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1、一、硼扩散工艺原理(液态源)目前，液态源硼扩散常用：硼酸三甲酯B(CH3O)3,硼酸三丙酯，三溴化硼B(B2)3, 无水硼酸三甲酯B(CH3O)3,为无色透明液体，在室温下挥发形成，具有较高真气压，硼酸 三甲酯遇水易分解，升成硼酸和甲醇。B (CH30) + 3H2O=H3BO3 + 3 (CH30H)B (CH3O) 500C 以上 B2O3 + CO2 + H2O + C2B2O3 + 3Si = 3SiO2 + 4B硼酸三甲酯在高温(500C以上)能够分解出三氧化二硼(B2O3)，而三氧化二硼 在900C左右又能与硅片起反应，生成硼原子，并沉积在硅片表面，这就是预沉积过程；沉 积后在基区
2、窗口表面上生成具有色彩的硼硅玻璃。二、硼扩散装置：瑯预沉积装置同上图硼再分布同氧化装置硼再分布：当炉温升到预定温度(1180C以后)通干O2 20分钟，排除管道内空气，同时加 热水浴瓶，是水浴温度达到设定温度值950C, 切就绪后，即可将正片和陪片一起装入石 英舟推入炉子恒温区，先通5分钟干氧，在改通30分钟湿氧，最后通5分钟干氧，时间到 即可把硅片拉出石英管，倒在铜块上淬火，防止慢降温时，金从硅体中析出。一、磷扩散工艺原理5POC13 >600C 3PC15 + P2O52P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P4PC15+5O2 过量 02 2P2O5+6C124PC13+3O
3、2 过量 02 2P2O5+6C12磷预沉积时，一般通N2为2080ml/分，02为2040ml/分，02可通过，也可不 通过源。二、磷扩散装置滤球 纯化系统匚鲍化系统rd节流黑(P0C11)保遢瓶冰+水）磷预沉积装置磷扩散源POC13是无色透明有窒息性气味的毒性液体，要求扩散系统密封性好，源瓶进出 口两端最好用聚四氟乙烯或聚氯乙烯管道连接。若用其他塑料管或乳胶管连接易被腐蚀，就 需要经常更换。接口处最好用封口胶，由系统流出气体应通过排风管排到室外，不要泄漏在 室内。源瓶要严加密封，切勿让湿气进入源瓶。因为三氯氧磷吸水汽而变质，做扩散温度 上不去。2POC13+3H2O=P2O5+5HC1发现
4、三氟氧磷出现淡黄色就不能使用。一、磷沉积工艺条件：炉温：1050 r气体流量：小N2为2080ml/分 小O2为2040ml/分 大N2为500ml/分 源温：0C二、磷再分布工艺条件：炉温：950C 1000C O2 流量：500ml/分 水温：95 C三、高温短时间磷扩散：1、磷预沉积：炉温：1200C扩散源：POCl3大N2流量300ml/分小N2流量：70ml/分 O2流量：85ml/分扩散时间：45分钟（通源）+3分钟（关源）2、磷再分布（三次氧化）炉温：900C O2 流量：500ml/分 氧化时间：15分（湿O2） +10分（干O2）四、HCl抛光：当炉温1180C时，HCl/N
5、2=1.1%, N2流量为400ml/分情况下，抛光30分钟。五、磷合金工艺文件：合金温度：500C570C，合金时间：1020分钟。（例如：在550C下通源5分钟，通N210分钟）六、箱法锑扩散：（双极型半导体集成电路） 配源：Sb2O3： SiO2=1： 4石英箱3i片1、硅片清洗2、配源3、源脱水：将配好的源平铺在石英箱底上，盖上石英盖（不得盖得 很紧，留点缝口，这样可减少合金点）放在炉口预热5分钟，推入恒温区脱水20分钟（炉 温：1220 C气体流量：1000ml/分+普N2300ml/分）4、装置5、扩散：炉温为1200C，气体流量同上，炉温稳定后，把装好的石英箱放在炉口 预热5分钟
6、，再推入恒温区扩散2.5小时，到时通干O25分钟，再把石英箱拉至炉口冷却， 当温度降到室温时，取出硅片。七、固态氮化硼扩散：炉温：1050C O2 流量：300ml/分氮化硼源制备固态氮化硼制备1、氮化硼活化与试片：炉温：950C通O2气30分钟2、基区硼预沉积：炉温：960C N2流量：500ml/分沉积时间：30分钟3、基区硼再分布：炉温：1140C 水浴温度：95 C 02： 500ml/分再分布时间：7分钟（干02） +30分钟（湿02） +20分钟（干02）八、固一固扩散：硼固-固扩散沉积装置vp九、磷扩散:小功率晶体管：银浆烧结工艺烧结石英管一般通N2保护，或抽真空10-210-3
7、托。装好片的底座，放在钼舟上 推入石英管，先在炉口预烧数分钟，去除银浆中气泡，然后推入恒温区，温度为350r 400C，时间约20分钟，然后慢慢降温取出。2、金锡合金烧结：通H2或抽真空10-3托，烧结温度为：420C450 C，恒温20分钟，拉至炉口自 然冷却，金一硅低于其熔点370C，烧结温度冷却反应高于此。3、焊接引线：铝丝退火一般在H2或真空中进行，而金丝在高纯N2或真空中退火，退火温度为 400C450C，恒温1520分钟，自然冷却。4、封装： 晶体封装：玻璃管壳封装、金属管壳封装和塑料封装。 金属壳密封用电焊法和冷焊法（电焊法用点焊机焊）5、集成电路封装：分为金属封装、塑料封装、陶瓷玻璃封装（烘箱中、）陶瓷金属 封装。6、氮化硅薄膜制备：化学气相淀积（CVD法）、辉光放电法、反应溅射法。
