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1、1 / 7 “ 微纳电子技术 ” 2008 年第三期专家论坛125- 纳 M磁多层结构中电流驱动自旋波发射纳 M 器件与技术131- 基于 Pspice 的 RTD 等效模型及其应用电路研究136- 双色量子阱红外探测器中的耦合光栅140- 基于 SWB 环境下的 nm 级 NMOS 虚拟优化纳 M 材料与结构145- 纳 MTiO2光催化剂的改性及应用研究进展153- GaN 基材料及其外延生长技术研究MEMS 器件与技术158- 高场非对称波形离子迁移谱仪的初步研究162- 仿壁虎微 M 阵列的加工及其粘附作用分析166- 直流电渗流在微通道内的控制与仿真研究显微、测量、微细加工技术与设备
2、170- SU 8 胶微结构的显影技术研究174- 三维金属 MEMS 器件电化学制造技术微电子器件与技术179- Cu 金属化系统双扩散阻挡层的研究精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页，共 7 页2 / 7 专家论坛125- 纳 M磁多层结构中电流驱动自旋波发射陈培毅，胡九宁，任敏，张磊，邓宁清华大学微电子学研究所，北京100084）摘要： 回顾了纳 M 磁多层结构中电流感应自旋矩传输和电流驱动磁化矢量进动引起的自旋波发射等新量子效应的研究现状及发展。基于该效应的纳M 磁多层微波振荡器件具有结构简单、无须外加磁场、容易集成等特点
3、，在现代通信领域具有广阔的应用前景，备受国内外研究者的关注。介绍了自旋波发射效应的理论处理方法和实验研究进展，讨论了自旋波发射器件的工作原理和铁磁膜的磁化方向、外磁场方向、大小及驱动电流对器件性能的影响。目前研制的器件的效率较低、振荡功率小，采用新的垂直磁化结构有助于解决上述问题。关键词： 自旋波发射；自旋矩传输；巨磁阻；电流驱动；纳M 磁多层结构纳 M 器件与技术131- 基于 Pspice 的 RTD 等效模型及其应用电路研究杨倩，任勇峰，沈三民中北大学电子测试技术国家重点实验室，太原030051）摘要： 简要介绍了RTD 摘要： 在量子阱红外探测器QWIP ）上制备光栅的目的是对垂直入射
4、的红外辐射进行有效耦合。从实验、测试和有关文献出发，探讨了影响其耦合效率的参数及参数的优化值。重点分析了双色QWIP的光栅设计问题，并从提高双色量子阱红外探测器光栅耦合效率和响应均匀性出发，介绍了一种新型交叉组合二维双周期结构光栅的设计方法；以一种具体AlGaAs/GaAs 双色量子阱红外探测器为例，模拟了对应的交叉组合二维双周期结构光栅的几何参数和耦合强度，并与传统的二维双周期光栅结果对比，显示了新型双周期结构光栅在提高光耦合强度方面的优越性。关键词： 量子阱红外探测器；耦合效率；光栅设计；双色；双周期140- 基于 SWB 环境下的 nm 级 NMOS 虚拟优化吴胜龙，刘岩，赵守磊，李惠军
5、，于英霞，张宪敏山东大学孟堯微电子研发中心，济南250100）摘要： 介绍了 Synopsys Inc.推出的新一代 第五代） nm 级 TCAD仿真平台 -Sentaurus WorkbenchSWB ）的系统结构、基本功能及其优化功能，重点介绍了SWB 的 DOE 及 RSM 优化机制。基于SWB 环境实现了nm 级 NMOS 集成化管芯的可制造性设计及优化。在对NMOS 集成化管芯的设计过程中，围绕Vt进行了可制造性设计，利用 DOE 实验方法和 RSM 对 Vt进行了优化，得到了阈值电压Vt）和调阈值注入剂量Vt_Dose ）、能量 Vt_Energy ）及抑制穿通注入剂量PNCH_D
6、ose ）、能量 PNCH_Energy ）之间的RSM 响应表面关系。在此基础上，分析了Vt各影响因素与Vt之间的关系，从而指导了在Vt的设计过程中各个主要影响参数的选取。关键词： 纳 M 层次；可制造性设计；虚拟工厂；工艺优化；集成电路纳 M 材料与结构精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页，共 7 页4 / 7 145- 纳 MTiO2光催化剂的改性及应用研究进展曹沛森1，许璞2，王玉宝2，乔青安2，毛伟鹏2，唐荣2，高善民21. 潍坊职业学院化学工程系，山东潍坊261031；2.鲁东大学 化学与材料科学学院，山东烟台2640
7、25）摘要： 对纳 MTiO2的光催化反应机理及制备方法做了简要阐述，重点介绍了目前在纳MTiO2掺杂改性方面，尤其是非金属掺杂和共掺杂改性方面的研究进展。氮掺杂的TiO2是新发现的具有可见光催化活性的复合光催化剂，非金属掺杂可以使复合物的禁带宽度小于纯TiO2的禁带宽度，从而使TiO2的吸收边向可见光方向移动。对TiO2的 N、C、S、P、卤素掺杂以及共掺杂的国内外研究现状进行了评述，分析了提高TiO2可见光催化活性的原因。对纳MTiO2光催化应用领域进行简单介绍，最后提出了在TiO2光催化剂研究中期待解决的问题及今后的发展方向。关键词： 二氧化钛；纳 M；光催化剂；掺杂；改性153- Ga
8、N 基材料及其外延生长技术研究刘一兵1，2，黄新民1，2，刘国华1，21. 湖南大学电气与信息工程学院，长沙410082；2. 邵阳职业技术学院机电工程系，湖南邵阳422000）摘要： 介绍了GaN 基材料的基本特性、三种主要外延生长技术MOCVD 、MBE 、HVPE ）、衬底材料的选择及缓冲层技术；分析得出目前存在的GaN 体单晶技术不完善、外延成本高、衬底缺陷及接触电阻大等主要问题制约了研究的进一步发展；指出今后的研究重点是完善GaN 体单晶材料的生长工艺，以利于深入研究GaN 的物理特性及有效地解决衬底问题，研究缓冲层的材料、厚度、组分等以提高 GaN 薄膜质量。关键词： 氮化镓；金属
9、有机物化学气相淀积；分子束外延；氢化物气相外延；缓冲层MEMS 器件与技术158- 高场非对称波形离子迁移谱仪的初步研究王志刚，熊继军，张文栋精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页，共 7 页5 / 7 中北大学电子测试技术国家重点实验室，太原030051）摘要： 介绍了一种基于高场非对称波形离子迁移谱技术的生化检测方法，它根据各种离子在高电场中迁移率变化不同的特性实现对各种生化物质进行检测。经过理论计算，分析了高场非对称波形离子迁移谱仪的基本原理，推导出补偿电压与非对称波形射频电压之间的关系式。但是，迁移率有效系数是一个与离子自身
10、的性质、电场强度、温度、浓度、气压等有关的量，从理论上无法直接计算它的值。通过实验研究，发现补偿电压与非对称波形电压成线性关系。这有助于进一步认识离子在高场非对称波形离子迁移谱仪中的运动特性，同时也为提高它的性能提供了依据。关键词： 高场非对称波形离子迁移谱；微电子机械系统；补偿电压；分辨率；灵敏度162- 仿壁虎微 M 阵列的加工及其粘附作用分析王辉静 摘要： 双电层是电渗流形成的关键因素，通过分析双电层的产生过程，解释了电渗流的形成机制，探讨了与直流电渗流形成相关的Poisson-Boltzmann方程、 Laplace 方程及 Navier-Stokes 三个基本精选学习资料 - - -
11、 - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页，共 7 页6 / 7 控制方程，并建立了与之相关的数学模型。通过对各控制方程边界条件的分析及合理简化，分别对zeta 电势、外加垂直电场电势进行了求解和仿真，并且对zeta 电势、外加垂直电场电势进行耦合求解，得到了直流电渗流在微通道内的流速表达式，并分析了微流体的特性参数、 zeta 电势、外加垂直电场电势对电渗流流速的影响，结果显示通过增加zeta 电势可以有效降低微通道两端施加的垂直电场电压。关键词： 双电层； zeta 电势；微流控；电渗流；仿真研究显微、测量、微细加工技术与设备170- SU 8 胶微结构的
12、显影技术研究郑晓虎1， 2(1淮阴工学院机械工程系，江苏淮安223003；2南京航空航天大学机电学院，南京210016 摘要： 突破了传统深宽比概念，提出金属基底上基于图形特征的光刻胶显影技术，对采用SU8 胶加工高分辨率和高深宽比微结构的显影工艺进行了讨论，分析了120340 m 厚具有不同图形特征的SU8 胶显影规律，认为在同样条件下，凸型图形显影效果优于凹型非连通性图形；曲线型显影效果优于直线型图形与点状图形；圆弧连接的图形显影效果优于尖角型图形。显影时辅助适当功率的超声搅拌显著改善图形质量，凸型结构最佳超声功率小于10 W ；凹型结构超声功率为15 W 左右；深宽比为57 的凸型胶膜结
13、构适宜显影时间为 10 min 以内,凹型结构显影时间达25 min 。关键词： SU8 胶；紫外；显影；微结构；图形特征174- 三维金属 MEMS 器件电化学制造技术王晓霞(成都航空职业技术学院，成都610021 摘要： EFAB 技术是微加工领域一项重大的突破，开辟了MEMS 金属器件加工的新天地，与其他微加工技术相比，EFAB 技术的主要优点是：可实现MEMS 中复杂三维金属微结构器件快速、自动化、批量制造。基于快速原型思想，EFAB 利用实时掩模技术将金属材料层层叠加起来，可以加工任意形状的金属三维微结构。介绍了精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - -
14、- - - - -第 6 页，共 7 页7 / 7 EFAB 技术原理，并对其加工设备、分层技术、实时掩模、过程监控等关键技术进行了剖析，最后给出了应用实例。关键词： 电化学制造技术；微机电系统；实时掩模；三维微结构；分层技术微电子器件与技术179- Cu 金属化系统双扩散阻挡层的研究王晓冬 1，吉 元 2a，钟涛兴 2a ，李志国 2b，夏洋3，刘丹敏 2a，肖卫强 2a ( 1. 中国人民武装警察部队学院基础部，河北廊坊065000；2. 北京工业大学 a.固体微结构与性能研究所；b.电子信息与控制工程学院，北京100022；3. 中国科学院微电子中心，北京100029 摘要： 采用二次离
15、子质谱仪 (SIMS 测试了 SiON 和 Ta 双层扩散阻挡层及 Ta 扩散阻挡层的阻挡性能；采用X 射线衍射仪 (XRD 测量了沉积态有 Ta 阻挡层和无阻挡层Cu 膜的晶体学取向结构；利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu 膜的应力分布状况。测试结果表明，双阻挡层中Ta 黏附层有效地将Cu 附着于 Si 基片上，并对 Cu 具有一定的阻挡效果，而SiON 层则有效地阻止了Cu向 SiO2中的扩散。与Ta 阻挡层相比，双阻挡层具有较好阻挡性能。有 Ta 阻挡层的 Cu 膜的111织构明显强于无阻挡层的Cu 膜。离子注氮后，薄膜样品应力平均值为206 MPa；而电镀 Cu 膜后，样品应力平均值为 -661.7 MPa 。关键词： Cu 互连；氮氧化硅；钽；扩散阻挡层；二次离子质谱仪；X 射线衍射仪精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 7 页，共 7 页
