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1、学习情景学习情景2 实用功放电路的组装实用功放电路的组装与调试与调试学习情景学习情景2 实用功放电路的组装与调试实用功放电路的组装与调试【学习目标学习目标】技能目标技能目标 1.会常用晶体三极管的识别与检测; 2.会三极管电压放大器的组装与调试; 3.会扩音机的电路组装与调试。知识目标知识目标 1.了解散极管的种类、特性,掌握常用三极管的识 别、检测与选用; 2.了解三极管放大电路的种类、特点计算与分析; 3.掌握三极管扩音机的电路组装与调试方法。任务任务2.1 三极管的识别、检测与选用三极管的识别、检测与选用【任务描述任务描述】 三极管是电子电路最基本、最常用的半导体器件。掌握三极管的放大原
2、理,掌握三极管的识别、特性、测试方法以及参数选用是电子工程技术人员的基本技能。【任务分析任务分析】 1.会识别、检测各种常用三极管; 2.会用万用表检测各种常用三极管。 3.了解三极管的种类、特性、参数和电路符号; 4.掌握三极管的电流放大机理; 5.掌握用万用表测试三极管管脚、类型的方法; 6.掌握三极管材料测试方法。N NN NP P1.1.1. 双极型三极管的基本结构和类型 双极型晶体管分有双极型晶体管分有NPN型和型和PNP型,虽然它们外形各异,品种繁型,虽然它们外形各异,品种繁多,但它们的共同特征相同:都有三个分区、两个多,但它们的共同特征相同:都有三个分区、两个PN结和三个向外引结
3、和三个向外引出的电极:出的电极:发射极发射极e发射结发射结集电结集电结基区基区发射区发射区集电区集电区集电极集电极c基极基极bNPNNPN型型型型PNPPNP型型型型P PP PN N 根据制造工艺和材料的不同,三极管分有双极型和单极型两种类型。若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同时参与导电,就是所谓的双极型。如果只有一种载流子参与导电,即为单极型。NPN型三极管图符号型三极管图符号大功率低频三极管大功率低频三极管小功率高频三极管小功率高频三极管中功率低频三极管中功率低频三极管 目前国内生产的双极型硅晶体管多为NPN型(3D系列),锗晶体管多为PNP型(3A系列),按频率高低有高频管、低
4、频管之别;根据功率大小可分为大、中、小功率管。 e ec cb bPNP型三极管图符号型三极管图符号e ec cb b注意:注意:图中箭头方向为发射极电流的方向。1.1.2 三极管各极电流的形成与电流控制作用三极管各极电流的形成与电流控制作用晶体管芯结构剖面图晶体管芯结构剖面图e e发发发发射射射射极极极极集电区集电区集电区集电区N N基区基区基区基区P P发射区发射区发射区发射区N Nb b基基基基极极极极c c集集集集电电电电极极极极晶体管实现电流放大作用的内部结构条件内部结构条件(1)发射区掺杂浓度很高,以便有足够的载流子供“发射”。(2)为减少载流子在基区的复合机会,基区做得很薄,一般
5、为几个微米,且掺杂浓度较发射极低。(3)集电区体积较大,且为了顺利收集边缘载流子,掺杂浓度很低。 可见,双极型三极管并非是两个PN 结的简单组合,而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此,绝不能用两个二极管来代替,使用时也决不允许把发射极和集电极接反。晶体管实现电流放大作用的外部条件外部条件N NN NP PUBBRB(1)发射结必须“正向偏置”,以利于发射区电子的扩散,扩散电流即发射极电流ie,扩散电子的少数与基区空穴复合,形成基极电流ib,多数继续向集电结边缘扩散。UCCRC(2)集电结必须“反向偏置”,以利于收集扩散到集电结边缘的多数扩散电子,收集到集电区的电子形成集电极电流ic。IEICI
6、B 整个过程中,发射区向基区发射的电子数等于基区复合掉的电子与集电区收集的电子数之和,即: I IE E= =I IB B+ +I IC C1.1.3 三极管的共射输入、输出特性曲线三极管的共射输入、输出特性曲线 所谓特性曲线是指各极电压与电流之间的关系曲线,是三极管内部载流子运动的外部表现。从工程应用角度来看,外部特性更为重要。(1) 输入特性曲线以常用的共射极放大电路为例说明UCE=0VUBE /VIB / A0UCE =0VUBBUCCRC+ +RB令令UBB从从0开始增加开始增加IBIE=IBUBE令令UCC为为0UCE=0时的输时的输入特性曲线入特性曲线UCE为为0时时UCE =0.
7、5VUCE=0VUBE /VIB / A0UBBUCCRC+ +RBIBICUBE增大增大UCC让让UCE=0.5VUCE =1VUCE=0.5VUCE=0.5V的的特性曲线特性曲线继续增继续增大大UCC让让UCE=1V令令UBB重重新从新从0开开始增加始增加UCE=1VUCE=1V的的特性曲线特性曲线 继续增大UCC使UCE=1V以上的多个值,结果发现:之后的所有输入特性几乎都与UCE=1V的特性相同,曲线基本不再变化。 实用中三极管的UCE值一般都超过1V,所以其输入特性通常采用UCE=1V时的曲线。从特性曲线可看出,双极型三极管的输入特性与二极管的正向特性非常相似。UCE1V的的特性曲线
8、特性曲线(2) 输出特性曲线先把先把IB调到调到某一固定值某一固定值保持不变。保持不变。 当IB不变时,输出回路中的电流IC与管子输出端电压UCE之间的关系曲线称为输出特性。然后调节然后调节UCC使使UCE从从0增增大,观察毫安表中大,观察毫安表中IC的变的变化并记录下来。化并记录下来。UCEUBBUCCRC+ + +RBICIBUBEmA AIE 根据记录可给出IC随UCE变化的伏安特性曲线,此曲线就是晶体管的输出特性曲线。IBUCE / VIC /mA0UBBUCCRC+ + +RBICIBUBEmA AIE再调节再调节IB1至至另一稍小的另一稍小的固定值上保固定值上保持不变。持不变。仍然
9、调节仍然调节UCC使使UCE从从0增增大,继续观察毫安表中大,继续观察毫安表中IC的变化并记录下来。的变化并记录下来。UCE 根据电压、电流的记录值可绘出另一条IC随UCE变化的伏安特性曲线,此曲线较前面的稍低些。UCE / VIC /mA0IBIB1IB2IB3IB=0 如此不断重复上述过程,我们即可得到不同基极电流IB对应相应IC、UCE数值的一组输出特性曲线。输出曲线开始部分很输出曲线开始部分很陡,说明陡,说明IC随随UCE的增的增加而急剧增大。加而急剧增大。当当UCE增至一定数值时增至一定数值时(一般小于一般小于1V),输出特性曲线变得平坦,表明,输出特性曲线变得平坦,表明IC基基本上
10、不再随本上不再随UCE而变化。而变化。 当IB一定时,从发射区扩散到基区的电子数大致一定。当UCE超过1V以后,这些电子的绝大部分被拉入集电区而形成集电极电流IC 。之后即使UCE继续增大,集电极电流IC也不会再有明显的增加,具有恒流特性。UCE / VIC /mA020 AIB=040 A60 AIB=100 A80 A43211.52.3 当IB增大时,相应IC也增大,输出特性曲线上移, 且IC增大的幅度比对应IB大得多。这一点正是晶体管的电流放大作用。从输出特性曲线可求出三极管的电流放大系数。IB=40 A取任意再两条特性曲线上的平坦段,读出其基极电流之差;再读出这两条曲线对应的集电极电
11、流之差IC=1.3mA;IC于是我们可得到三极管的电流放大倍数: = = I IC C/ / I IB B=1.3=1.3 0.04=32.50.04=32.5UCE / VIC /mA020 AIB=040 A60 AIB=100 A80 A43211.52.3输出特性曲线上一般可分为三个区:饱和区饱和区。当。当发射结和发射结和集电结均为正向偏置集电结均为正向偏置时,三极管处于饱和时,三极管处于饱和状态。此时集电极电状态。此时集电极电流流IC与基极电流与基极电流IB之之间不再成比例关系,间不再成比例关系,IB的变化对的变化对IC的影响的影响很小。很小。截止区截止区。当基极电。当基极电流流IB
12、等于等于0时,晶体时,晶体管处于截止状态。管处于截止状态。实际上当发射结电实际上当发射结电压处在正向死区范压处在正向死区范围时,晶体管就已围时,晶体管就已经截止,为让其可经截止,为让其可靠截止,常使靠截止,常使UBE小于或等于零。小于或等于零。放放放放 大大大大 区区区区 晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,集电结反偏。在放大区,集电极电流与基极电流之间成倍的数量关系,即晶体管在放大区时具有电流放大作用。1.1.4. 双极型三极管的极限参数电流放大倍数 极限参数集电极最大允许电流ICMUCE / VIC /mA0IB=043211.52.3反向击穿电压U(BR)CEOcebUCCU(BR )
13、CEO基极开路基极开路 指基极开路时集电极与发射极间的反向击穿电压。使用中若超过使用中若超过此值此值, ,晶体管的晶体管的集电结就会出集电结就会出现现雪崩击穿雪崩击穿雪崩击穿雪崩击穿。值的大小反映了晶体管值的大小反映了晶体管的电流放大能力。的电流放大能力。ICICM时,晶体管不一定烧时,晶体管不一定烧损,但损,但值明显下降。值明显下降。集电极最大允许功耗PCM晶体管上的功晶体管上的功耗超过耗超过PCM,管,管子将损坏。子将损坏。安安 全全 区区 晶体管的发射极和集电极是晶体管的发射极和集电极是不能互换使用的。因为发射区的不能互换使用的。因为发射区的掺杂质浓度很高,集电区的掺杂掺杂质浓度很高,集
14、电区的掺杂质浓度较低,这样才使得发射极质浓度较低,这样才使得发射极电流等于基极电流和集电极电流电流等于基极电流和集电极电流之和,如果互换显然不行。之和,如果互换显然不行。晶体管的发射极晶体管的发射极和集电极能否互和集电极能否互换使用?为什么换使用?为什么? 晶体管在输出特性曲线的饱晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时,和区工作时,UCEUBE,集电结,集电结也处于正偏,这时内电场被大大也处于正偏,这时内电场被大大削弱,因此极不利于集电区收集削弱,因此极不利于集电区收集从发射区到达基区的电子,这种从发射区到达基区的电子,这种情况下,集电极电流情况下,集电极电流IC与基极电与基极电流流IB不再是不再
15、是倍的关系。此时晶倍的关系。此时晶体管的电流放大能力大大下降。体管的电流放大能力大大下降。晶体管在输出特性曲线的晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时,其电流放饱和区工作时,其电流放大系数是否也等于大系数是否也等于? 为了发射区扩散电子的绝为了发射区扩散电子的绝大多数不能在基区和空穴复大多数不能在基区和空穴复合,只有极小一部分与基区合,只有极小一部分与基区空穴复合形成基极电流,其空穴复合形成基极电流,其余电子被集电极收集后形成余电子被集电极收集后形成集电极电流。集电极电流。为什么晶体管基区掺杂为什么晶体管基区掺杂质浓度小?而且还要做质浓度小?而且还要做得很薄?得很薄?学习与讨论学习与讨论1.1.5
16、 三极管的简易测试三极管的简易测试(1 ) 管脚及管型的判别 三极管不同的封装外形,其管脚排列是有一定规律的。图2-1-11所示,是几种典型的三极管管脚排列情况。 基极的判别与管型的确定 集电极与发射极的判别(2 ) 材料判别【任务实施任务实施】 1.实施地点:电子技术实训室 2.实训所需器材 (1) 万用表(MF47型或DT9204型一块) (2) 三极管三只(不同类型) 3.实施内容与步骤: (1)学员分组:4人左右一组,指定组长。工作始终各组人员尽量固定。 (2)教师布置工作任务。学生了解工作内容,明确工作目标,制定实施方案。 (3)教师通过图片、实物或多媒体分析演示让学生了解三极管的基
17、本特性,或指导学生自学。 (4)实际进行二极管的识别与检测 【学习小结学习小结】 1.晶体三极管按导电特性和材料分可分为NPN型硅管、NPN型锗管、PNP型硅管、PNP型锗管四种。 2.晶体三极管由两个PN结构成,有三个电极,分别是基极B、集电极C和发射极E。 3.三极管型号由五部分所组成,由前向后分别表示三极管、类型与材料、频率范围、设计序号、管子规格。 4.三极管的电流控制作用就是通过较小的基极电流变化量IB去控制较大的集电极电流变化量IC,所以,三极管实质上是一种电流控制型器件。 5.三极管的输入特性:是指UCE一定时,发射结外加电压UBE与基极电流IB之间的对应关系。实际上相当于二极管
18、伏安特性。 6.三极管的输出特性是指IB一定时,UCE与IC之间的关系。输出特性分为三个区域:截止区: IB 0的区域,此时的发射结无正偏电压(通常外加的是反偏电压), IB 0, IC 0,三极管不导通。发射结、集电结均反偏饱和区:随着UCE的增大, IC显著上升,此时IC受UCE影响很大。发射结、集电结均正偏。放大区:输出特性曲线变得平坦, IC基本恒定。只有当IB改变时IC才改变, IC =IB 。发射结正偏、集电结反偏。 7.三极管的主要参数有电流放大系数、极间反向电流ICBO和ICEO、集射反向饱和电流ICEO 、极限参数ICM、U(BR)CEO和PCM。 8.根据三极管的外形,可以
19、判定其三个电极名称。用万用表可以确定三极管的类型、材料和管脚。任务任务2.2 三极管电压放大器的组装与调试三极管电压放大器的组装与调试【任务描述任务描述】 三极管的电压放大器是电子电路最基本、最常用的放大电路。掌握三极管的电压放大器的工作原理,掌握三极管的参数选用,掌握三极管的电压放大器的组装与调试方法是电子工程技术人员的主要技能。【任务分析任务分析】 1.能选用三极管类型及参数; 2.会组装三极管电压放大器; 3.会调试三极管电压放大器。 4.了解三极管的电压放大器的种类、结构特点; 5.掌握三极管的电压放大器静态工作点设置; 6.掌握三极管的电压放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电的计算;
20、 7.掌握三极管的电压放大器的组装与调试方法。【知识准备知识准备】2.1 放大器的基本知识放大器的基本知识 2.1.1 放大器概述 (1)信号:用来表示某一方面信息的电流、电压,称为电信号,简称信号。 (2)放大器(Amplifier,简记A):是指能够实现信号放大的电路。 图2-2-1为放大器的框图。对于放大器,应满足输出功率大于输入功率。 (3)放大器件总是放大器的核心部件。三极管是一种常用的放大器件,利用三极管构成的放大器有三种组态:共射极、共基极和共集极,分别如图2-2-2(a)、(b)、(c)所示。 放大器实质上是一种功率形式的转换器,它将电源提供的一部分直流功率转换为信号功率,从而
21、使信号功率提升了,它自身并不具备“发电”功能。2.1.2放大器的性能指标 (1)放大倍数A 电压放大倍数Au 电流放大倍数Ai 功率放大倍数AP (2)输入电阻Ri与输出电阻Ro 输入电阻Ri 输出电阻Ro 通频带BW 2.1.2 低频小信号共射放大器低频小信号共射放大器 (1) 放大器的基本组成及作用 放大器的组成:放大器件、偏置电路和耦合电路。(2) 基本放大电路的静态分析 输入信号ui=0、只在直流电源UCC作用下电路的状态称“静态静态”。静态分析就是要求出此时的IB、IC和UCE三数值。C1+ +C2+ +ICUBE放放放放大大大大电电电电路路路路的的的的直直直直流流流流通通通通道道道
22、道UCE3DG6RBRCUCCcebIC=IBUCE=UCCICRCIB=RBUCC-UBE直流下耦合电容C1.C2相当于开路由直流通道求工作点上的IB:IB由图可得由图可得由晶体管放大原理可求得IC:由图又可求得工作点上UCE:式中式中ICRC前面的负号表示输出前面的负号表示输出电压与集电极电流电压与集电极电流IC反相,即反相,即与输入电压反相。与输入电压反相。放大电路静态分析的估算法 利用晶体管的输入、输出特性曲线求解静态工作点的方法称为图解法。其分析步骤一般为:用图解法求解静态工作点(1)(1)按已选好的管子型号在手册中查找、或从晶体管图示仪按已选好的管子型号在手册中查找、或从晶体管图示
23、仪上上描绘出管子的输入、输出特性如下图所示:描绘出管子的输入、输出特性如下图所示: uBEiBiCuCE(2)(2)画出直流负载线。此步骤是图解法求静态工作点的关键。画出直流负载线。此步骤是图解法求静态工作点的关键。 由放大电路的直流通道可得:UCEICIEIBUBERBRCUCCcebUCE=UCCICRC令令UCE=0, 可得:IC=UCC/RC令令IC=0 可得:UCE=UCCICUCEUCCRCUCC连接两点作出直流负载线(3)确定静态工作点只有IBQ对应的交点才是Q Q点QIBQ直流负载线上交点有多个固定偏置的放大电路存在很 温度TQ点ICUCEVCICUCEQ 若若 温度上升,将造
24、温度上升,将造成输出特性曲线上成输出特性曲线上移。移。静态工作点静态工作点Q随之上移随之上移Q 如果VCIB的小信号条件。C2C1CERC3DG6cbeRE+ +UCCRB2RB1I1I2IBV VB BV VB B的大小显然的大小显然与温度无关。与温度无关。分分压压式式偏偏置置共共射射放放大大电电路路的的直直直直流流流流通通通通道道道道 偏置电阻RB1和RB2应选择适当数值,使之符合:I1I2IB 的条件。在小信号条件下,IB可近似视为0值。 忽略IB时,RB1和RB2可以对UCC进行分压。即:分压式偏置共射放大电路的静态分析 上述分析步骤,就是分压式偏置的共发射极电压放大电路的估算法。显然
25、,基极电位VB的高低对静态工作点的影响非常大。UBERCcbeRE+ +UCCRB2RB1I1I2IBV VB BIEICUCEICUCE 基极电位VB的高低对静态工作点Q Q的影响 设置合适的静态工作点是对放大电路的基本要求。基极电位VB选择偏高或偏低时,Q点随之上移或下行。设VB较高时:Q Qibu0 Q点的上移造成放点的上移造成放大过程中信号的一大过程中信号的一部分进入饱和区,部分进入饱和区,发生饱和失真,集发生饱和失真,集电极电流电极电流上削波上削波上削波上削波。 放大电路输出电放大电路输出电压同样产生饱和压同样产生饱和失真。由于共射失真。由于共射电路输入、输出电路输入、输出反相,因此
26、输出反相,因此输出电压呈电压呈下削波下削波下削波下削波。结论:结论: 输入信号波形输入信号波形iCVB值大Q点高,饱和饱和失真!ICUCE 基极电位VB设置较低时对Q Q点的影响 VB设置的高低,取决于两个基极偏置电阻的数值选择,当RB1太大时, VB值就会较低,引起静态工作点Q下行:Q Qib 输入信号波形输入信号波形 Q点下行造成放大过程点下行造成放大过程中信号的一部分进入截中信号的一部分进入截止区,发生截止失真,止区,发生截止失真,集电极电流呈集电极电流呈下削波下削波下削波下削波。iCu0 放大电路输出电压同样产放大电路输出电压同样产生截止失真。由于共射电生截止失真。由于共射电路输入、输
27、出反相,因此路输入、输出反相,因此输出电压呈现输出电压呈现上削波上削波上削波上削波。结论:结论:VB值小Q点低,截止截止失真!VB的高低对放大电路的静态工作点影响很大。温度对Q点的影响也不能忽视。分压式偏置的共发射极放大电路由于加设了负反馈环节负反馈环节,因此当温度升高时,具有自调节能力自调节能力。设放大电路环境温度升高,此时:由于电路具有对温度变化的自调节能力,因此集电极电流通常恒定,即:温度变化IC基本不受影响I1I2IBV VB BIE+ +UCCRERB1RB2RCcbeUBEUCE TI IB BIC IE VE VBEIC 只要基极电位和只要基极电位和射极反馈电阻不射极反馈电阻不变
28、,集电极电流变,集电极电流始终维持不变!始终维持不变!2.1.3 共集电极放大器共集电极放大器 电路的组成 图2-2-21为共集放大器(又称射极输出器)的电路图。 组成:耦合电容C1.C2 ,偏置电路+UG、RB、RE,前接信号源us、RS,后接负载RL。(1+ ?)IBQibC1+us-RS+-uiRBRE+UGC2RL+-uoVRB+ UGVREICQIE(a) 直流通路+us-RS+-uiRBrbeibRE+-uoRL(b) 微变等效电路?ib 电路工作特性的分析 静态工作点Q的分析 电压放大倍数Au的分析 输入电阻Ri的分析 输出电阻RO的分析 电流放大倍数Ai与功率放大倍数Ap的 分
29、析【任务实施任务实施】1.实施地点:电子技术实训室2.实训所需器材 (1)双踪示波器 (2)低频信号发生器 (3)直流稳压电源 (4)电子毫伏表 (5)万用表 (6)试验面包板 (7)电路元件3.实施内容与步骤: (1)学员分组:4人左右一组,指定组长。工作始终各组人员尽量固定。 (2)教师布置工作任务。学生了解工作内容,明确工作目标,制定实施方案。 (3)教师通过图片、实物或多媒体分析演示让学生了解三极管电压放大器的基本特性,或指导学生自学。 (4)实际进行单管共射分压偏置放大器组装与调试【学习小结学习小结】 1.放大即把微弱的电信号的幅度放大。一个微弱的电信号通过放大器后,输出电压或电流的
30、幅得到了放大,但它随时间变化的规律不能变,即不失真。 2.单管放大电路有共射、共集和共基三种,常用的是共射和共集放大电路。 3.晶体三极管放大器的分析方法有估算法、图解法和微变等效电路法。 4.晶体三极管放大器输入、输出之间的耦合方式有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。5.晶体三极管放大器的分析计算主要是确定静态工作点Q(IBQ、ICQ和UCEQ),并选择在合适的位置。否则或出现截止失真或饱和失真。计算电压放大系数Au、输入电阻Ri、输出电阻RO。 5.共射电压放大器主要有固定偏置和分压偏置两种型式。分压偏置式电压放大器利用电阻RE可具有温度补偿作用。 6.当三极管放大器出现失真时,主要调节基极
31、偏置电阻RB以获得合适的静态工作点。任务任务2.3 实用功放电路的组装与调试实用功放电路的组装与调试【任务描述任务描述】 三极管实用功放电路是常用的典型电子电路。掌握三极管实用功放电路的工作原理,掌握电路元器件的参数选用,掌握三极管实用功放电路的组装与调试方法是电子工程技术人员的主要技能。【任务分析任务分析】 1.会组装实用功放电路; 2.会调试实用功放电路。 3.了解三极管的功率放大器的种类、结构特点; 4.掌握三极管的功率放大器静态工作点设置; 5.掌握实用功放电路的组成与工作原理; 6.掌握实用功放电路的组装与调试方法。【知识准备知识准备】3.1 功率放大器概述功率放大器概述3.1.1
32、功率放大器 在电子系统中,模拟信号被放大后,往往要去推动一个实际的负载。如使扬声器发声、继电器动作、 仪表指针偏转等。推动一个实际负载需要的功率很大。能输出较大功率的放大器称为功率放大器,简称功放。例: 如图2-3-1所示扩音系统。 图图2-3-1 扩音系统图扩音系统图功率放大电压放大 信 号 提 取实际负载(1) 功放电路的特点 输出功率Po尽可能大; 功放电路中电流、电压要求都比较大,必须注意电路参数不能超过晶体管的极限值:ICM、UCEM、PCM。 ICMPCMUCEMIcuce 电流、电压信号比较大,必须注意防止波形失真。 电源提供的能量应尽可能多地转换给负载,尽量减少晶体管及线路上的
33、损失。即注意提高电路的效率()。 功放管散热和保护问题IcuceQuceQIcQ(a)固定偏置放大器 (b)静态工作点置(2) 甲类功率放大器分析 三极管的静态功耗 动态功耗(当输入信号Ui时) 最大输出功率 电路的效率(3)甲类功率放大器存在的缺点 输出功率小; 静态功率大,效率低。(4)单管功放的几种工作状态 甲类:Q点适中,在正弦信号的整个周期内均有电流流过单管功放。 乙类:静态电流为0,单管功放只在正弦信号的半个周期内均导通。 甲乙类:介于两者之间,导通角大于180。(a)甲类 (b)甲乙类iCuCEQ1UCEQICQVCCiCuCEQ3ICQVCCQ3ICQVCCiCuCE(c)乙类
34、3.1.2 乙类互补对称功率放大电路乙类互补对称功率放大电路 (1) 结构: 互补对称 电路中采用两个晶体管:NPN、PNP各一支; 两管特性一致。组成互补对称式射极输出器。(2)工作原理(设ui为正弦波) 静态时: ui = 0V ic1.ic2均=0(乙类工作状态) uo = 0V 动态时: ui 0VT1导通,T2截止iL= ic1 ; ui 0VT1截止, T2导通iL= ic2 ; T1 、 T2两个管子交替工作,在负载上得到完整的正弦波。 输入输出波形图uiuououo iC1uCEiC2QVCCUCESUCESUom3.1.3 甲乙类互补对称功率放大电路甲乙类互补对称功率放大电路
35、(1) 甲乙类双电源互补对称电路 基本原理 静态时:T1.T2两管发射结电压分别为二极管D1. D2的正向导通压降,致使两管均处于微弱导通状态甲乙类工作状态。 动态时:设 ui 加入正弦信号。正半周 T2 截止,T1 基极电位进一步提高,进入良好的导通状态;负半周T1截止,T2 基极电位进一步降低,进入良好的导通状态。 波形关系。如图2-3-11所示。特点是存在较小的静态电流 ICQ、IBQ。每管导通时间大于半个周期,基本不失真。 uB1tUTtiBIBQuBEiBICQiCibiCQuceVCC /ReVCCIBQ(2)带前置放大级的功率放大器 如图2-3-12所示。甲乙类互补对称电路的计算同乙类。(4)带复合管的OCL互补输出功放电路 (5) 甲乙类单电源互补对称电路 基本原理(6)带自举电路的单电源功放(7)带运放前置放大级的功率放大电路3.1.4 集成功率放大器集成功率放大器 集成功率放大器DG4100简介。集成功放DG4100的外部接线图,