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1、第第7章章 晶体管及其放大电路晶体管及其放大电路 7.1 晶体管晶体管 7.2 放大电路的直流偏置放大电路的直流偏置7.3 共射极放大电路共射极放大电路7.4 共集电极和共基极放大电路共集电极和共基极放大电路 7.5 组合放大电路组合放大电路 7.6 放大电路的频率响应放大电路的频率响应本章主要内容：本章主要内容：晶体管及其放大电路(7)课件7.1.1 晶体管的结构晶体管的结构7.1.2 晶体管的工作原理晶体管的工作原理7.1.3 晶体管的伏安特性晶体管的伏安特性7.1.4 晶体管的主要参数晶体管的主要参数7.1.5 温度对晶体管特性和参数的影响温度对晶体管特性和参数的影响 7.1 晶体管晶体
2、管本节主要内容：本节主要内容：晶体管及其放大电路(7)课件7.1.1 晶体管的结构晶体管的结构 发射结发射结 集电结集电结 发射区发射区 N P N 基区基区 集电区集电区 c 集电集电极极 e 发射发射极极 b 基极基极 b （a）内部内部结构结构 （b）结构示意图结构示意图 （c）电路符号电路符号 集电区集电区 发射区发射区 基区基区 c e 1、NPN型晶体管的结构和电路符号型晶体管的结构和电路符号 （c）图中的箭头表示发射结正向电流的方向。）图中的箭头表示发射结正向电流的方向。 面积大，掺杂浓面积大，掺杂浓度远低于射区度远低于射区薄，掺杂少薄，掺杂少掺杂浓度高掺杂浓度高3个区、个区、2
3、个结。个结。 晶体管及其放大电路(7)课件2、PNP型晶体管的结构和电路符号型晶体管的结构和电路符号 3、常见晶体管的封装外形如图所示：、常见晶体管的封装外形如图所示： 发射结发射结 集电结集电结 发射区发射区 N P P 基区基区 集电区集电区 c集电集电极极 e发射发射极极 b基极基极 （a）结构结构示意图示意图 （b）电路符号电路符号 b c e 晶体管及其放大电路(7)课件7.1.2 晶体管的工作原理晶体管的工作原理 内部条件：内部条件：发射区发射区掺杂浓度很高；掺杂浓度很高；基区基区很薄，掺杂浓度很薄，掺杂浓度低低；集电区；集电区面积大，掺杂浓度远低于射区面积大，掺杂浓度远低于射区。
4、通过制造工艺。通过制造工艺实现内部条件。实现内部条件。 外部条件：外部条件：发射结加正向电压（正向偏置），集电发射结加正向电压（正向偏置），集电结加反向电压（反向偏置）。通过电路设计保证外部条结加反向电压（反向偏置）。通过电路设计保证外部条件的实现。件的实现。放大的基本条件放大的基本条件:发射结正向偏置发射结正向偏置 集电结反向偏置集电结反向偏置晶体管及其放大电路(7)课件(1)发射区向基区注入电子发射区向基区注入电子（C先断开） 在VBB作用下，发射区向基区注入电子形成扩散电流IEN;IBN(2)电子在基区复合和扩散电子在基区复合和扩散 由发射区注入基区的电子继由发射区注入基区的电子继续向集
5、电结扩散，扩散过程中续向集电结扩散，扩散过程中少少部分电子部分电子与基区空穴复合形成电与基区空穴复合形成电流流I IBNBN。 由于基区薄且浓度低，所以由于基区薄且浓度低，所以I IBNBN较小较小。大部分到达了集电区的大部分到达了集电区的边缘。边缘。IENEPIIEBI由于IEP较小，基极电流I B I BN 。 同时基区空穴向发射区扩散形成IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流。1.载流子的传输过程载流子的传输过程 晶体管及其放大电路(7)课件(3) 集电结收集电子集电结收集电子 由于集电结反偏，所以基区中扩散到集电结边缘的电子在电场作用下漂移过集电结，到达集电区，形成电流ICN。
6、另外，集电区的少子另外，集电区的少子形成漂移电流形成漂移电流ICBO。IBNIENEPIIEBIICNCI (4) 集电极的反向电流集电极的反向电流 集电结收集到的电子包括两部分： 发射区扩散到基区的电子ICN 基区的少数载流子ICBO晶体管及其放大电路(7)课件IC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBNICBOIE =IC+IBIBNIENEPIIEBIICNCI三个电极上的电流关系三个电极上的电流关系:I B I BNICICN 显然，电子和空穴都参与电流传导过程，因此，称为双显然，电子和空穴都参与电流传导过程，因此，称为双极型三极管（极型三极管（Bipolar Junction T
7、ransistor，BJT），简称），简称晶体管。晶体管。 晶体管及其放大电路(7)课件 2.电流控制作用电流控制作用 定义定义ICN与与IE之比为晶体管的共基极直流电流放大系数之比为晶体管的共基极直流电流放大系数 ，即，即得得 值越大，值越大，发发射极射极电电流流对对集集电电极极电电流的控制能力越流的控制能力越强强。 则则 得得为为共射极直流共射极直流电电流放大系数流放大系数 令令晶体管及其放大电路(7)课件即即共基极交流放大系数共基极交流放大系数 近似等于近似等于共基极直流共基极直流电电流放大系数流放大系数 定义集电极电流变化量定义集电极电流变化量IC与基极电流变化量与基极电流变化量IB之
8、比为共射极之比为共射极交流放大系数交流放大系数，即，即 ECIIconstvCE=DD=a 定义集电极电流变化量IC与射极电流变化量IE之比为共基极交流放大系数交流放大系数 ,即晶体管及其放大电路(7)课件7.1.3 7.1.3 晶体管的伏安特性晶体管的伏安特性 1.输入特性曲线输入特性曲线 输入特性曲线描述了在集射电压输入特性曲线描述了在集射电压vCE一定的情况下，基极电流一定的情况下，基极电流iB与基射电与基射电压压vBE之间的函数关系之间的函数关系, ,即即 小功率硅管的小功率硅管的门坎电压门坎电压vth约为约为0.5V，锗管约为，锗管约为0.1V。 小功率硅管的小功率硅管的导通压降导通
9、压降Von约为约为0.60.8V，一般，一般取取0.7V；小功率锗管约为；小功率锗管约为0.20.3V，一般取，一般取0.2V。 Rc+vBEvCE_+_iBiCRbAmAV晶体管及其放大电路(7)课件2.输出特性曲线输出特性曲线 输出特性曲线描述了在基极电流输出特性曲线描述了在基极电流iB一定的一定的情况下，集电极电流情况下，集电极电流iC与集射电压与集射电压vCE之间的之间的函数关系函数关系,即即 在输出特性曲线上可划分为三个在输出特性曲线上可划分为三个工作区：工作区：放大区、饱和区和截止区。放大区、饱和区和截止区。(1)放大区放大区（Active region） 放大区的特点是：放大区的
10、特点是： 发射结正偏，集电结反偏发射结正偏，集电结反偏； iCiB，体现了晶体管的放大，体现了晶体管的放大作用（电流控制作用），曲线的间隔作用（电流控制作用），曲线的间隔越大，越大，值越大；值越大； iC 随随vCE增加很小，呈恒流特性。增加很小，呈恒流特性。 Rc+vBEvCE_+_iBiCRbAmAVIb=0Ib=20AIb=40AIb=80AIb=60AIb=100A截止区截止区饱和区饱和区放放大大区区icicvCE晶体管及其放大电路(7)课件(2)饱和区饱和区（Saturation region） 饱和区内的饱和区内的vCE称为称为饱和压降，饱和压降，小功率硅管的饱和压降典型值为小功率
11、硅管的饱和压降典型值为0.3V，锗管为，锗管为0.1V。 饱和区的特点：饱和区的特点： 发射结和集电结均为正偏发射结和集电结均为正偏置；置； iC不受不受iB控制，而近似随控制，而近似随vCE线性增长。由于线性增长。由于vCE小、而小、而iC大，大，故故ce（集电极和发射极）之间等（集电极和发射极）之间等效为开关的导通，或等效为一个效为开关的导通，或等效为一个小电阻，称为导通电阻。小电阻，称为导通电阻。 (3)截止区截止区(Cutoff region) 特点：特点：发射结和集电结都是反向偏置；发射结和集电结都是反向偏置； iC=ICEO0，故，故ce之间等效为开关的断开，或等效为一个大之间等效
12、为开关的断开，或等效为一个大电阻，称为截止电阻。电阻，称为截止电阻。 晶体管及其放大电路(7)课件7.1.4 晶体管的主要参数晶体管的主要参数1.电流放大系数电流放大系数（Current amplification factor） 2.极间反向电流极间反向电流 极间反向电流是由少数载流子形成的，其大小表征了晶体管极间反向电流是由少数载流子形成的，其大小表征了晶体管的温度特性。的温度特性。 （1）集电结反向饱和电流）集电结反向饱和电流ICBO：发射极开路时，集电极和基极：发射极开路时，集电极和基极之间的反向饱和电流。之间的反向饱和电流。 （2）穿透电流）穿透电流ICEO：基极开路时，通过集电极和
13、发射极回路的：基极开路时，通过集电极和发射极回路的电流，电流，ICEO=(1+)ICBO。 电流放大系数是表征晶体管放大能力的参数。有共发射极直流电流放大系数是表征晶体管放大能力的参数。有共发射极直流电流放大系数电流放大系数 、共发射极交流电流放大系数、共发射极交流电流放大系数 、共基极直流电、共基极直流电流放大系数流放大系数 和共基极交流放大系数和共基极交流放大系数。它们的含义见。它们的含义见7.1.27.1.2节。节。晶体管及其放大电路(7)课件3.极限参数极限参数（1）集电极最大允许电流）集电极最大允许电流ICM ICM是指当是指当下降到正常下降到正常值的值的2/3时时所对应的所对应的I
14、C值。当值。当IC超过超过ICM时，晶体管的放大性能下降，但不一定损坏。时，晶体管的放大性能下降，但不一定损坏。（2）反向击穿电压（）反向击穿电压（Reverse breakdown voltage） 发射结反向击穿电压发射结反向击穿电压V V(BR)EBO(BR)EBO：集电极开路时，集电极开路时，发射极与基发射极与基极之间允许施加的最高反向电压。超过此值，发射结发生反向极之间允许施加的最高反向电压。超过此值，发射结发生反向击穿。击穿。 集电结反向击穿电压集电结反向击穿电压V V(BR)CBO(BR)CBO：发射极开路时发射极开路时，集电极与基极，集电极与基极之间允许施加的最高反向电压。超过
15、此值，集电结发生反向击穿。之间允许施加的最高反向电压。超过此值，集电结发生反向击穿。晶体管及其放大电路(7)课件（3）集电极最大允许耗散功率）集电极最大允许耗散功率PCMPC=iC vCE 当当P PC C P PCMCM时，晶体管的实际结时，晶体管的实际结温小于允许的结温，不会损坏晶体温小于允许的结温，不会损坏晶体管。管。 为了可靠工作，通常选择为了可靠工作，通常选择P PCMCM= =（1.51.5）P PC C。晶体管及其放大电路(7)课件7.1.5 温度对晶体管的特性与参数的影响温度对晶体管的特性与参数的影响 （1) 温度对温度对ICBO的影响的影响 I ICBOCBO是少数载流子形成
16、的集电结反向饱和电流，受温度影响是少数载流子形成的集电结反向饱和电流，受温度影响很大。温度每升高很大。温度每升高10100 0C C，I ICBOCBO增加增加一倍。反之，温度降低时一倍。反之，温度降低时I ICBOCBO减减小。小。当温度升高时，当温度升高时，ICEO的增大体现为整个输出特性曲线族向上平移的增大体现为整个输出特性曲线族向上平移（2) 温度对温度对的影响的影响 温度升高时，晶体管内部载流子的扩散能力增强，使基区内载流子的复合概温度升高时，晶体管内部载流子的扩散能力增强，使基区内载流子的复合概率减小，因而温度升高时放大倍数率减小，因而温度升高时放大倍数随之增大。随之增大。以以 时
17、测得的时测得的值为基数，温度每升高值为基数，温度每升高 ，增加约增加约(0.51)%。晶体管及其放大电路(7)课件（3）温度对输入特性的影响）温度对输入特性的影响 温度升高时，对于同样的发射极电流，晶体管所需的温度升高时，对于同样的发射极电流，晶体管所需的| |v vBEBE| | 减减小小。表现为。表现为输入特性曲线向左移动输入特性曲线向左移动 （4） 温度对输出特性的影响温度对输出特性的影响（5 5） 温度对反向击穿电压的影响温度对反向击穿电压的影响 温度升高时，晶体管的温度升高时，晶体管的I ICBOCBO、I IOCEOCE、都都将将增大增大，导致晶体管的，导致晶体管的I IC C上升
18、上升，即，即输出特性曲线向上移输出特性曲线向上移温度升高，温度升高，V V(BR)CEO(BR)CEO和和V V(BR)CBO(BR)CBO都增大都增大晶体管及其放大电路(7)课件7.2 放大电路的直流偏置放大电路的直流偏置 将晶体管偏置在将晶体管偏置在放大状态放大状态:发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏，集电结反偏。 7.2.1 基本偏置电路和静态工作点分析方法基本偏置电路和静态工作点分析方法1基本偏置电路基本偏置电路 直流电压和电流直流电压和电流在其特性曲线上组成在其特性曲线上组成静态工作点静态工作点，分别，分别是（是（V VBEBE，I IB B）和（）和（V VCECE，I IC C）
19、，），通常用通常用Q Q表示表示。+ Rb Rc T VBE + VCE IB IC +VCC（12V） + Rb Rc T VBE + VCE IB IC -VCC（-12V） （a）NPN 管管 (b)PNP管管 固定固定晶体管及其放大电路(7)课件2晶体管的分段线性模型晶体管的分段线性模型 在输入特性曲线中在输入特性曲线中，用垂足为导通电压（，用垂足为导通电压（V Vonon）的垂直线段逼近）的垂直线段逼近输入特性的导通区，用过原点的水平线段逼近输入特性的死区输入特性的导通区，用过原点的水平线段逼近输入特性的死区. . 在输出特性曲线中在输出特性曲线中，用一组水平直线段逼近晶体管的放大区
20、特，用一组水平直线段逼近晶体管的放大区特性，用垂足为原点的垂直线段逼近晶体管的饱和特性性，用垂足为原点的垂直线段逼近晶体管的饱和特性. .晶体管及其放大电路(7)课件3 3静态工作点的计算静态工作点的计算 例例7.1 7.1 试计算图试计算图7.2.17.2.1电路的静态工作点。已知：三极管是硅管，其电路的静态工作点。已知：三极管是硅管，其=50=50；VCC=12V，Rb=400k，Rc=4k。解：将电路参数代入（解：将电路参数代入（7.2.1），得），得思路：先求思路：先求IB，再求再求 IC，最后求最后求VCE（7.2.1）晶体管及其放大电路(7)课件Re1.写输入回路电压方程：写输入回
21、路电压方程：VCC=IBRb+VBE+IEReIE=(1+)IBVCC=ICRC+VCE+IEReIE=(1+)IBIC=IBVCE=VCC-ICRC-IERe写输出回路电压方程：写输出回路电压方程：晶体管及其放大电路(7)课件4基本偏置电路的缺点基本偏置电路的缺点 稳定静态工作点的基本方法之一是在直稳定静态工作点的基本方法之一是在直流偏置电路中引入流偏置电路中引入直流负反馈直流负反馈，使集电极直，使集电极直流电流流电流I IC C和集射直流电压和集射直流电压V VCECE随温度的变化很随温度的变化很小，稳定静态工作点小，稳定静态工作点Q Q（V VCECE，I IC C）。 基本偏置电路的静
22、态工作点受环境温度基本偏置电路的静态工作点受环境温度T T的影响很大。的影响很大。反馈方式主要是电流串联负反馈和电压并联负反馈。反馈方式主要是电流串联负反馈和电压并联负反馈。晶体管及其放大电路(7)课件7.2.2 电流串联负反馈偏置电路电流串联负反馈偏置电路 图中图中射极电阻射极电阻Re引入电流串联负反引入电流串联负反馈，所以简称为馈，所以简称为射极偏置电路射极偏置电路。基极电流基极电流IB B远远小于基极偏置电阻上的电流远远小于基极偏置电阻上的电流I1时：时：当温度升高引起集电极电流增加时，电流串联负反馈将自动进行如下反馈过程：当温度升高引起集电极电流增加时，电流串联负反馈将自动进行如下反馈
23、过程： 在电子工程设计中，选择电路参数，使：在电子工程设计中，选择电路参数，使： Rb1 Rc T VB VC +VCC Re Rb2 I1 I2 IB VE IC 晶体管及其放大电路(7)课件静态工作点计算：静态工作点计算：例例7.2 7.2 射极偏置电路如图射极偏置电路如图7.2.47.2.4所示。已知：晶体管是硅管，其所示。已知：晶体管是硅管，其=50=50；V VCC=12V，Rb1=40k，Rb2=20k，Rc=3k，Re=2k。试计算电路的静态工作点。试计算电路的静态工作点。解：解： Rb1 Rc T VB VC +VCC Re Rb2 I1 I2 IB VE IC 晶体管及其放大
24、电路(7)课件7.2.3 电压电压并并联负联负反反馈馈偏置偏置电电路路电阻电阻Rb引入电压并联负反馈引入电压并联负反馈。集电极电阻集电极电阻R Rc c上的电流上的电流IR为为: : IR=IC+IBIC当温度升高引起集电极电流增加时，电路将自动进行如下反馈过当温度升高引起集电极电流增加时，电路将自动进行如下反馈过程：程： Rc T VB VC +VCC Rb IB IC IR 晶体管及其放大电路(7)课件静态工作点计算：静态工作点计算：由电路得由电路得 所以，所以，Rc T VB VC +VCC Rb IB IC IR -=+-=CcCCCBCcbBECCBonBEIRVVIIRRVVIVV
25、bb晶体管及其放大电路(7)课件7.3 共射极放大电路共射极放大电路7.3.1 信号的耦合方式信号的耦合方式信号的耦合方式主要有信号的耦合方式主要有直接耦合、电容耦合、变压器耦合和光电耦合直接耦合、电容耦合、变压器耦合和光电耦合。 1. 直接耦合直接耦合 信号源直接引入到晶体管的发射结回路，信号源直接引入到晶体管的发射结回路，即输入回路。输出信号直接从晶体管的集电即输入回路。输出信号直接从晶体管的集电极对地引出送负载电阻极对地引出送负载电阻R RL L，形成输出回路。，形成输出回路。 优点是优点是可以放大输入信号的可以放大输入信号的直流直流分量和分量和低频低频信号；电路不包含大电容和大电感，适
26、信号；电路不包含大电容和大电感，适合集成电路制造工艺。合集成电路制造工艺。Rb1 Rc T vB vC +VCC Re iB iC RL vo + vs vi + Rs + Rb2 iS 缺点是缺点是放大电路的放大电路的静态工作点静态工作点受信号受信号源内阻和负载的影响，并且随温度变化而源内阻和负载的影响，并且随温度变化而移动，称为移动，称为温度漂移。温度漂移。 晶体管及其放大电路(7)课件2. 电容耦合电容耦合 输入信号为零时输入信号为零时，电容对，电容对直流直流电电流相当于开路，故信号源和负载不影流相当于开路，故信号源和负载不影响放大电路的静态工作点，响放大电路的静态工作点， 当输入信号不
27、为零时当输入信号不为零时，如果信号如果信号频率足够大，则大电容频率足够大，则大电容C1和和C2的阻的阻（容）抗远小于其所在回路的阻抗，（容）抗远小于其所在回路的阻抗，相当于相当于短路短路。 电容通常是几十个微法，保证对信号相当于短路（简称为交流电容通常是几十个微法，保证对信号相当于短路（简称为交流短路）、对直流电源相当于开路（简称为直流开路）。短路）、对直流电源相当于开路（简称为直流开路）。 例如，在音频（例如，在音频（20Hz20Hz20kHz20kHz）放大器中，若耦合电容取值）放大器中，若耦合电容取值50F50F，其阻（容）抗小于，其阻（容）抗小于160160，与电阻比较耦合电容相当于交
28、流，与电阻比较耦合电容相当于交流短路。短路。Rb1 Rc T vB +VCC Re iB iC RL vo + vs vi + Rs + Rb2 C2 C1 电容耦合的缺点是不适合集成电路工艺，放大电路不能集成化。电容耦合的缺点是不适合集成电路工艺，放大电路不能集成化。 晶体管及其放大电路(7)课件7.3.2 晶体管的低频小信号模型晶体管的低频小信号模型1.晶体管的低频小信号模型晶体管的低频小信号模型式中式中vBE、iB、vCE和和iC都是瞬时总量，包括直流电源引起的直流量和信号引都是瞬时总量，包括直流电源引起的直流量和信号引起的变化量（交流量）。起的变化量（交流量）。求全微分，得求全微分，得
29、 + vBE vCE _ + _ iB iC iB(m mA) vBE/V 20 40 60 80 0.5 1.0 vCE=0V vCE1V （c）输出特性曲线输出特性曲线 （b）输输入入特性曲线特性曲线 （a） 共射极连接共射极连接 0 1 2 2 3 3 4 V Vthth V VononV Vthth 0 vCE=0.5V iB=0?A 100 CEv/ V 2 4 6 8 截止区截止区 放放 大大 区区 100 80 60 40 20 饱和区饱和区 iC /mA ICEO 晶体管及其放大电路(7)课件在静态工作点附近，微分量的系数是常数在静态工作点附近，微分量的系数是常数。令。令由于微
30、分量由于微分量dvBE、diB、dvCE、diC表示小信号变化量表示小信号变化量所以，所以， 晶体管的低频晶体管的低频小信号模型小信号模型: : T e b ib c + + + + _ _ _ _ vbe vbe ic vce b c e vce + _ hrevce hie ic hfeib oeh1 ib (b) (a) 晶体管及其放大电路(7)课件2.h2.h参数的物理意义参数的物理意义hie是晶体管是晶体管输出端交流短输出端交流短路路（vCE=VCEvce=0）时）时b-eb-e之间的交流输入电阻，之间的交流输入电阻，常用常用rbe来表示，来表示，约为约为10103 3量级。量级。h
31、re是晶体管是晶体管输入端交流输入端交流开路开路（iB=IBib=0）时）时的反向电压传输系数的反向电压传输系数（无量纲）（无量纲）, ,也称为电压也称为电压反馈系数。反馈系数。iB(m mA) vBE/V 20 40 60 80 0.5 1.0 vCE=VCE （a） hie的意义的意义 0 VB100 IB iB(m mA) vBE/V 20 40 60 80 0.5 1.0 vCE=VCE 0 VB 100 IB 斜率斜率的倒数的倒数 CEVBBEieivh = = BICEBErevvh = =2 6 8 100 80 60 20 iB=0?A 1 2 3 4 0 iC /mA CEv
32、/ V （c）hfe的意义的意义 （b） hre的意义的意义 VC IB IC CEVBCfeiih = = 2 6 8 100 80 60 20 iB=0?A 1 2 3 4 0 iC /mA CEv/ V （d）hfe的意义的意义 VC IB IC 斜率斜率的倒数的倒数 BICECoevih = = 晶体管及其放大电路(7)课件hfe是晶体管输出端是晶体管输出端交流短交流短路路（vCE=VCEvce=0）时）时的正向电流传输系数（无的正向电流传输系数（无量纲），量纲），等于电流放大系等于电流放大系数数 ，约为约为10102 2量级。量级。hoe是晶体管输入端是晶体管输入端交流开交流开路路（
33、iB=IBib=0）时）时c-ec-e之间的输出电导，常用之间的输出电导，常用1 / rce表示，表示，hoe很小，很小，在放大在放大电路的简化分析中，电路的简化分析中，hoe常常常忽略不计。常忽略不计。h h参数第一个下标的含义是：参数第一个下标的含义是：i表示输入，表示输入，r表示反向传输，表示反向传输，f表示正向传输，表示正向传输，o表示输出。第二个下标表示输出。第二个下标e表示是共发射极接法。表示是共发射极接法。iB(m mA) vBE/V 20 40 60 80 0.5 1.0 vCE=VCE （a） hie的意义的意义 0 VB100 IB iB(m mA) vBE/V 20 40
34、 60 80 0.5 1.0 vCE=VCE 0 VB 100 IB 斜率斜率的倒数的倒数 CEVBBEieivh = = BICEBErevvh = =2 6 8 100 80 60 20 iB=0?A 1 2 3 4 0 iC /mA CEv/ V （c）hfe的意义的意义 （b） hre的意义的意义 VC IB IC CEVBCfeiih = = 2 6 8 100 80 60 20 iB=0?A 1 2 3 4 0 iC /mA CEv/ V （d）hfe的意义的意义 VC IB IC 斜率斜率的倒数的倒数 BICECoevih = = 晶体管及其放大电路(7)课件3.小信号模型的简化
35、和参数的确定小信号模型的简化和参数的确定电压受控源电压受控源hre vce的电压及输出电阻的电压及输出电阻1/1/ hoe很小，常忽略很小，常忽略。图中，用图中，用 替换替换hfe，用用rbe替换替换hie 在放大区内，晶体管的电流放大倍数在放大区内，晶体管的电流放大倍数 是常数，与晶体管的制是常数，与晶体管的制造有关。但是，造有关。但是，rbe与静态工作点有关，可以根据晶体管的物理结与静态工作点有关，可以根据晶体管的物理结构模型导出构模型导出rbe的计算公式。的计算公式。(b) (a) + + _ _ vbe b c e vce + _ hrevce hie ic hfeib oeh1 ib
36、 + + _ _ vbe b c e vce rbe ic ib ib 晶体管及其放大电路(7)课件rbe的计算：的计算：rc模拟集电区的模拟集电区的体电阻体电阻( (远小于远小于rbc) )。发发射射结电结电流方程：流方程：所以所以 小功率晶体管小功率晶体管rbb200300 ，常取，常取200 。 晶体管的结构模型晶体管的结构模型: :b cb e rbb re rbe e Jc Je ib ic ie rbc rc rbb模拟从基极到发射结的模拟从基极到发射结的基区体电阻基区体电阻，rbe模拟发射结的模拟发射结的正向导通电阻正向导通电阻，re模拟发射区的模拟发射区的体电阻体电阻( (远小
37、于远小于rbe) )，rbc模拟集电结的模拟集电结的反向电阻反向电阻，同同6.4.2式式见见PPT48晶体管及其放大电路(7)课件7.3.3 放大电路的小信号分析放大电路的小信号分析（2）求解晶体管的）求解晶体管的静态工作点（分段模型法），静态工作点（分段模型法），据此计算晶据此计算晶体管的交流输入电阻体管的交流输入电阻rbe。应用小信号模型分析晶体管放大电路，步骤如下：应用小信号模型分析晶体管放大电路，步骤如下：（1）令交流信号源不作用（交流电压源短路、交流电流源开）令交流信号源不作用（交流电压源短路、交流电流源开路），得到仅有直流电源作用的直流非线性电路（电容开路、路），得到仅有直流电源作
38、用的直流非线性电路（电容开路、电感短路），简称电感短路），简称直流通路。直流通路。（3）令直流电源不作用（直流电压源短路、直流电流源开路）令直流电源不作用（直流电压源短路、直流电流源开路），得到仅有交流信号源作用的交流电路，简称为，得到仅有交流信号源作用的交流电路，简称为交流通路交流通路。用。用小信号模型小信号模型代替晶体管，得到交流线性等效电路，简称为交流代替晶体管，得到交流线性等效电路，简称为交流等效电路。等效电路。前前2步作静态分析，后步作静态分析，后2步作动态分析（也称为交流分析）。步作动态分析（也称为交流分析）。 （4）用线性电路的分析方法（时域方法或频域方法等）求解）用线性电路的分
39、析方法（时域方法或频域方法等）求解交流线性电路的相关参数。交流线性电路的相关参数。晶体管及其放大电路(7)课件以电容耦合共射极放大电路为例阐述分析步骤。以电容耦合共射极放大电路为例阐述分析步骤。 1静态分析静态分析2.动态分析动态分析(1)画出放大电路的交流等效电路画出放大电路的交流等效电路 交流通路：交流通路：直流电压源短路直流电压源短路，因为其端电压变化量为零，对交流电流相当于短路；，因为其端电压变化量为零，对交流电流相当于短路；直流直流电流源开路电流源开路，因为其电流变化量为零，对交流电流相当于开路。，因为其电流变化量为零，对交流电流相当于开路。大电容短路，大电感开路大电容短路，大电感开
40、路。 晶体管及其放大电路(7)课件画出小信号等效电路如下：画出小信号等效电路如下：直流电源对地短路，电容直流电源对地短路，电容C1和和C2短路，并用简化小信号模型替代晶体管。短路，并用简化小信号模型替代晶体管。+ ii RL bib c b + rbe RC Rb1 vi vo ib ic _ _ Rb2 Re e Ri iR Ro ie Rs + vs Rb1 Rc T +VCC Re RL vo + vs vi + Rs + Rb2 C2 C1 vB vC 晶体管及其放大电路(7)课件（2） 放大电路的参数计算放大电路的参数计算+ ii RL bi c b + rbe RC Rb1 vi
41、vo ib ic _ _ Rb2 Re e Ri iR Ro ie Rs + vs ( 是晶体管基极是晶体管基极对对地的地的输输入入电电阻阻) 输入电阻输入电阻Ri的计算的计算: 晶体管及其放大电路(7)课件（2） 放大电路的参数计算放大电路的参数计算电压增益电压增益Av的计算的计算: 电压增益为电压增益为 增益表达中的负号表示输出电压与输入电压相位增益表达中的负号表示输出电压与输入电压相位相反相反。 + ii RL bib c b + rbe RC Rb1 vi vo ib ic _ _ Rb2 Re e Ri iR Ro ie Rs + vs 晶体管及其放大电路(7)课件（2） 放大电路的
42、参数计算放大电路的参数计算输出电阻输出电阻Ro的计算的计算: 令信号源电压为零令信号源电压为零 所以输出电阻为所以输出电阻为+ ii RL bi c b + rbe RC Rb1 vi vo ib ic _ _ Rb2 Re e Ri iR Ro ie Rs + vs + ii bi c b + rbe Rc Rb1 vi vt ib ic _ _ Rb2 Re e Ro ie Rs it 00)1 ()/(21=+bbbebbbbsiiriiRRRbRe晶体管及其放大电路(7)课件（3） 电压放大模型电压放大模型输出电压对信号源电压的增益为输出电压对信号源电压的增益为 Vi Vo + - -
43、 + ii ioRS VS RL Ro Ri AVOVi + + - - 晶体管及其放大电路(7)课件例例7.3 如图已知：晶体管是硅管，其如图已知：晶体管是硅管，其=50；VCC=12V，Rb1=40k，Rb2=20k，Rc=3k，Re=2k；C1= C1=10F；vs=sint=sin2000t，Rs=0.5k；RL=12k。试计算放大电路的增益、输入电阻和输出电阻；画出试计算放大电路的增益、输入电阻和输出电阻；画出vs、vB、vC和和vo的波形。的波形。解：解：(1)直流通路直流通路 （2）计算静态工作点和）计算静态工作点和rbe Rb1 Rc T +VCC Re RL vo + vs
44、vi + Rs + Rb2 C2 C1 vB vC Rb1 Rc T VB VC +VCC Re Rb2 I1 I2 IB VE IC 晶体管及其放大电路(7)课件（3）小信号等效电路）小信号等效电路 电容的容抗很小，对交流电流相当于短路。电容的容抗很小，对交流电流相当于短路。 （4）计算放大电路的增益、输入电阻和输出电阻）计算放大电路的增益、输入电阻和输出电阻 + ii RL bi c b + rbe RC Rb1 vi vo ib ic _ _ Rb2 Re e Ri iR Ro ie Rs + vs Rb1 Rc T +VCC Re RL vo + vs vi + Rs + Rb2 C2
45、 C1 vB vC 晶体管及其放大电路(7)课件（3）小信号等效电路）小信号等效电路 电容的容抗很小，对交流电流相当于短路。电容的容抗很小，对交流电流相当于短路。 （4）计算放大电路的增益、输入电阻和输出电阻）计算放大电路的增益、输入电阻和输出电阻 + ii RL bi c b + rbe RC Rb1 vi vo ib ic _ _ Rb2 Re e Ri iR Ro ie Rs + vs Rb1 Rc T +VCC Re RL vo + vs vi + Rs + Rb2 C2 C1 vB vC 晶体管及其放大电路(7)课件（5 5）画出画出vs、vB、vC和和vo的波形的波形图中虚线表示直
46、流分量，图中虚线表示直流分量，vo与与vs相位相反。由于电容的隔相位相反。由于电容的隔直作用，直作用，vo和和vs不包含直流分量。不包含直流分量。晶体管及其放大电路(7)课件例例7.4 7.4 共射极放大电路共射极放大电路如图所示。已知：晶体管是硅管，其如图所示。已知：晶体管是硅管，其=50=50；VCC=12V，Rb1=40k，Rb2=20k，Rc=3k，Re=2k，Rs=0.5k，RL=12k。假设电容足够大，。假设电容足够大，试计算放大电路的增益、输入电阻和试计算放大电路的增益、输入电阻和输出电阻。输出电阻。 + ii RL bi c b + rbe Rc Rb1 vi vo ib ic
47、 _ _ Rb2 e Ri iR Ro ie Rs + vs 。 Rb1 Rc T +VCC Re RL vo + vs vi + Rs + Rb2 C2 C1 Ce 解：根据例解：根据例7.3，晶体管及其放大电路(7)课件7.3.4 放大电路的大信号分析放大电路的大信号分析当输入信号幅度较大时，晶体管的电流和电压幅度当输入信号幅度较大时，晶体管的电流和电压幅度变化大，不能用静态工作点的切线表示它们之间的变化大，不能用静态工作点的切线表示它们之间的函数关系，故不能用小信号模型分析输入大信号情函数关系，故不能用小信号模型分析输入大信号情况下的放大电路，可采用况下的放大电路，可采用图解法图解法分析
48、之。分析之。 放大电路的大信号分析主要是确定放大电路的大信号分析主要是确定最大不失真输出最大不失真输出幅度和定性分析非线性失真。幅度和定性分析非线性失真。 1.输出交流负载线输出交流负载线 交流通路：交流通路：晶体管不能用小信号模型替换晶体管不能用小信号模型替换 。交流负载线方程：交流负载线方程：晶体管及其放大电路(7)课件2.晶体管的电压和电流波形晶体管的电压和电流波形 由交流通路：由交流通路：则则 交流负载线和晶体管电压电流波形交流负载线和晶体管电压电流波形: 交流负载线在横轴上的截距交流负载线在横轴上的截距晶体管及其放大电路(7)课件3.最大不失真输出幅度最大不失真输出幅度最大不失真输出
49、幅度为最大不失真输出幅度为: 最佳静态工作点最佳静态工作点Q（VCE，IC）应满足下式：应满足下式： 晶体管及其放大电路(7)课件4.非线性失真非线性失真(以以NPN型管为例型管为例)2 6 100 80 60 20 iB=0?A 1 2 4 0 iC /mA CEv/ V IB IC VCES VJ tw w 2 iC/mA 0 tw w 2 VCE4 交流负载线交流负载线 Q (a) 饱和失真饱和失真饱和失真：晶体管工作状态进入饱和区。饱和失真：晶体管工作状态进入饱和区。2 100 80 60 20 iB=0?A 1 2 4 0 iC /mA CEv/ V IB IC VCES VJ tw
50、 w 2 iC/mA 0 tw w 2 VCE4 交流负载线交流负载线 Q 6 (b) 截止失真截止失真截止失真：晶体管工作状态进入截止区。截止失真：晶体管工作状态进入截止区。 大信号失真：当输出电压同时出现截顶和截底大信号失真：当输出电压同时出现截顶和截底 晶体管及其放大电路(7)课件7.3.5 放大电路的组成原则放大电路的组成原则（1）适当的直流偏置电路，将有源元件偏置在放大区。对于）适当的直流偏置电路，将有源元件偏置在放大区。对于晶体管，偏置电路应晶体管，偏置电路应保证发射结正偏，集电结反偏保证发射结正偏，集电结反偏。 （2）适当的信号耦合电路，保证输入信号能作用于有源元件的）适当的信号
51、耦合电路，保证输入信号能作用于有源元件的输入回路，输入回路，在负载上能获得放大了的交流信号。在负载上能获得放大了的交流信号。（3）适当的静态工作点，保证有足够的最大不失真输出信号幅）适当的静态工作点，保证有足够的最大不失真输出信号幅度。度。 晶体管及其放大电路(7)课件7.4 共集电极和共基极放大电路共集电极和共基极放大电路7.4.1共集电极放大电路共集电极放大电路1静态分析静态分析 直流通路：直流通路：VCC静态工作点静态工作点: 晶体管及其放大电路(7)课件2动态分析动态分析 7.4.1共集电极放大电路共集电极放大电路小信号等效电路：小信号等效电路：（1）输入电阻）输入电阻Ri所以，所以，
52、iiRi晶体管及其放大电路(7)课件（2 2）电压增益）电压增益Av和电流增益和电流增益Ai电压增益为：电压增益为：通常，通常， 故共集电极放大电路的电压增益约故共集电极放大电路的电压增益约小于小于1，且，且输出电压与输输出电压与输入电压相位相同入电压相位相同，跟随输入电压变化。因此，共集电极放大，跟随输入电压变化。因此，共集电极放大电路又称为电路又称为射极跟随器射极跟随器。 电流增益为电流增益为 晶体管及其放大电路(7)课件（3 3）输出电阻）输出电阻R Ro o式中：式中：晶体管及其放大电路(7)课件7.4.2 共基极放大电路共基极放大电路1.静态分析静态分析直流通路直流通路 静态工作点：
53、静态工作点： 晶体管及其放大电路(7)课件 2动态分析动态分析 7.4.2 共基极放大电路共基极放大电路小信号等效电路：小信号等效电路： （1）输入电阻）输入电阻Ri:所以，所以， 晶体管及其放大电路(7)课件（2 2）电压增益）电压增益Av 2动态分析动态分析 式中式中 , 共基极放大电路的输出电压与输入电压共基极放大电路的输出电压与输入电压相位相同相位相同，放大能力，放大能力与共射极放大电路相当。与共射极放大电路相当。 晶体管及其放大电路(7)课件（3 3）输出电阻）输出电阻Ro 2动态分析动态分析 所以，例7.6 晶体管及其放大电路(7)课件7.4.3 晶体管三种放大电路的比较晶体管三种
54、放大电路的比较1.三种放大电路的判别三种放大电路的判别 看放大电路中输入信号加在晶体管的哪个极，输出信号取看放大电路中输入信号加在晶体管的哪个极，输出信号取自晶体管的哪个极。自晶体管的哪个极。 共射极放大电路电路中，输入信号加在晶体管的基极，输共射极放大电路电路中，输入信号加在晶体管的基极，输出信号取自集电极；出信号取自集电极； 共集电极放大电路中，输入信号加在晶体管的基极，输出共集电极放大电路中，输入信号加在晶体管的基极，输出信号取自发射极；信号取自发射极； 共基极放大电路中，输入信号加在晶体管的发射极，输出共基极放大电路中，输入信号加在晶体管的发射极，输出信号取自集电极。信号取自集电极。
55、因此，未与输入信号和输出信号相连的电极既是公共因此，未与输入信号和输出信号相连的电极既是公共电极。电极。 晶体管及其放大电路(7)课件2.共射、共基、共集电路比较共射、共基、共集电路比较 (3) 共基极放大电路共基极放大电路只能放大电压不能放大电流只能放大电压不能放大电流，且具有，且具有很低很低的输的输入电阻入电阻，这使得晶体管的结电容影响不明显，所以其，这使得晶体管的结电容影响不明显，所以其频率特频率特性性是三种接法中是三种接法中最好的最好的（见（见7.6节），常用于节），常用于宽频带放大电路宽频带放大电路。 (1) 共射极放大电路共射极放大电路既能放大电压又能放大电流既能放大电压又能放大电
56、流， 输入电阻输入电阻和和输出电阻输出电阻在三种组态中在三种组态中居中居中，频带较窄频带较窄，常用作低频电压放大，常用作低频电压放大电路中的单元电路。电路中的单元电路。 (2) 共集电极放大电路共集电极放大电路只能放大电流不能放大电压只能放大电流不能放大电压，电压放大电压放大倍数小于且接近于倍数小于且接近于1，具有电压跟随的特点，其，具有电压跟随的特点，其输入电阻大，输出输入电阻大，输出电阻小电阻小，常被用于多级放大电路的输入级和输出级，或作为隔离，常被用于多级放大电路的输入级和输出级，或作为隔离用的中间级。用的中间级。 晶体管及其放大电路(7)课件放大电路三种基本组态的比较表放大电路三种基本
57、组态的比较表 晶体管及其放大电路(7)课件7.5组合放大电路组合放大电路7.5.1 共集共集-共基组合放大电路共基组合放大电路1.静态分析静态分析晶体管及其放大电路(7)课件2.动态分析动态分析7.5.1 共集共集-共基组合放大电路共基组合放大电路交流通路：交流通路：小信号等效电路：小信号等效电路：（1）（2）晶体管及其放大电路(7)课件2.动态分析动态分析7.5.1 共集共集-共基组合放大电路共基组合放大电路由共集电路增益表达式（由共集电路增益表达式（7.4.3a）和共基电路增益表达式（）和共基电路增益表达式（7.4.6），得），得设设1=2=，则，则电压增益：电压增益：式中：式中：晶体管及
58、其放大电路(7)课件2.动态分析动态分析7.5.1 共集共集-共基组合放大电路共基组合放大电路输入电阻输入电阻Ri： 输入电阻等于第一级放大电路的输入电阻 设1=2=，则输出电阻等于第二级放大电路的输出电阻，即 晶体管及其放大电路(7)课件7.5.2 共集共集-共集组合放大电路共集组合放大电路复合管（也称为达林顿管）复合管（也称为达林顿管） 1四种复合管四种复合管 (a) NPN+NPNNPN（第（第1个元件）个元件） (b) PNP+PNPPNP（第（第1个元件）个元件） 晶体管及其放大电路(7)课件1四种复合管四种复合管 (c) NPN+PNPNPN（第（第1个元件）个元件） (d) PN
59、P+NPNPNP（第（第1个元件）个元件） 等效晶体管的类型是第等效晶体管的类型是第1个元件的类型。个元件的类型。 （1）复合管的组成原则）复合管的组成原则第第1个元件的集电极电流或射极电流作第个元件的集电极电流或射极电流作第2个元件的基极电流，个元件的基极电流，真实电流方向一致。真实电流方向一致。晶体管组成复合管时，应遵守下述两条原则：晶体管组成复合管时，应遵守下述两条原则：在正确的外加电压下，每只晶体管均工作在放大区。在正确的外加电压下，每只晶体管均工作在放大区。晶体管及其放大电路(7)课件（2）复合管的主要参数）复合管的主要参数电流放大系数电流放大系数(a) NPN+NPNNPN（第（第
60、1个元件）个元件） 以（以（a）图为例：）图为例：所以所以 复合管的电流放大系数近似等于每个管子的电流放大系数之乘积。复合管的电流放大系数近似等于每个管子的电流放大系数之乘积。 晶体管及其放大电路(7)课件（2）复合管的主要参数输入电阻输入电阻rbe(a)和(b)是由两只同类型的晶体管构成的复合管，其输入电阻为 (c)和(d)是两只不同类型的晶体管构成的复合管，其输入电阻为 晶体管及其放大电路(7)课件2共集共集放大电路的动态参数共集共集放大电路的动态参数T1和T2是NPN管，复合为一只NPN管，由前述分析，其电流放大系数为： 复合管构成的共集电极放复合管构成的共集电极放大电路的小信号等效电路
61、：大电路的小信号等效电路：晶体管及其放大电路(7)课件7.6放大电路的频率响应放大电路的频率响应 载流子通过发射射区、发射结、基区、集电结和集电区形成电流时，出现电荷积累效应，这种效应可用皮法（10-12F）级的极间电容模拟。 当信号频率过高或过低时，必须考虑晶体管极间电容或耦合电容的影响。 当频率低于数兆赫兹时，电容效应可忽略不计，晶体管的交流特性可用低频小信号模型模拟。 当频率足够高时当频率足够高时（具体频率值取决于耦合电容的大小），耦合电容耦合电容（以及旁路电容）对信号相当于短路。相当于短路。 晶体管及其放大电路(7)课件7.6.1 晶体管的高频小信号模型和频率参数晶体管的高频小信号模型
62、和频率参数1晶体管的高频小信号模型晶体管的高频小信号模型 晶体管工作过程中发生的物理现象可用右图的电路元件模拟。 rbb模拟从基极到发射结的基区体电阻（约为几十几百欧姆）； Cbe是发射结电容（约为10pF几百pF）；Cbc是集电结电容（约为几个pF）；rbe模拟发射结的正向导通电阻，re模拟发射区的体电阻(远小于rbe)； rbc模拟集电结的反向电阻（约为100k100M），rc模拟集电区的体电阻(远小于rbc)。晶体管及其放大电路(7)课件忽略re和rc，得到晶体管的高频小信号模型：受控源模拟发射结电压对集电极电流的控制作用， rce反映基区调制效应（大于100k）。 晶体管及其放大电路(
63、7)课件2 2混合混合形模型的简化形模型的简化 在高频小信号模型中，通常情况下，rce远大于c-e间所接的负载电阻，而rbc也远大于并联电容Cbc的容抗，因而可以将rce、rbc视为开路，得到简化的混合形模型。混合混合形模型形模型简化的混合简化的混合形模型形模型晶体管及其放大电路(7)课件混合模型的单向化处理：简化的混合简化的混合形模型形模型 因C跨接在输入回路与输出回路之间，对求解不便，可用密勒定理可用密勒定理进行通过单向化处理。单向化后的混合单向化后的混合模型模型 电容C通过的电流等于通过C流出节点b的电流， 电容C通过的电流等于通过C流出节点c的电流。C和C称为密勒电容密勒电容。晶体管及
64、其放大电路(7)课件简化的混合简化的混合形模型形模型 设C的容抗为X=1/C，C的容抗为X=1/C。单向化后的混合单向化后的混合模型模型在简化的混合形模型中， 在单向化后的混合模型中， 所以， 晶体管及其放大电路(7)课件单向化后的混合单向化后的混合模型模型 显然，密勒电容C越大，电路的高频特性越差。考虑C对放大电路频率特性的最坏影响，Av取放大电路中频增益的绝对值（最大增益），于是同理，可以得到 由上两式可以看出， 且 的容抗一般要远大于与其并联的负载的阻抗，故的作用可以忽略不计。化简化简图中 晶体管及其放大电路(7)课件3混合混合形模型参数与形模型参数与h参数的关参数的关系系低频时，忽略C
65、、C 的影响，混合形模型简化为: 低频混合模型 h参数小信号模型 简化混合模型 等效等效所以， 晶体管及其放大电路(7)课件7.6.2 晶体管的频率参数晶体管的频率参数简化的混合模型 结电容结电容C C 和和C C会影响晶体管会影响晶体管的电流放大系数。的电流放大系数。在高频情况下， 若 的幅值不变，则随着信号频率的升高， b-e之间的阻抗将减小，使得电压 的幅值也减小， 同时相移也增大，从而引起集电极电流 的大小随 的下降而下降， 并产生与 相同的相移。 此可见，在信号的高频段，当信号频率变化时， 与 的关系也随之变化， 是频率的函数。 晶体管及其放大电路(7)课件计计算算电电流放大系数流放
66、大系数将c-e间交流短路（ )所以，通常 ,， 晶体管及其放大电路(7)课件考虑到 和 ，得 的幅频特性和相频特性表达式为 晶体管及其放大电路(7)课件由 的幅频特性和相频特性表达式： 可绘出的幅频特性和相频特性曲线： 是的3dB频率， 共射截止频率。 简称为fT是对应的频率，称为共射特征频率。 晶体管及其放大电路(7)课件利用与的关系，可以求出晶体管的共基极截止频率。是的3dB频率，简称为共基截止频率。共基极放大电路的通频带比共射放大电路宽，常作为宽频带放大电路 +=+=+=+=+=+=baabbbbbbaabbbbbbbaffffffffff)1 (1j1)1 (j11j11j110000
67、000000&晶体管及其放大电路(7)课件7.6.3 共射极放大电路的频率响应共射极放大电路的频率响应 在分析放大电路的频率响应时，一般将信号的频率范围分为高频、中频和低频三个频段。 而晶体管的极间电容远比耦合电容（或旁路电容）小，约相差106量级。 中频段中频段，极间电容因容抗很大而视为开路，耦合电容（或旁路电容）因容抗较小而视为短路； 高频段，高频段，耦合电容（或旁路电容）同样视为短路，主要考虑极间电容的影响； 低频段，低频段，极间电容因容抗比中频段更大而视为开路，主要考虑耦合电容（或旁路电容）的影响。 晶体管及其放大电路(7)课件共射放大电路和全频段小信号等效电路： 共射放大电路： 全频
68、段小信号等效电路： 1中频电压增益中频电压增益 在输入中频电压信在输入中频电压信号作用下，号作用下，极间电容因极间电容因容抗很大而视为开路容抗很大而视为开路，中频段小信号等效电路 耦合电容（或旁路电耦合电容（或旁路电容）容）C1、C2和和Ce因容抗因容抗较小而视为短路较小而视为短路。 晶体管及其放大电路(7)课件上式中，则中频电压增益： 令 ，则中频电压增益与用h参数小信号等效电路的分析结果一致 。晶体管及其放大电路(7)课件2高频电压增益高频电压增益 在输入高频电压信号作用下，耦合电容C1、C2、Ce因容抗小而视为短路；主要考虑晶体管的极间电容的对放大电路性能的影响。 共射放大电路高频段小信
69、号等效电路：共射放大电路高频段小信号等效电路： 共射放大电路：共射放大电路： 戴维南等效电路 晶体管及其放大电路(7)课件共射放大电路高频段小信号等效电路：共射放大电路高频段小信号等效电路： 戴维南等效电路戴维南等效电路 ：由戴维南等效电路图由戴维南等效电路图 ：式中，。 晶体管及其放大电路(7)课件则高频电压增： 由上式可知，为了改善放大电路的高频特性，应该减小b-e之间的等效电容 和输入回路电阻R。 晶体管及其放大电路(7)课件3低频电压增益低频电压增益共射放大电路：共射放大电路： 完全等效电路： 在输入低频电压信号作用下，极间电容因容抗大而视为开路，主要考虑耦合电容和旁路电容C1、C2、
70、Ce对放大电路性能的影响。 晶体管及其放大电路(7)课件 由完全等效图直接来求低频电压增益表达式会比较麻烦，因此，需要作一些合理的近似。 完全等效电路： 完全等效电路的化简：完全等效电路的化简：假设由Rb(=Rb1/Rb2)远大于放大电路的输入阻抗，即再假设Ce的值足够大，以至于在低频范围内，它的容抗足够小，远小于Re的值，因此可以忽略Re的影响，晶体管及其放大电路(7)课件式中， 晶体管及其放大电路(7)课件晶体管及其放大电路(7)课件令： 则低频电压增益表达为： 有fL1和fL2两个转折频率。如果这两个转折频率的比值在四倍如果这两个转折频率的比值在四倍以上，通常取大的那个作为放大电路的下限
71、频率以上，通常取大的那个作为放大电路的下限频率fL。晶体管及其放大电路(7)课件4共射放大电路的全频域响应共射放大电路的全频域响应综合成一个表达式: 全频域响应 的对数幅频特性和相频特性的表达式为: 晶体管及其放大电路(7)课件当ffL时，是频率响应的低频区，当fLffH时，是频率响应的高频区，共射极放大电路的全频响应波特图: 由图看出，放大电路在中频区增益最大。 晶体管及其放大电路(7)课件5增益带宽积增益带宽积对于大多数放大电路，fH fL，故通频带宽BW为增大通频带宽必须减小 ,但是，中频电压增益与 成正比 提高增益必须增大 ，增益和带宽2者对 的要求矛盾， 不可兼得，只能根据实际要求进
72、行折中。 晶体管及其放大电路(7)课件例7.7 在下图所示的共射极放大电路中，已知VCC=12V，Rs=1K，Rb1=100 K，Rb2=16 K，Re=1K，Rc= RL =5K；晶体管是硅管，rbb=100，0100，fT=400MHz，Cob=0.5pF，C1=20uF，C2=1uF，Ce=50uF，试计算该电路的中频电压增益及上限频率和下限频率。解：（1）静态分析 晶体管及其放大电路(7)课件（2）求解混合模型中的参数 晶体管及其放大电路(7)课件（3）求解中频电压增益得中频源电压增益： 晶体管及其放大电路(7)课件（4）求解fH和fL 与 的比值大于4，因此取下限频率取 。晶体管及其
73、放大电路(7)课件*7.6.4 共集电极放大电路的频率响应共集电极放大电路的频率响应由于受密勒效应的影响，共射极放大电路的通频带宽较窄。 为了增加带宽，就必须减小或消除密勒效应。 共集电极放大电路和共基极放大电路能满足这样的要求。 由于通频带宽主要取决于上限频率，所以在共集电极放大电路和共基极放大电路的频率分析中，只介绍高频响应。 共集放大电路 共集放大电路的高频小信号等效电路 晶体管及其放大电路(7)课件C只接在输入回路中，所以不会产生密勒效应。 电阻和电容是跨接在输入端和输出端之间的，因而会产生密勒效应。 但是，因为共集电极放大电路的电压增益近似为1，即密勒效应很小。 因此，共集电极放大电
74、路的高频响应特性也较好，上限截止频率高。 晶体管及其放大电路(7)课件基极偏置电阻Rb远大于放大电路的输入电阻Ri，忽略基极偏置电阻Rb的分流作用，则晶体管及其放大电路(7)课件所以，高频电压增益为 令：晶体管及其放大电路(7)课件则：例7.8 在下图所示的共集电极放大电路中，已知VCC =12V，Rb=300k，Re =RL=2k，Rs=1k；晶体管是硅管，rbb=100，0100，fT=400MHz，Cob=0.5pF，C1=20uF，C2=1uF，Ce=50uF，试计算该电路的中频电压增益和上限频率。解：（1）静态分析晶体管及其放大电路(7)课件（2）求解混合模型中的参数 晶体管及其放大
75、电路(7)课件（3）求解中频电压增益得中频源电压增益： 晶体管及其放大电路(7)课件（4）计算上限频率和零点频率 小者作为上限频率，即 。对比例7.7可知，虽然晶体管参数相同，但共集电极放大电路的高频响应比共射极放大电路（上限频率为2.1MHz）好得多。晶体管及其放大电路(7)课件*7.6.5 共基极放大电路的频率响应共基极放大电路的频率响应高频小信号等效电路: 由于rbb很小，并且在很宽的频率范围内 、 比 小的多， 故rbb上的电压近似为0， 节点b交流接地。简化高频小信号等效电路 晶体管及其放大电路(7)课件简化高频小信号等效电路 则高频电压增益为：晶体管及其放大电路(7)课件令则再令则
76、晶体管及其放大电路(7)课件由式 因为 很小， 所以上限截止fH1很高；由式 可知，由于很小，所以fH2也很高。 因此，共基极放大电路具有很高的上限截止频率，即具有很宽的通频带宽。 晶体管及其放大电路(7)课件例7.9 在下图所示的共基极放大电路中，已知VCC=12V，Rs=1K，Rb1=100 K，Rb2=16 K，Re=1K，Rc= RL =5K；晶体管是硅管，rbb=100，0100，fT=400MHz，Cob=0.5pF，试计算该电路的中频增益和上限频率。解：（1）静态分析晶体管及其放大电路(7)课件作业7.1, 7.11，7.13，7.14 7.15, 7.16, 7.18, 7.20, 7.21, 7.24, 7.26晶体管及其放大电路(7)课件
