《有关1、JFET基本工作原理1)JFET基本结构课件》由会员分享，可在线阅读，更多相关《有关1、JFET基本工作原理1)JFET基本结构课件（17页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、1、 JFET的基本工作原理的基本工作原理1）JFET的基本结构的基本结构源极源极栅极栅极漏极漏极N沟沟道道增增强强型型耗耗尽尽型型P沟沟道道增增强强型型耗耗尽尽型型结构示意图结构示意图4-8结型场效应晶体管（结型场效应晶体管（JFET)SGGDP+N沟道沟道基本结构图基本结构图2 2）JFETJFET的基本工作原理的基本工作原理平衡态沟道电阻：平衡态沟道电阻：V VDSDSI IDSDSS SL L2a2aD DG GG Gn nP P+ +P P+ +A AV VGSGS=0=0V VGSGS00时，漏端时，漏端n区电位的升区电位的升高使该处高使该处p-n结实际承受的反向电压增大，结实际承
2、受的反向电压增大，所以实测的所以实测的BVGS值还与值还与VDS有关。有关。 漏源击穿电压漏源击穿电压BVDS表表示示在在沟沟道道夹夹断断条条件件下下，漏漏源源间间所所能能承承受受的最大电压。的最大电压。在在JFETJFET中中，无无论论是是V VGSGS，还还是是V VDSDS，对对于于栅栅结结都都是是反反向向偏偏压压，二二者者叠叠加加的的结结果果是是漏漏端端侧栅结上所加的反向偏压最大。侧栅结上所加的反向偏压最大。2） JFET的交流小信号参数的交流小信号参数跨导跨导gm跨跨导导定定义义为为漏漏源源电电压压V VDSDS一一定定时时，漏漏极极电电流流的微分增量与栅极电压的微分增量之比的微分增
3、量与栅极电压的微分增量之比. . 非饱和区跨导：非饱和区跨导：VDSIDSVGS=0VGS0饱和区跨导：饱和区跨导：饱和区跨导随栅压饱和区跨导随栅压幅度幅度减小而增大，当减小而增大，当VGS=Vbi时达到最大值时达到最大值G0。跨导的单位是西门子跨导的单位是西门子S(1SS(1S1A/V)1A/V)。器器件件的的跨跨导导与与沟沟道道的的宽宽长长比比Z/LZ/L成成正正比比，所所以以在在设设计计器器件件时时通通常常都是依靠调节沟道的宽长比来达到所需要的跨导值。都是依靠调节沟道的宽长比来达到所需要的跨导值。由由于于存存在在着着沟沟道道长长度度调调制制效效应应，要要得得到到好好的的饱饱和和特特性性，
4、L L就就不不能能无限制地减小，一般控制无限制地减小，一般控制L L为为5 5至至1010m mm m左右。左右。为为了了增增大大器器件件的的跨跨导导，往往往往采采用用多多个个单单元元器器件件并并联联的的办办法法来来扩扩大沟道宽度。大沟道宽度。对对于于同同一一个个器器件件而而言言，跨跨导导随随栅栅电电压压V VGSGS和和漏漏电电压压V VDSDS而而变变化化，当当V VGSGS=0=0，V VDSDS= =V VDsatDsat时，跨导达最大值。时，跨导达最大值。 P-SiP-SiN-外延层P+扩散N型岛P+P+P+栅区扩散N+源漏扩散氧化层N型岛栅电极漏电极源电极大跨导JFET图形结构(多沟道并联）漏极电导gD表示漏极电流随漏源电压的变化关系。表示漏极电流随漏源电压的变化关系。定义为：定义为：
