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1、普通二极管2二极管的基本结构二极管是由一个PN结构成的半导体器件，即将一个PN结加一两条电极引线做成管芯，并用管壳封装而成。P型区的引出线称为正极或阳极，N型区的引出线称为负极或阴极，如图1所示。1旧芹号）图 1 二极管的结构及符号普通二极管有硅管或锗管两种，它们的正向导通电压（PN结电压）差别较大，锗管为0.20.3V，硅管为0.6 0.7V。点接触型二极管 点接触型二极管（如图 2 所示）是由一根很细的金属触丝（如三价元素铝）和一块半导体（如锗）的表面接触， 然后在正方向通过很大的瞬时电流，使触丝和半导体牢固地熔接在一起，三价金属与锗结合构成PN结，并 做出相应的电极引线，外加管壳密封而成
2、。金属丝为正极，半导体薄片为负极。由于点接触型二极管金属丝很细，形成的PN结面积很小，所以极间电容很小，同时，也不能承受高的反向 电压和大的电流。这种类型的管子适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件，也可用来作小电流整流。 如2AP1是点接触型锗二极管，最大整流电流为16mA，最高工作频率为150MHz。面接触二极管面接触二极管（如图3所示）是利用扩散、多用合金及外延等掺杂方法，实现P型半导体和N型半导体直 接接触而形成PN结的。圍3面接斛型二极簷的结构面接触二极管 PN 结的接触面积大，可以通过较大的电流，适用于大电流整流电路或在脉冲数字电路中作开 关管。因其结电容相对较大，故只能在较低的
3、频率下工作，在集成电路中可作电容用。女口 2CP1为面接触型 硅二极管，最大整流电流为400mA，最高工作频率只有3kHz。部分二极管实物如图 4 所示。图5 二极管的伏安特性曲线图4部分二极管的实物图二极管的伏安特性半导体二极管最重要的特性是单向导电性。即当外 加正向电压时，它呈现的电阻（正向电阻）比较小 通过的电流比较大，当外加反向电压时，它呈现的 电阻（反向电阻）很大，通过的电流很小（通常可 以忽略不计）。反映二极管的电流随电压变化的关 系曲线，叫做二极管的伏安特性，如图 5 所示。1）正向特性 当外加正向电压时，随着电压U的逐渐增加，电流I也增加。但在开始的一段，由于外加电压很低。外电
4、 场不能克服PN结的内电场，半导体中的多数载流子不能顺利通过阻挡层，所以这时的正向电流极小（该段 所对应的电压称为死区电压，硅管的死区电压约为00.5伏，锗管的死区电压约为00.2伏）。当外加 电压超过死区电压以后，外电场强于PN结的内电场，多数载流子大量通过阻挡层，使正向电流随电压很快 增长。即：当V0,二极管处于正向特性区域。正向区又分为两段：当0VVth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。当VVth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。（2）反向特性当外加反向电压时，所加的反向电压加强了内电场对多数载流子的阻挡，所以二极管中几乎没有电流通过。 但是这时的外电场能促使少数载流
5、子漂移，所以少数载流子形成很小的反向电流。由于少数载流子数量有 限，只要加不大的反向电压就可以使全部少数载流子越过PN结而形成反向饱和电流，继续升高反向电压时 反向电流几乎不再增大。当反向电压增大到某一值（曲线中的 D 点）以后，反向电流会突然增大，这种现 象叫反向击穿，这时二极管失去单向导电性。所以一般二极管在电路中工作时，其反向电压任何时候都必 须小于其反向击穿时的电压。即：当V0时，二极管处于反向特性区域。反向区也分两个区域：当VBRVVV0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流 IS。当V三VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在
6、反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电 流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅 二极管若|VBR|7 V时，主要是雪崩击穿；若VBRW4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V7 V之间两种击穿 都有，有可能获得零温度系数点。二极管的主要参数半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR、最 高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下：1、最大整流电流IF：是指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管 子
7、发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏。例如2AP1最大整流电流为16mA。2、反向击穿电压VBR：指管子反向击穿时的电压值。击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏, 甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保管子安全运行。例 如2AP1最高反向工作电压规定为2OV，而反向击穿电压实际上大于40V。3、反向电流IR：指管子末击穿时的反向电流，其值愈小，则管子的单向导电性愈好。由于温度增加，反 向电流会急剧增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。4、正向压降VD：在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水 平
8、下，约0.60.8V；锗二极管约0.20.3V。5、动态电阻rd：反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与工作电流的大小有关，即：rd=AVD/ ID。6、极间电容CJ：二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容，在高频运用时必须考虑结电容的影响。二 极管不同的工作状态，其极间电容产生的影响效果也不同。二极管的参数是正确使用二极管的依据，一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时，应特 别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压，否则将容易损坏管子。半导体二极管的温度特性温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8C, 反向电流将约
9、增加一倍；锗二极管温度每增加12C，反向电流大约增加一倍。另外，温度升高时，二极管 的正向压降将减小，每增加1C，正向压降VD大约减小2 mV，即具有负的温度系数。这些可以从图01.13 所示二极管的伏安特性曲线上看出。图6温度对二极管伏安特性曲线的影响半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下用数字代表同类型器件的不同型号用字母代表器件的类型，P代表普通管用字母代表器件的材料，A代表N 型Ge.B代表P型Ge, C代表N型Si, D代表P型Si 2代表二极管，3代表三极管.普通二极管的检测普通二极管（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结
10、构成 的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还 可估测出二极管是否损坏。（1）极性的判别将万用表置于RX100档或RXlk档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再 测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为 正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。（2）单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为lkQ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5kQ左 右，反向电阻值为（无穷大）。正向电阻越小
11、越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说 明二极管的单向导电特性越好。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测 得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。（3）反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试 表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试 表的“e”插孔，然后按下“V （BR） ”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将 二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如 图7所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二 极管的反向击穿电压。玮二躍 表示符号B+表眾特导.MUD瀝二蹄桥式整疣二极管表示符号:DMH稳压二檻営双色拔:光二规管肖诗塞二据営隧道二機営光敏二极莒或光电接收二极管了E r1 LJ光瞰三機彗皱光电搖收三錢 管单结晶处背C双棊极二搬 管）表弼号：QVT聽示爵号；Qb矍合三強忖郎J型三憑管表那号:QVT表彌号：Q.VT图 8 二极管符号
