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(19 )中华人民共和国国家知识产权局(12 )发明专利申请(10)申请公布号CN102543686A(43)申请公布日2012.07.04(21) 申请号 CN201210030415.4(22) 申请日 2012.02.10(71)申请人上海先进半导体制造股份有限公司地址200233上海市徐汇区虹漕路385号(72 )发明人吴正泉;李鹏(74 )专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郑玮(51) Int.CIH01L21/027;权利要求说明书说明书幅图(54 )发明名称半导体衬底聚酰亚胺工艺(57)摘要本发明提供一种半导体衬底聚酰亚胺工 艺，在湿法去胶后增加一步干法去胶，其等离子 气体能够彻底将钝化层表面残留的副产物去除干 净，以最终达到在聚酰亚胺光刻工艺显影后无聚 酰亚胺残留物的良好结果，实现了产品在该步骤 零返工的目的，减少了产品的产出时间，节省制 造成本。法律状态
