将会使光信号消光比(EX)恶化，光源消光比将直接影响接收机灵敏度.实验发现，异质结激光器的散粒噪声在阈值处出现最大值，因此偏置电流不正好偏置在阈值处.调制电流幅度Im的选择，应根据激光器的P-I曲线，既要有足够的输出光脉冲幅度，又
60、要考虑到光源的负担。如果激光器在某些区域有自脉动现象发生，则Im的选择应避开自脉动发生的区域.二、数字直接调制中偏置电流和调制电流大小的选择二、数字直接调制中偏置电流和调制电流大小的选择二、数字直接调制中偏置电流和调制电流大小的选择二、数字直接调制中偏置电流和调制电流大小的选择52三、外调制三、外调制将调制信号控制激光器后接的外调制器，利用调制器的电光、声光等物理效应使其输出光的强度等参数随信号而变。调制信号啁啾小。外调制器以LN电光调制和EA电致吸收为主。531.系统对光源的要求：(1)波长稳定性要求WDM系统对光源发射波长的稳定性具有较高的要求；波长的漂移将导致信道之间的串扰；温度变化是波
61、长漂移的主要因素。(2)功率稳定性要求某信道功率的漂移，不仅影响本信道的传输性能，而且通过EDFA的瞬态效应影响其它信道的性能；影响发射功率的因素：管芯温度：温度增加功率下降器件老化：功率下降4.3.3 激光器控制电路激光器控制电路542.2.温度控制和功率控制作用温度控制和功率控制作用温度控制和功率控制作用温度控制和功率控制作用 就是消除温度变化和器件老化影响就是消除温度变化和器件老化影响就是消除温度变化和器件老化影响就是消除温度变化和器件老化影响, ,稳定发射机性能，稳定发射机性能，稳定发射机性能，稳定发射机性能，采取的稳定方法有：温度控制；自动功率控制采取的稳定方法有：温度控制；自动功率
62、控制采取的稳定方法有：温度控制；自动功率控制采取的稳定方法有：温度控制；自动功率控制光发射机结构框图光发射机结构框图光发射机结构框图光发射机结构框图窄线宽窄线宽窄线宽窄线宽 DFB DFB 激光器激光器激光器激光器EA(LN)EA(LN)调制器调制器调制器调制器精密精密精密精密温度控制温度控制温度控制温度控制恒定恒定恒定恒定电流控制电流控制电流控制电流控制1010Gb/sGb/s电压驱动器电压驱动器电压驱动器电压驱动器NRZNRZ码码码码 553. 3. 温度控制：温度控制：温度控制：温度控制： 温控电路通常由比例放大、温控电路通常由比例放大、温控电路通常由比例放大、温控电路通常由比例放大、P
63、IDPID（比例比例比例比例- -积分积分积分积分- -微分）电微分）电微分）电微分）电路、路、路、路、 电流放大组成电流放大组成电流放大组成电流放大组成 控制精度达到控制精度达到控制精度达到控制精度达到0.010.01CC 波长稳定性达到波长稳定性达到波长稳定性达到波长稳定性达到 200200MHz/24MHz/24小时小时小时小时激光器激光器激光器激光器导热导热导热导热制冷器制冷器制冷器制冷器热敏电阻热敏电阻热敏电阻热敏电阻温度控制电路温度控制电路温度控制电路温度控制电路PDPDDFB-LDDFB-LD组件组件组件组件564. 4. 自动功率控制（自动功率控制（自动功率控制（自动功率控制（
64、APCAPC）由光检测器来感应激光器后由光检测器来感应激光器后由光检测器来感应激光器后由光检测器来感应激光器后端面辐射光功率的变化，并端面辐射光功率的变化，并端面辐射光功率的变化，并端面辐射光功率的变化，并与参考功率相比较，然后根与参考功率相比较，然后根与参考功率相比较，然后根与参考功率相比较，然后根据比较结果自动调整直流偏据比较结果自动调整直流偏据比较结果自动调整直流偏据比较结果自动调整直流偏置电流，最终使光功率峰值置电流，最终使光功率峰值置电流，最终使光功率峰值置电流，最终使光功率峰值保持为一个稳定值。保持为一个稳定值。保持为一个稳定值。保持为一个稳定值。激光器激光器激光器激光器导热导热导
65、热导热制冷器制冷器制冷器制冷器热敏电阻热敏电阻热敏电阻热敏电阻温度控制电路温度控制电路温度控制电路温度控制电路PDPD自动功率控制（自动功率控制（自动功率控制（自动功率控制（APCAPC）电路电路电路电路偏置电流偏置电流偏置电流偏置电流DFB-LDDFB-LD组件组件组件组件575.其它控制电路：其它控制电路：光源慢启动保护电路光源慢启动保护电路激光器反向冲击电流保护电路激光器反向冲击电流保护电路激光器过流保护电路激光器过流保护电路激光器关断电路激光器关断电路58本章小结（一）半导体激光器和发光二极管是光通信中最常用的光源。LED在应用中具有线路简单、可靠、寿命长等优点。它对应光的自发发射过程
66、，是一种非相干光源。由于发射光谱线宽、方向性差、响应速度慢，所以只适用于速率较低的通信系统。在高速大容量的光纤通信系统中主要采用半导体激光器作光源。LD是一种阈值器件，只有当注入电流达到阈值电流后，激光器才开始激射。激光激射必须满足以下条件：有源区里产生足够的粒子数反转分布；在谐振腔里建立起稳定的振荡。59本章小结（二）半导体激光器的瞬态性质直接影响调制光信号的质量：直接调制时，激光输出与注入电脉冲之间存在电光延迟；激光器在瞬态过程中存在张弛振荡；由于电光延迟现象，在电脉冲过后，载流子有一定的存储时间，导致高速数字调制时出现码型效应；由于激光器对温度很灵敏及注入电流的热效应，输出光会出现结发热效应；某些激光器在某些注入电流下还会出现自脉动现象。上述性质是进行直接调制时选择激光器驱动条件的依据。但在高速光纤通信系统中，常采用外调制技术。由于是在激光形成之后施加调制，所以不会影响激光器的输出谱线。60
