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1、MOS管使用注意事项1相关的 MOS 管的理论知识1.1 概述场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。一般的晶 载流子和反极性的少数载流子参与导电因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多 反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108 范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双 者。1.2 分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而 则因栅极与其它电极完全绝缘而得名 目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为 管（即金属-氧化物-半导体场效应管M0SFET）；此外还有P
2、MOS、NM0S和VM（ 的nMOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若 分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效 型； P 沟耗尽型和增强型四大类。见下图。1.1 作用1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。2 常用场效应管的脚位图1 使用注意事项
3、对于 P 沟道 mos 管，VDS = -6 V, VGS = -4.5 V, ID = - 2.8 A 也就是栅极低于源极电压时开始导通。相反对于 N 沟道 mos 管，VDS = 6 V, VGS = 4.5 V, ID=2.8 A 也就是栅极高于源极电压时开始导通。容易出现的错误大家注意到无论是N还是P mos管在D- S之间都有二极管，此二极管起保护作用。例 1：用作为电池充电开关电路正确的接法如下 下图是一幅正确的充电管理原理图1DC INycc OUT J?B.WBO/SOD-323LTCi54.2rTS0T-23UHRG1Q2IRLWLB4O1/SOT29WCCB.WtHRGPR
4、OG GNDU8此处的Q2如果接成如下方式1R41LTC4054.2rTS0T-23DC INH IRLJV1L54D1/SOT33 -E Q2nCHF：G日凸 17汨0匚1卫%1DDKF：40ycc du厂53251-D271C0N3wccB.Wl=HF:GPRuuGNDU8在上图中用的是P沟道mos管由于内部二极管的存在使得电池充电时从VCC_OUT通关断充电管理ic,依然对电池进行充电，失去了控制。例2：用作为开关电路正确的接法如下（低能通，高能断）此处的Q2如果接成如下方式（错误的接法，低能通，高不能断）02I RLML64Q1/SOT23Vin 5 3112 D Vout上图中，无论CTRL电平是高是低，只要VIN有电压VOU就有电压，开关起不到关断作用,
