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1、立身以立学为先，立学以读书为本大学物理下归纳总结电学基本要求：1会求解描述静电场的两个重要物理量：电场强度 E和电势 V。2掌握描述静电场的重要定理：高斯定理和 安培环路 定理（公式内容及物理意义）。3掌握导体的静电平衡及应用；介质的极化机理及介质中的高斯定理。主要公式：一、 电场强度1点电荷场强：rerqE204计算场强的方法（ 3 种）1、点电荷场的场强及叠加原理点电荷系场强：iiirrQE304连续带电体场强：QrdQrE304（五步走积分法） (建立坐标系、取电荷元、写Ed、分解、积分 ) 2、静电场高斯定理 ：表达式：0qSdEse物理意义： 表明静电场中，通过任意闭合曲面的电通量（
2、电场强度沿任意闭合曲面的面积分） ，等于该曲面内包围的 电荷代数和除以0。对称性带电体场强：（用高斯定理求解）0qSdEse精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页，共 8 页立身以立学为先，立学以读书为本3、利用电场和电势关系 ：xExU二、电势电势及定义：1电场力做功：2100lll dEqUqA2. 静电场安培环路定理：静电场的保守性质表达式：0ll dE物理意义： 表明静电场中 ，电场强度沿任意闭合路径的线积分为0。3电势：)0(00ppaaUl dEU；电势差：BAABldEU电势的计算：1点电荷场的电势及叠加原理点电荷电势
3、：rqV04点电荷系电势：iiirQU04连续带电体电势：rdqdVV04（四步走积分法） (建立坐标系、取电荷元、写dV、积分 )2已知场强分布求电势：定义法lvpdrEl dEV0三、静电场中的导体及电介质1. 弄清静电平衡条件及静电平衡下导体的性质精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页，共 8 页立身以立学为先，立学以读书为本2. 了解电介质极化机理，及描述极化的物理量电极化强度P, 会用介质中的高斯定理，求对称或分区均匀问题中的,D E P及界面处的束缚电荷面密度。3. 会按电容的定义式计算电容。典型带电体系的场强典型带电体
4、系的电势均匀带电球面0E球面内304rrqE球面外均匀带电球面RqU04均匀带电直线)cos(cos4210E无限长：rE02均匀带电无限长直线02lnraU)0()(aU均匀带电无限大平面02E均匀带电无限大平面02dEdU磁学恒定磁场（非保守力场）基本要求：1熟悉毕奥 - 萨伐尔定律的应用，会用右手螺旋法则求磁感应强度方向；3掌握描述磁场的两个重要定理：高斯定理和 安培环路 定理（公式内容及物理意义）；并会用环路定理计算规则电流的磁感应强度；精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页，共 8 页立身以立学为先，立学以读书为本3会求解
5、载流导线在磁场中所受安培力 ；4理解介质的磁化机理，会用介质中的环路定律计算H及 B. 主要公式：1毕奥-萨伐尔定律表达式 ：204relIdBdr1）有限长载流直导线，垂直距离r 处磁感应强度：)cos(cos4210rIB（其中。向之间的夹角流方向与到场点连线方分别是起点及终点的电和21）无限长载流直导线，垂直距离r 处磁感应强度：rIB20半无限长载流直导线，过端点垂线上且垂直距离r 处磁感应强度：rIB402）圆形载流线圈，半径为R，在圆心 O处：RIB200半圆形载流线圈，半径为R，在圆心 O处：RIB4003）螺线管及螺绕环内部磁场自己看书，把公式记住2磁场高斯定理 ：表达式：0s
6、mSdB（无源场 ）(因为磁场线是闭合曲线 , 从闭合曲面一侧穿入 , 必从另一侧穿出 .) 物理意义： 表明稳恒磁场中，通过任意闭合曲面的磁通量（磁场强度沿任意闭合曲面的面积分）等于0。3磁场安培环路定理 ：Il dBl0（有旋场 ）表达式：Il dBl0精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页，共 8 页立身以立学为先，立学以读书为本物理意义：表明稳恒磁场中， 磁感应强度 B沿任意闭合路径的线积分，等于该路径内包围的 电流代数和的0倍。0称真空磁导率4. 洛伦兹力及安培力1）洛伦兹力 ：BvqF（磁场对运动电荷的作用力）2）安培力
7、 ：lBlIdF（方向沿BlId方向，或用 左手定则 判定）积分法五步走 :1. 建坐标系 ;2. 取电流元lId;3. 写sinIdlBdF;4. 分解;5.积分. 3）载流闭合线圈所受磁力矩：BmM（要理解磁矩的定义及意义）5.介质中的磁场1）介质的磁化机理及三种磁介质2）有磁介质的安培环路定理：Il dHlBH电磁感应基本要求：1理解法拉第电磁感应定律和楞次定律的内容及物理意义；2会求解 感应电动势及动生电动势的大小和方向；了解自感及互感；3掌握麦克斯韦方程组及意义，了解电磁波。主要公式：精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页
8、，共 8 页立身以立学为先，立学以读书为本1法拉第电磁感应定律 ：tdd，会用楞次定律判断感应电动势方向。2动生电动势cos)sin(dlvBl dBvll.;方向的夹角的方向与是的夹角与是LBvBv注：感应电动势的方向沿Bv的方向，从 低电势 指向高电势 。3感生电动势及感生电场：;SdtBldEsL感4麦克斯韦方程组及电磁波：VdV00is1qSdE0SdBsStBlESLdd变化的磁场产生电场StDSJlHSSLddd0变化的电场产生磁场波动光学基本要 求：掌握杨氏 双缝干涉 、单缝衍射 、劈尖干涉、光栅衍射 公式；理解光程差的含义与半波损失发生条件及增透膜、增反膜 原理；主要公式：1光
9、程差与半波损失光程差 ：几何光程乘以折射率之差：2211rnrn半波损失 ： 当入射光从 折射率较小的光疏介质投射到 折射率较大的光疏密介质 表面时，反射光比入射光有的跃变即光程发生的相位突变2，。 （若两束相干光中一束发生半波损失，而另一束没有，则附加2的光程差；精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 6 页，共 8 页立身以立学为先，立学以读书为本若两有或两无，则无附加光程差。 ）2杨氏双缝干涉：（D-缝屏距； d-双缝间距； k- 级数）dDxdDkxdDkxkk:2)12(:相邻条纹间距暗纹公式明纹公式暗明条纹特征： 明暗相间均匀等
10、间距直条纹，中央为零级明纹。条纹间距x与缝屏距 D 成正比，与入射光波长成正比，与双缝间距 d 成反比。3会分析薄膜干涉例如增透膜增反膜，劈尖牛顿环等4单缝衍射：（f- 透镜焦距； a-单缝宽度； k- 级数）aflaflafkxkaafkxkakk:2:,sin:2) 12(,2)12(sin:0其它条纹宽度中央明纹宽度暗纹公式明纹公式暗明条纹特征： 明暗相间直条纹，中央为零级明纹，宽度是其它条纹宽度的两倍。条纹间距l与透镜焦距f成正比，与入射光波长成正比，与单缝宽度成反比。5衍射光栅： （bad为光栅常数，为衍射角 ）光栅方程：2, 1 , 0,sin)(kkba),1,(为每米刻痕数不透
11、光部分为透光部分NNdba精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 7 页，共 8 页立身以立学为先，立学以读书为本光栅明纹公式：dfkxkdk明,sin第 K级光谱张角：12第 K级光谱线宽度：)(1212tgtgfxxx（,sin11kd22sinkd，)760，,40021红光紫光nmnm条纹特征： 条纹既有干涉又有衍射。6光的偏振：（0I为入射光强度，为两偏振化方向夹角）马吕斯定律：2:cos:020IIII偏振光通过偏振片自然光通过偏振片布儒斯特角：（0i为入射角，为折射角）120nnarctgi当入射角满足上述条件时，反射光为完全
12、偏振光 ，且偏振化方向与入射面垂直 ；折射光为部分偏振光 ，且反射光线与折射光线垂直，即：0090i量子物理基础主要内容：1. 黑体辐射的实验规律不能从经典物理获得解释。普朗克提出了能量量子化假设，从而成功地解释了黑体辐射的实验规律，并导致了量力学的诞生和许多近代技术。量子概念：hE2. 光电效应的实验规律无法用光的波动理论解释。爱因斯坦提出了光子假设。用爱因斯坦方程 h= mv2/2 +w 解释了实验规律。康普顿散射也证明了光的量子性。3. 德布罗意波 ( 物质波 )假设：任何实物粒子和光子一样都具有波粒二象性。德布罗意关系式 ：.,;,用动质量时当用静质量时当mcvmcvmvhPh光子：hmvPhmcE2精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 8 页，共 8 页
