《2022年半导体器件物理复习重点 2》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2022年半导体器件物理复习重点 2（11页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思第一章 PN 结1.1 PN 结是怎么形成的？1.2 PN 结的能带图（平衡和偏压）* 1.3 内建电势差计算2lnidaFnFpbinNNekTV1.4 空间电荷区的宽度计算2/1)(2dadaRbisNNNNeVVWndpaxNxN1.5 PN 结电容的计算WNNVVNNeCsdaRbidas2/1)(2精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页，共 11 页读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思第二章 PN 结二极管2.1 理想 PN 结模型是什么？2.2 少数载流子分布（边界条件和双极输运方
2、程的应用）2.3 理想 PN 结电流1expkTeVJJas0020011ppdnnainpnpnpsDNDNenLneDLpeDJ2.4 PN 结二极管的等效电路 （扩散电阻和扩散电容的概念）？2.5 产生-复合电流的计算12exp200kTeVWendxeRJaiWrec2.6 PN 结的两种击穿机制有什么不同？精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页，共 11 页读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思第三章 双极晶体管3.1 双极晶体管的工作原理是什么？3.2 双极晶体管有几种工作模式，哪种是放大模式？3.3 双极晶体管的少子分
3、布（图示）3.4 双极晶体管的电流成分 （图示） ，它们是怎样形成的？3.5 低频共基极电流增益的公式总结EBEBEBEEBBEBBBEExxDDNNLxLxLDnLDp11)/tanh()/tanh(11002)/(2111)/cosh(1BBBBTLxLxkTeVJJBEsr2exp1100T13.6 等效电路模型（ Ebers-Moll 模型和 Hybrid-Pi 模精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页，共 11 页读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思型） （画图和简述）3.7 双极晶体管的截止频率受哪些因素影响？3.8
4、双极晶体管的击穿有哪两种机制？精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页，共 11 页读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思第四章 MOS 场效应晶体管基础4.1 MOS 结构怎么使半导体产生从堆积、耗尽到反型的变化？4.2 MOS 结构的平衡能带图（表面势、功函数和亲和能）及平衡能带关系mssOXV004.3 栅压的计算 (非平衡能带关系 ) mssOXGVV4.4 平带电压的计算OXssmsFBCQV4.5 阈值电压的计算pfFBOXSDpfmsOXssSDTNVCQCQQV2(max)2(max)dTaSDxeNQ(max)214
5、apfsdTeNxiathpfnNV ln精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页，共 11 页读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思pfgmmseE2oxoxoxtCnfFBOXSDnfmsOXssSDTPVCQCQQV2(max)2(max)dTdSDxeNQ(max)214dnfsdTeNxidthnfnNV lnnfgmmseE2oxoxoxtC4.6 MOS 电容的计算总的电容公式：dsOXOXOXdeplxtC最大电容：OXOXOXtCCmax平带电容：DsOXOXOXFBLtC，athsDeNVL精选学习资料 - - -
6、 - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 6 页，共 11 页读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思最小电容：dTsOXOXOXxtCmin，apfsdTeNx44.7 MOSFET 的工作原理是什么？4.8 电流-电压关系（计算）N 沟道：)(222DSDSTGSoxnDVVVVLCWITGSDSVVsatV)(22)(2)(2)(TGSoxnDSoxnDVVLCWsatVLCWsatIP 沟道：)(222SDSDTSGoxpDVVVVLCWITSGSDVVsatV)(22)(2)(2)(TSGoxpSDoxpDVVLCWsatVLCWsatI4.9 MOSFET
7、 的跨导计算GSDmVIg4.10 MOSFET 的等效电路（简化等效电路）4.11 MOSFET 的截止频率主要取决于什么因素？精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 7 页，共 11 页读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思GmMgsTmTCgCCgf2)(222)(LVVfTGSnT精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 8 页，共 11 页读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思第五章 光器件5.1 电子-空穴对的产生率：hxIxg)()( 5.2 PN 结太阳能电池的电流1exp
8、kTeVIIIsL5.3 光电导计算pLpnpnGepe)()(5.4 光电导增益)1 (npnpLLphtALeGI5.5 光电二极管的光电流)(npLLLLWeGJ5.6 PIN 二极管怎么提高光电探测效率？5.7 发光二极管的内量子效率主要取决于哪些因素？5.8 PN 结二极管激光器怎样实现粒子数反转（借助于精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 9 页，共 11 页读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思能带图说明）精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 10 页，共 11 页读书之法 ,在循序而渐进 ,熟读而精思第六章 MOS 场效应晶体管：概念的深入6.1 MOSFET按比例缩小理论（恒定电场缩小） ，哪些参数缩小，哪些参数增大？6.2 结型场效应晶体管的工作原理是什么？它有什么特点精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 11 页，共 11 页
