三极管结构原理资料

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1、三极管结构原理资料三极管结构原理资料1 半导体三极管半导体三极管一、一、 基本结构基本结构NNP基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极NPNNPN型型型型BECB BE EC CPNPPNP型型型型P PP PN N基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极符号：符号：符号：符号：BECIBIEICBECIBIEICNPNNPN型三极管型三极管型三极管型三极管PNPPNP型三极管型三极管型三极管型三极管基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低发射区：掺发射区：掺发射区：掺发射区：掺杂浓度最高

2、杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高发射结发射结发射结发射结集电结集电结集电结集电结B B B BE E E EC C C CN N N NN N N NP P P P基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极结构特点：结构特点：结构特点：结构特点：集电区：集电区：集电区：集电区：面积最大面积最大面积最大面积最大二、二、 电流分配和放大原理电流分配和放大原理1. 三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件B BEC CN NN NP PEBRBE EC CRC发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏 PNP PNP发射结正偏发射结正

3、偏发射结正偏发射结正偏 V VB B V VE E集电结反偏集电结反偏集电结反偏集电结反偏 V VC C V VE E集电结反偏集电结反偏集电结反偏集电结反偏 V VC C V VB B 2. 各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用I IB B(mA)(mA)I IC C(mA)(mA)I IE E(mA)(mA)0 00.020.020.040.040.060.060.080.080.100.100.0010.0010.700.701.501.502.302.303.103.103.953.950.0010.0010.720.721.541.542.362.363.183.

4、184.054.05 把基极电流的微小变化能够引起集电极电把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。作用。 实质实质:用一个微小电流的变化去控制一个用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，较大电流的变化，结结论论:1）三个电极电流关系）三个电极电流关系 IE= IB + IC2） IC IB ， IC IE 3） IC IB三极管结构类型三极管结构类型1类型类型(1)三极管按制造材料的不同，分为锗管和硅管。硅管受温度影响较小，工作较稳定，因此电子设备上常用硅管。(2)按三极管内部基本结构的不同，分为NPN型和PNP型

5、两种。目前我国生产的硅管多数是NPN型锗管多数是PNP型。(3)按工作频率不同，可分为高频管(工作频率f3 MHz)和低频管(工作频率f3 MHz)。(4)按用途的不同，分为普通放大管和开关管等。(5)按功率不同，分为小功率管(耗散功率1 W)和大功率管(耗散功率1 W)。533三极管的三种工作状态三极管的三种工作状态1放大状态 三极管处于放大状态的条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置，此时三极管各极电流之间的关系为集电极与发射电极间电压为2饱和状态 三极管处于饱和状态的条件是发射结正向偏置，集电结也正向偏置。3截止状态 三极管处于截止状态的条件是发射结反向偏置(或零偏置)，集电结反向偏置，因而各极电流为零(或很小)，所以三极管在截止状态时也没有放大作用。小结本届讲授了三极管的基本结构和三种工作状态及工作条件作业：1、三极管有几种类型，并画出电路图符号。2、三极管的工作状态有几种，并解释个工作状态的条件？