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1、铁电薄膜的铁电性能测量引言铁电体是这样一类晶体:在一定温度范围内存在自发极化,自发极化具有两个或多个 可能的取向,其取向可能随电场而转向.铁电体并不含“铁”,只是它与铁磁体具有磁滞回 线相类似，具有电滞回线，因而称为铁电体。在某一温度以上，它为顺电相，无铁电性， 其介电常数服从居里-外斯（Curit-Weiss）定律。铁电相与顺电相之间的转变通常称为铁 电相变，该温度称为居里温度或居里点Tc。铁电体即使在没有外界电场作用下，内部也 会出现极化，这种极化称为自发极化。自发极化的出现是与这一类材料的晶体结构有关的。晶体的对称性可以划分为32种点群。在无中心对称的21种晶体类型种除432点群外 其余
2、20种都有压电效应，而这20种压电晶体中又有10种具热释电现象。热释电晶体是 具有自发极化的晶体，但因表面电荷的抵偿作用，其极化电矩不能显示出来，只有当温度 改变，电矩（即极化强度）发生变化，才能显示固有的极化，这可以通过测量一闭合回路 中流动的电荷来观测。热释电就是指改变温度才能显示电极化的现象，铁电体又是热释电 晶体中的一小类，其特点就是自发极化强度可因电场作用而反向，因而极化强度和电场E 之间形成电滞回线是铁电体的一个主要特性。自发极化可用矢量来描述，自发极化出现在晶体中造成一个特殊的方向。晶体红，每 个晶胞中原子的构型使正负电荷重心沿这个特殊方向发生位移，使电荷正负中心不重合， 形成电
3、偶极矩。整个晶体在该方向上呈现极性，一端为正，一端为负。在其正负端分别有 一层正和负的束缚电荷。束缚电荷产生的电场在晶体内部与极化反向（ 称为退极化场）， 使静电能升高，在受机械约束时，伴随着自发极化的应变还将使应变能增加，所以均匀极 化的状态是不稳定的，晶体将分成若干小区域，每个小区域称为电畴或畴，畴的间界叫畴 壁。畴的出现使晶体的静电能和应变能降低，但畴壁的存在引入了畴壁能。总自由能取极 小值的条件决定了电畴的稳定性。参考资料1 钟维烈，铁电物理学，科学出版社，1996。2 干福熹，信息材料，天津大学出版社，20003 J.F.Scoot,Ferroelectric Memories,Sp
4、ringer,2000。实验目的一、了解什么是铁电体，什么是电滞回线及其测量原理和方法。二、了解铁薄膜材料的功能和应用前景。实验原理一、铁电体的特点1电滞回线铁电体的极化随外电场的变化而变化，但电场较强时，极化与电场之间呈非线性 关系。在电场作用下新畴成核长，畴壁移动，导致极化转向，在电场很弱时，极化线性地依赖于电场见图(12.2-1) ,此时可逆的畴壁移动成为不可逆的，极化随电场的 增加比线性段快。当电场达到相应于B点值时，晶体成为单畴，极化趋于饱和。电场 进一步增强时，由于感应极化的增加，总极化仍然有所增大(BC)段。如果趋于饱和 后电场减小，极化将循CBD段曲线减小，以致当电场达到零时，
5、晶体仍保留在宏观极 化状态，线段0D表示的极化称为剩余极化Pr。将线段CB外推到与极化轴相交于E, 则线段0E为饱和自发极化Ps。如果电场反向，极化将随之降低并改变方向，直到电 场等于某一值时，极化又将趋于饱和。这一过程如曲线DFG所示，OF所代表的电场是 使极化等于零的电场，称为矫顽场Ec。电场在正负饱和度之间循环一周时，极化与 电场的关系如曲线CBDFGHC所示此曲线称为电滞回线。示波器图12.2-2电滞回线的显示电滞回线可以用图12.22-2的装置显示出来（这就是著名的Sawyer-Tower电路）， 以电晶体作介质的电容C上的电压V是加在示波器的水平电极板上，与C串联一个XX恒定电容C
6、 （即普通电容），C上的电压V加在示波器的垂直电极板上，很容易证明yyyV与铁电体的极化强度P成正比，因而示波器显示的图象，纵坐标反映P的变化，而 y横坐标V与加在铁电体上外电场强成正比，因而就可直接观测到P-E的电滞回线。x下面证明V和P的正比关系，因y1CxCy(12.2-1)Cy1wCx式中为图中电源v的角频率& S 0 d为铁电体的介电常数， 0为真空的介电常数，S为平板电容Cx的面积，d为平行平板间距离，代入（12.2-1）式得：C S V SV = V= 0=o E(12.2-2)yCxC dCYyy根据电磁学P = ( - 1) E u E = YE(12.2-3)000对于铁电
7、体 1，固有后一近似等式，代入（12.2-2）式 ，因S与Cy都是常数，故与P成正比。2. 里点Tc当温度高于某一临界温度Tc时，晶体的铁电性消失。这一温度称为铁电体的居 里点。由于铁电体的消失或出现总是伴随着晶格结构的转变，所以是个相变过程， 已发现铁电体存在两种相变：一级相变伴随着潜热的产生，二级相变呈现比热的突 变，而无潜热发生，又铁电相中自发极化总是和电致形变联系在一起，所以铁电相 的晶格结构的对称性要比非铁电相为低。如果晶体具有两个或多个铁电相时，最高 的一个相变温度称为居里点，其它则称为转变温度。3. 里-外斯定律由于极化的非线性，铁电体的介电常数不是常数，而是依赖于外加电场的，一
8、 般以0A曲线（图12.2-1）在原点的斜率代表介电常数，即在测量介电常数时，所 加外电场很小，铁电体在转变温度附近时，介电常数具有很大的数值，数量级达104 105。当温度高于居里点时，介电常数随温度变化的关系C8 二+ （12.2-5）T - TC s0二、铁电体的应用铁电体具有介电、压电、热释电、铁电性质以及与之相关的电致伸缩性质、非 线性光学性质、电光性质、声光性质、光折变性质、铁电记忆存储性能等等，都与 其电极化性质相关，特别是电介质的热释电与铁电性质都与其自发极化相关。由于 铁电体具有上述性质，因而在诸多高技术中有着很重要的应用。利用其压电性能可 制作电声换能器，用于超声波探测，声
9、纳，稳频振谐器，声表面波器件等；利用其 热释电性质可制作红外探测器，红外监视器，热成像系统等；利用非线性光学效应 可制作激光倍频、三倍频、和频、差频器；利用电光性质可制作激光电光开关、光 偏转器、光调制器等；利用声光效应可制作激光声光开关、声光偏转器、声光调制 器等；利用光折变效应可制作光存储器件；而铁电材料的铁电性可制作铁电记忆存 储器。铁电记忆存储器（Ferroelectrie Memory）是利用铁电体所具有的电滞回线性 质。如图1 2 . 2 - 1所示，当加到铁电体上电场为零时，铁电体上仍保持有一定的极 化强度Pr（或-Pr），这个极化电荷的符号取决于该电体上原加场的符号。若原来加
10、的正场，则当外场变为零场时，铁电体上为正的剩余极化（+Pr）而若是从负场变 到零场，则此时剩余极化为负（-Pr）。正是利用这无外场时所有的两个稳定极化土 Pr 作为计算机编码0 （Pr）和1 （Pr）,这就是铁电记忆及逻辑电路的基础。 铁电记忆存储是铁电体极少数利用铁电体的铁电性能去工作，而不是其他性能（如 热电、压电、电光等）的应用。在非挥发性铁电存储器应用中，即使电源突然中断， 其储存的信息也可保持。铁电体不仅作为一个电容，而且其本身也作为一个存储单 元。铁电存储器由于其尺寸小（是通常可擦除随机只读存储器的20%），抗辐照（特 别适用于军用和航天使用），存储读取速度高，容易与硅工艺相容，因
11、而有很好的 前景。目前铁电随机存储器已有商品销售，由其为核心的智能卡及作为嵌入式芯片 已用于众多家电的控制器如洗衣机、游戏机、电视频道存储记忆器、复印机、收费 站刷卡等等方面，随大存储量的产品出现将在数码相机、随身听中使用，市场前景 看好。铁电材料的铁电性能最为重要的表征是其电滞回线所反映的铁电性能，包括饱 和极化Ps，永久极化Pr，矫玩场Ec等，而对于用于铁电存储器的铁电薄膜来讲， 除此之外还有漏电流11，铁电疲劳性能（永久极化与开关次数Prn ）及铁电保 k持性能（永久极化与时间关系Prt ）通常要求永久极化Pr 10卩C / cm2，低 矫玩场Ec 100kV /cm。好的疲劳特性，在铁
12、电翻转1O10次时，永久极化很少变 化。在105秒内可较好的保持电荷，漏电流小于10-7 A/cm2。三、铁电体的制备（ 2 ）铁电薄膜的制备方法10目前制备铁电薄膜的方法主要有：Sol-Gel凝胶法、MOCVD法、PLD法和溅射法。 在这些制备方法中，每一种都有自身的特点。Sol-Gel凝胶法Sol-Ge 1凝胶法是将金属的醇盐或其他有机盐溶解于同一溶剂中， 经过水解、聚合反应形成溶胶。通过甩胶在基片上形成薄膜，经过干燥和退火处理，形 成铁电薄膜。此方法能够精确控制膜的化学计量比和掺杂，易于制备大面积的薄膜，适 于大批量生产，设备简单，成本低，可与微电子工艺技术相兼容。但这种方法易有不足 之
13、处，如膜的致密性较差，干燥处理过程中薄膜一出现龟裂现象，薄膜结构和生长速率 对基片和电极材料很敏感。迄今为止，利用该方法已制备出PT、PZT、PLZT、BT、ST、 BST等多种铁电薄膜。Q MOCVD法MOCVD法是将反应气体和气化的金属有机物前体溶液通过反应 室，经过热分解沉积在加热的衬底上形成薄膜。此法的主要优点是薄膜生长速率快，可 制备大面积薄膜，能精确控制薄膜的化学组分和厚度。但这种方法受制于金属有机源(MO)的合成技术，难以找到合适的金属有机源，仅能用于少数几中薄膜的制备。采 用此方法已制备出PT、PZT、PLZT、BT及LN等铁电薄膜。Q PLD法PLD法是20世纪80年代发展起
14、来的一种新型薄膜沉积技术。它利用高 功率的准分子脉冲激光照射到一定组分比的靶材上，使靶表面的数十米厚的物质转变为 羽辉状等离子体，沉积到衬底上形成薄膜。这种方法的主要优点是：能源无污染；薄膜 成分与靶材完全一致，因而可严格控制；衬底温度较低，可获得外延单晶膜；成膜速率 快。但这种方法难以制备大面积均匀性好的薄膜。目前利用PLD方法已制备了PT、PZT、 BTO、及KTN等铁电薄膜。Q4 溅射法 溅射法包括直流溅射、射频磁控溅射和离子束溅射。溅射法的主要优 点是工艺比较成熟，沉积温度较低，可获得外延膜。但这种沉积膜速率较慢，组分 和结构的均匀性比较难于控制。四、实验仪器TD-88A 型铁电性能综
15、合测试系统配件清单：序号名称规格型号数量备注1台式微机12专用高速米集控 制卡13铁电性能综合测 试仪TD-88A 型14专用软件TD-88A15专用测试平台16专用三维微米级 测试架27专用测试探针28专用测试电缆12连接样品用9专用测试电缆22连接匹配电容用10专用通讯电缆2连接测试仪和微机五、测量仪简介1、铁电性能综合测试仪硬件结构 铁电薄膜材料的测量仪主要包括可编程信号源、微电流放大器、积分器、放大倍数可编 程 放 大 器 、 模 / 数 转 换 器 、 数 / 模 转 换 器 、 微机接口部分、微机和应用软件等部分组成。系统框图见图 12-2-3，硬件系统由一台计算机、一片带a/d、d/a及开关量控制输出功能的计算机接口卡和信号调理电路部分组成。计算机部分A/D,D/A 卡图 12-2-3 铁电性能测量仪结构框图2、测量电路目前，测量电滞回线的方法较多。其中测试方法简单、应用最广泛的是 Sawyer-Tow
