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1、第九章 热释电器件 热释电器件是一种利用热释电效应制成的热探测器件。 与其它热探测器相比，热释电器件具有以下优点：具有较宽的频率响应，工作频率接近兆赫兹，远远超过其它热探测器的工作频率。一般热探测器的时间常数典型值在10.01s范围内，而热释电器件的有效时间常数可低达10-4310-5s；热释电器件的探测率高，在热探测器中只有气动探测器的D*才比热释电器件稍高，且这一差距正在不断减小；热释电器件可以有大面积均匀的敏感面，而且工作时可以不外加接偏置电压；与热敏电阻相比，它受环境温度变化的影响更小； 热释电器件的强度和可靠性比其它多数热探测器都要好，且制造比较容易。9.1.19.1.1热释电效应热
2、释电效应 电介质内部没有自由载流子，没有导电能力。但是，它也是由带电的粒子（价电子和原子核）构成的，在外加电场的情况下，带电粒子也要受到电场力的作用，使其运动发生变化。 极化现象极化现象: 如图所示,电介质的上下两侧加上电场后，电介质产生极化极化。 一般电介质，在电场除去后极化状态随即消失，带电粒子又恢复原来状态。 “铁电体铁电体”电介质：在外加电场除去后仍保持着极化状态，称其为“自发极化”。 铁电体的自发极化强度极化强度PS与温度的关系如图所示，随着温度的升高，极化强度减低。当温度升高到一定值，自发极化突然消失，这个温度常被称为“居里温度”或“居里点”。 在居里点以下，极化强度PS是温度T的
3、函数。利用这一关系制造的热敏探测器称为热释电器件热释电器件。 热释电效应：热释电效应：当红外辐射照射到已经极化的铁电体薄片时，引起薄片温度升高，表面电荷减少，相当于热“释放”了部分电荷。 释放的电荷可用放大器转变成电压输出。如果辐射持续作用，表面电荷将达到新的平衡，不再释放电荷，也不再有电压信号输出。因此，热释电器件在恒定辐射作用下输出的信号电压为零。只有在交变辐射交变辐射的作用下才会有信号输出。 经过单畴化的热释电晶体，在垂直于极化方向的表面上，将由表面层的电偶极子构成相应的静电束缚电荷。面束缚电荷密度与自发极化强度Ps之间的关系可由下式确定。 因为自发极化强度是单位体积内的电矩矢量之和，所
4、以有(91)式中，A和L分别是晶体的表面积和厚度。由内部自由电荷中和表面束缚电荷的时间常数为，和分别为晶体的介电常数和电阻率。 只要使热释电晶体的温度在面束缚电荷被中和掉之前因吸收辐射而发生变化，晶体的自发极化强度PS就会随温度T的变化而变化，相应的束缚电荷面密度也随之变化。注意：当红外辐射照射到已经极化的铁电体薄片时，引起薄片温度升高，表面电荷减少，相当于热“释放”了部分电荷。释放的电荷可用放大器转变成电压输出。如果辐射持续作用，表面电荷将达到新的平衡，不再释放电荷，也不再有电压信号输出。因因此，热释电器件不同于其他光电器件，在恒定辐射此，热释电器件不同于其他光电器件，在恒定辐射作用的情况下
5、输出的信号电压为零。只有在交变辐作用的情况下输出的信号电压为零。只有在交变辐射的作用下才会有信号输出。射的作用下才会有信号输出。 9.1.2. 热释电器件的特性分析热释电器件的特性分析 设晶体的自发极化矢量为Ps，Ps的方向垂直于电容器的极板平面。接收辐射的极板和另一极板的重迭面积为A。由此引起表面上的束缚极化电荷为 Q=A=APs 若辐射引起的晶体温度变化为T，则相应的束缚电荷变化为Q=A(Ps/T)T=AdpT 式中，称为热释电系数， p=Ps/T(9-2)其单位为C/cm2K，是与材料本身的特性有关的物理量，表示自发极化强度随温度的变化率。 若在晶体的两个相对的极板上敷上电极，在两极间接
6、上负载RL，则负载上就有电流通过。由于温度变化在负载上产生的电流可以表示为式中， 为热释电晶体的温度变化速率。与材料的吸收率和热容有关，吸收率大，热容小，则温度变化率大。 通常热释电器件的电极按照性能的不同要求做成如图所示的面电极和边电极两种结构。 （a）面电极结构中，电极置于热释电晶体的前后表面上, 其中一个电极位于光敏面内。 电极面积较大，极间距离较小，极间电容较大，故其不适于高速应用。此外，由于辐射要通过电极层才能到达晶体，所以电极对于待测的辐射波段必须透明。 （b）的边电极结构中，电极所在的平面与光敏面互相垂直，电极间距较大，电极面积较小，极间电容较小。因此，在高速运用时以边电极为宜。
7、热释电器件产生的热释电电流在负载电阻RL上产生的电压为 可见，热释电器件的电压响应正比于热释电系数和温度的变化速率dT/dt，而与晶体和入射辐射达到平衡的时间无关。 如果将热释电器件跨接到放大器的输入端，其等效电路为如图所示。由等效电路可得热释电器件的等效负载电阻为 R(=RD/Rm)和C(=CD+Cm)分别为热释电器件和放大器的等效电阻和等效电容。Z的模值为热释电器件在调制频率为的交变幅射照射下的温度表示为(9-13)输入到放大器的电压为 式中，eRC为电路时间常数电路时间常数，R =RsRL，C=CsCL。T=C/H为热时间常数热时间常数。e、T的数量级为0.110s左右。A为光敏面的面积
8、，为吸收系数，为入射辐射的调制频率。 根据光电器件灵敏度的定义，热释电器件的电压灵敏度Sv为输出电压的幅值U与入射光功率之比，电压灵敏度为(1)当入射为恒定辐射，即0时，Ru=0，说明热释电器件对恒定辐射不灵敏；(2)在低频段1/T或1/e时，灵敏度Ru与成正比，为热释电器件交流灵敏度的体现。(3)当eT时，通常eT，在1/T1/e范围内，Ru与无关；(4)高频段（1/T、1/e）时，Ru则随-1变化。因此在许多应用中，该式的高频特性近似为即灵敏度与信号的调制频率灵敏度与信号的调制频率成反比。成反比。热释电器件的噪声 热释电器件的基本结构是一个电容器，输出阻抗很高，所以它后面常接有场效应管，构
9、成源极跟随器的形式，使输出阻抗降低到适当数值。因此,分析噪声时,也要考虑放大器的噪声。这样，热释电器件的噪声主要有电阻的热噪声电阻的热噪声、温度噪声温度噪声和放大器噪声放大器噪声等。 不同负载电阻RL下的灵敏度-频率特性. 由图可见，增大增大RL可以提高灵可以提高灵敏度敏度，但是，频率响应的带宽变得很频率响应的带宽变得很窄窄。应用时必须考虑灵敏度与频率响应带宽的矛盾，根据具体应用条件，选用恰当的负载电阻。热噪声电压为当e 1时，上式可简化为22表明:热噪声电压随调制频率的升高而下降。热噪声电压随调制频率的升高而下降。式中，k为波耳兹曼常数，TR为器件的温度，f为系统的带宽。=4kTRf/Ref
10、f 电阻的热噪声来自晶体的介电损耗和与探测器的并联电阻。若等效电阻为Reff，则热噪声电流的方均值为1. 热噪声3.3.温度噪声温度噪声 温度噪声来自热释电器件的光敏面与外界辐射交换能量的随机性，噪声电流的方均值为式中，Ad为光敏区的面积， 为温度起伏的方均值。 放大器噪声来自放大器中的有源元件和无源器件，以及信号源阻抗和放大器输入阻抗之间噪声的匹配等。设放大器的噪声系数为F，把放大器输出端的噪声折到输入端，认为放大器是无噪声的，这时，放大器输入端的噪声电流方均值为 Ik=4k(F-1)Tf/R 式中，T为背景温度。22 2. 放大器噪声放大器噪声 考虑统计平均值时的信噪功率比为(554) 当
11、温度噪声是主要噪声源而忽略其它噪声时，噪声等效功率为 (NEP)2(4kT 2G2f/2A222R)1+(TN/T)2(555)由上式可以看出，热释电器件的噪声等效功率噪声等效功率NEP具有随着调制具有随着调制频率的增加而减小的性质。频率的增加而减小的性质。 式中，TNT(F-1)T，称为放大器的有效输入噪声温度有效输入噪声温度。如果这三种噪声不相关，则总噪声为响应时间响应时间 热释电探测器在低频段的电压响应度与调制频率成正比，在高频段则与调制频率成反比，仅在1/T1/e范围内，Sv与无关。响应度高端半功率点取决于1/T或1/e中较大的一个，因而按通常的响应时间定义，T和e中较小的一个为热释电探测器的响应时间。通常T较大，而e与负载电阻有关，多在几秒到几个微秒之间。随着随着负载的减小，负载的减小，e变小，灵敏度也相应减小。变小，灵敏度也相应减小。 热释电探测器的阻抗特性热释电探测器的阻抗特性 热释电探测器几乎是一种纯容性器件，由于电容量很小，所以阻抗很高，常在109以上。因此，必须配高阻抗的负载。常用JFET器件作热释电探测器的前置放大器。 如图所示为常用的电路。图中用JFET构成源极跟随器，进行阻抗变换。 最后，要特别指出，由于热释电材料具有压电特性，因而对微震等应变十分敏感，因此在使用时应注意减震防震。
