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1、干刻工艺介绍 Array-DRY 2015/7/20干蚀刻原理12干蚀刻模式3干蚀刻工艺参数4干蚀刻反应方式干蚀刻评价项目6镀膜(PVD、CVD)上光阻(Coater)光罩 曝光(Exposure)去光阻液(Stripper)去光阻蚀刻 (Dry、Wet)酸气体镀下一层膜显影(Developer)显影液清洗 非金属层非金属层GIESPAS1/PAS2SiO2SiNxO2 He Ar +CF4 Cl2 BCl3SiF4气体，易于抽走干蚀刻：将特定气体置于低压状态下施以电压，将其激发成Plasma，对特定膜层加以化学性蚀刻和离子轰击，达到去除膜层的一种蚀刻方式；干蚀刻原理Plasma基板光阻 薄膜
2、光阻光阻去掉不想要的薄膜 留下想要的化学反应-等向性刻蚀物理反应-异向性刻蚀SiF4PlasmaPlasmaF*SiF4F*干蚀刻反应方式干蚀刻模式plasmaF*F*F*plasmaCF2+ F*plasma CF2+ F*plasmaCF2+ F*RIE modeECCP modePE modeICP modePlasma EtchingReactive Ion EtchingEnhanced Capacitive coupled PlasmaInductively Coupled Plasma7技术知识工艺工艺参数参数温度温度压力压力RFRFpowerpower过刻过刻时间时间蚀刻蚀刻时
3、间时间气体气体流量流量干蚀刻工艺参数8技术知识评价项目ER/U%Taper角形态下层膜膜厚下层膜电性Resist残渣信赖性Contact寸法干蚀刻评价项目选取13个点，测量段差，计算刻蚀率与均一性 刻蚀率与均一性刻蚀率：刻蚀某层膜的速率，即平均刻蚀膜厚/刻蚀时间，（ERmax ERmin）/2/刻蚀时间（/min）均一性均一性：ERmaxERmin/ERmax ERmin表示1枚panel内若干点之间ER的偏差10技术知识选择比：ER上/ER下被etching的膜和下层膜的ER的比例。SiO/IGZO SiO/IGZO 7 7SiO/SiO/金属金属 7 7SiN/ITO SiN/ITO 7
4、7 下层膜膜厚 Taper角 Taper是指蚀刻后的断面倾斜度，是蚀刻制程中相当重要的要求，与后续沉积的薄膜覆盖性有相当密切的关系。80 下层膜电性金属阻抗半导体特性VIVglVthVghVgl: 所有TFT全部关闭的Gate电压（一般设为-12.7V）。Vgh: 所有TFT全部打开并稳定的Gate电压（一般设为27V）Vth: 阈值电压，即能使TFT半导体导电的最小Gate电压.TFT特性曲线 一般分为单边（Single side）和双边（Both side）CD lossBoth side CD loss=DICD-FICDSingle side CD loss=(DICD-FICD)/2CD lossFICDDICD Resist残渣 plasma不能改变光刻胶特性。 信赖性 老化试验之后，阈值电压需大于Vgl。 Contact 寸法
