模电基本知识

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1、模拟电子技术基础知识 1-6第一章 半导体器件 填空1. 弄清半导体基本概念：本证半导体、在杂质半导体、 N 型半导体、P型半导体、多子、少子、扩散运动、漂移运动。2. 本征半导体中自由电子浓度（等于）空穴浓度。杂质半导 体多数载流子的浓度取决于（杂质浓度）。N型半导体、P型半导体均（呈中性）3. 当PN结正向偏置时，多子扩散运动（大于）少子漂移运动。反向偏置时，多子扩散运动（小于）少子漂移运动。4. 当PN结正向偏置时，空间电荷区（变窄），呈现的电阻 性能（变小）。 PN 结反向偏置时，空间电荷区（变宽 ）， 呈现的电阻性能（变大）PN结中的内电场方向是（N区指向 P 区）。5. 当 PN

2、结正向偏置时，内电场（减弱 ）。当 PN 结反向 偏置时，内电场（增强 ）。6. 二极管的死区电压（即开启电压）的大小与环境温度及材 料有关，硅二极管的死区电压约为（ 0.5V ）。锗二极管的死区电压约为（ 0.1V ）。7. 锗材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压 UD 为（0.2V）硅管为（0.7v）8. 理想二极管构成的电路如1=1丄3kQ,VD16V所示，则（VD导通，UO=-10V）9. 二极管的电流方程是（I (eu/ut 1) s10.在图示电路A丄匚 # M D2中 A 点电位为 3V，B 点电位为0V，F点的电位为（3V）ip +5V11在图示电路 DI中 A 点电位为

3、3V， B 点电位 为0V, F点的电位为（0V ）D212. 图示电路当 A=3V，B=3V 时，二极管 D1（导通 ），D2（导通）。DI+5713. 在图示电路必冲A点电位为3V, B点电位为3V，F点的电位为（3VR14. 图示电路的正向压降为0.7V,则uu = 3V ,电阻R=1kQ,二极管i为( 0.7V)。；,u = 3V，电阻 R = 1kQ,二极管i15. 图示电路。的正向压降为0.7V，则u为（15V）o16.图示电路 Tf 1 , u = 3V，电阻 R= 1kQ,二极管i的正向压降为0.7V，则u为（4.3V）o17. 晶体管工作在截止区时，（发射结反向偏置、集电结反

4、 向偏置 ）。晶体管工作在放大区时，（发射结正向偏置、 集电结反向偏置）。晶体管工作在饱和区时，（发射结正向 偏置、集电结正向偏置）。18. 晶体管发射结正偏，集电结反偏，若此时仅增大u ,CE 则（ IC 基本不变）。19. 处于放大状态的 NPN 型晶体管，各电极的电位关系是（U U U）测到三极直流电位介于中间的为（基极）,CBE与基极相近的为（射极），剩余的为（集电极）。20. 处于放大状态的 PNP 型晶体管，各电极的电位关系是（ u u u ）测到三极直流电位，介于中间的为（基极），EBC与基极相近的为（射极），剩余的为（集电极）。21. 测得工作在放大区的晶体管，各极对地电位分别

5、为2.7V，3V，6.8V；9V，8.3V，2V；10V，6V，6.2V， 则对应的三个电极分别是（发射极，基极，集电极 ）；（发 射极，基极，集电极）；（集电极，发射极，基极）。22. 在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V , U2= - 3V, U3= - 2.7V ,则可知该管为（NPN 锗管）。某一正常工作的晶体三极管测得三个管脚对“地”的电位分别为：10V, -6V,- 6.2V,则该三极管为（PNP锗管）。23.BJT 管是（电流控制电流 ）器件。测得晶体管三个电极的静态电流分别为006mA、3.66mA和36mA。则该管的B值为（60 ）24. 某硅半导体三极

6、管各电极对地的电压值为VC = 6V ,VB =0.7V, VE = 0V，晶体管工作在（放大区）25. 某硅半导体三极管各电极对地的电压值为VC = 6V ,VB = 2V, VE = 13V ,晶体管工作在（放大区）26. 当温度升高时,半导体三极管的参数将发生的变化是（0增加，Iceo增加，u减小）温度升高时，BJT的BE输出特性曲线（上移 ）。27.根据晶体管的工作状态不同,可以将输入输出伏-安特性曲线分为（放大区、饱和区、截止区）三个区。28.某工作在放大状态的三极管，当基极电流i由60pA降B低到40pA时，集电极电流i由2.3mA降低到1.5mA ,C则此三极管的动态电流放大系数

7、0为（ 40）。29.晶体管能够放大的内部条件是（发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,并且基区很薄,集电结面积比发射结大 ）。30.某晶体管发射极电流为1mA，基极电流为20pA，则集电极电流为（0.98 ）mA。31. 场效应管是（电压控制电流）器件。32. N 沟道 JFET 正常工作时，栅极与源极间所加电压的极性为（ 负）。33. 场效应管的三个工作区域包括（可变电阻区、恒流区夹断区34. N沟道JFET符号为（片 ）35. 对于结型场效应管，栅、源极之间的 PN 结（必须反偏）。36.某场效应管的转移特性如2所示，则该管是（耗尽型NMOS ）场效应管。37. 当场效应管的漏极直流电流i从

8、2mA变为4mA时，D它的低频跨导g将（增大）m38. N沟道增强型MOSFET符号为（）39. MOSFET是利用栅源电压的大小来控制（ 漏极）电流的大小。1. 半导体导电机理与导体导电机理一样，都是仅仅由于自由电子的定向移动形成。（ N ）2. 温度对本征半导体的导电性能几乎没有影响。（N）3. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（Y ）4. 稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在正向导通状态。（ N ）5. 半导体共价键中的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚成为自由电子的现象称为本征激发。（ Y ）6. 在本征半导体中，自由电子与空穴总是成对出现的。（Y ）7. 在本征半导体中

9、掺入少量 5 价元素杂质，可以构成 N 型半导体。（ Y ）8. 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（ Y ）9. PN 结正偏时，内电场与外电场方向相反。（ Y ）10. PN 结正偏时，内电场与外电场方向相同。（ N ）11. 在电场力作用下，载流子的运动称为扩散运动。（ N ）12.P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（ N13. 稳压二极管的稳定电流是稳压管工作在稳压状态时的参考电流，只要不超过额定功率，电流愈大，稳压效果愈 好。（ Y ）14. 稳压二极管的动态电阻愈大，稳压管的稳压特性愈好。（N ）15. 稳压管电路中必须串联一个电阻来限制

10、电流，称这个 电阻为限流电阻。（ Y ）16. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动 形成的o （N ）17. 物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种 由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。（Y ）18. 当 PN 结的反向电压超过一定数值后，反向电流急剧 增加，称之为反向击穿。击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩 击穿两种。（Y ）19. 在一定条件，PN结具有电容效应，根据产生原因的不 同分为势垒电容和扩散电容o （Y ）20. 最大整流电流是二极管长期运行时允许通过的最大正 向平均电流。（Y）21. 二极管最高反向工作电压就是击穿电压o （ N ）22. 晶体管比效应管的温度稳定

11、性好、抗辐射能力强。N)23.半导体之所以被重视，是因为其导电能力在不同的条件下有显著的差异。（Y ）24. 二极管可以长期使用，通过它的电流不受限制。( N )25.二极管正偏导通时可以用开路取代，反偏截止时可以用短路取代。(N )26.当晶体管工作在饱和区时，晶体管失去线性放大作用。Y)27.工作在放大区的晶体管具有线性放大作用。( Y28.在晶体管中发射结是指基区与集电区之间的PN 结。N)29.在开关电路中，晶体管工作在截止区或饱和区，相当于一个开关的断开或接通。( Y )30. 不论何种类型的晶体管，其内部均有发射区、基区和集电区 3 个区。( Y )31. 硅管比锗管受温度影响要大

12、的多。( N )32.场效应管靠半导体中的多数载流子导电，称双极型晶体管。(N)33. N 沟道结型场效应管中的载流子是电子和空穴。( N)34. P 沟道结型场效应管中的载流子是电子和空穴。( N)35.所谓耗尽型场效应管是指当栅源间不加电压时，就存在导电沟道。( Y )36. 当栅源间不加电压时，没有导电沟道的场效应管属于增强型场效应管。( Y )37.对于 JFET 管，在可变电阻区改变栅源电压的大小可以有效地控制沟道电阻的大小。（Y ）38. 当 JFET 工作特性进入恒流区时，漏极电流基本保持不变。（ Y ）39. JFET 是电压控制电流器件，漏极电流受栅源间电压的控制。（ Y ）

13、40. 利用场效应管做放大管时，应使其工作在恒流区。（Y）第二章 基本放大电路填空1、对于基本共射放大电路的特点，输出电压与输入电压相 位关系是（输出电压与输入电压相位相反 ）。2、在基本共射极放大电路中，集电极电阻 R 的作用是（将C 输出电流的变化量转化为输出电压的变化量）3、在放大电路中，若负载电阻Rl越大，则其电压放大倍数 （ 越大）。4、共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位关系为同相）。5、电路如下图所示，已知 UCC= 12V , RC = 3kQ,B = 40,忽略u ，若要使静态时u 9V ,则R 应取BE CE B（480kQ）6、如下图所示放大电路中，电容C断开后电路

14、的E电压放大倍数将（减小 ）。7、用示波器观察 NPN 管共射单管放大器的输出电压波形如图所示，判断其属于何种类型的失真（截止失真）8、由NPN管组成的单极共射放大电路，当输入正弦波电压Uo时，输出UO如下所示，可确定输出波形产生的失真为（饱和失真）。9、放大电路的哪一个性能指标决定了放大电路放大能力的 大小。（电压增益 ）10、放大电路的哪一个性能指标决定了放大电路从信号源吸 取信号辐值的大小。（输入电阻 ）11、放大电路的哪一个性能指标决定了放大电路带负载能力 的大小。（输出电阻 ）12、输入端信号的峰峰值电压为5mV ,输出端测到的信号峰一峰值电压为1V ,则电压增益为（200）13、射极输出器的电压放大倍数（ 小于 1 但接近于 1 ） 14、交流信号放大电路产生饱和失真的原因是（静态工作点 选择过高）。15、作放大电路的交流通路时，电路中的电容相当于（短路）， 直流电源相当于（短路）。16、作放大电路的直流通路时，电路中的电容相当于（开路）， 信号源相当于（短路）。17、共集电极放大电路的电压放大倍数（ 小于 1），而电流放大倍数（很大）。18、路 ）。19、常用于电压放