化学选修三高考专题练习

上传人:大米 文档编号:564459288 上传时间:2022-11-25 格式:DOC 页数:4 大小:195KB
返回 下载 相关 举报
化学选修三高考专题练习_第1页
第1页 / 共4页
化学选修三高考专题练习_第2页
第2页 / 共4页
化学选修三高考专题练习_第3页
第3页 / 共4页
化学选修三高考专题练习_第4页
第4页 / 共4页
亲,该文档总共4页,全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
资源描述

《化学选修三高考专题练习》由会员分享,可在线阅读,更多相关《化学选修三高考专题练习(4页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、化学选修3专题练习1、A、B、C、D、E、F、G七种元素,除E为第四周期元素外,其余均为短周期元素。A、E、G位于元素周期表的s区,其余元素位于p区。A、E的原子最外层电子数相同,A的原子中没有成对电子;B元素基态原子中电子占据三种能量不同的原子轨道,且每种轨道中的电子总数相同;C元素原子的外围电子层排布式为nsnnpn+1;D元素的电负性为同周期元素第二高;F的基态原子核外成对电子数是成单电子数的3倍;G的基态原子占据两种形状的原子轨道,且两种形状轨道中的电子总数均相同。回答下列问题:(1)写出下列元素的元素符号:D ,G 。(2)原子序数比D小1的元素的第一电离能高于D的原因是 。(3)由

2、A、B、C形成的ABC分子中,含有 个键, 个键。(4)由D、E、F、G形成的E2DF4、GDF4的共熔体在冷却时首先析出的物质是 (填化学式),原因是 。2.化学物质结构与性质(15分)现有六种元素,其中A、B、C、D为短周期主族元素,E、F为第四周期元素,它们的原子序数依次增大。请根据下列相关信息,回答问题A原子核外电子分占3个不同能级,且每个能级上排布的电子数相同B元素原子的核外p电子总数比s电子总数少1C原子p轨道上成对电子数等于未成对电子数,且与A同周期D元素的主族序数与周期数的差为4,且不与A元素在同一周期E是第七列元素F是第29号元素(1)A的基态原子中能量最高的电子,其电子云在

3、空间有 个方向,原子轨道呈 形。(2)E2+的基态核外电子排布式为 。(3)A、B、C三种元素的最简单氢化物的熔点由低到高的顺序是 。A、B、C三种元素中与AC2互为等电子体的分子的结构式为 。(用元素符号表示)(4)BD3 中心原子的杂化方式为 ,其分子空间构型为 。(5)用晶体的x射线衍射法对F的测定得到以下结果:F的晶胞为面心立方最密堆积(如右图),又知该晶体的密度为9.00g/cm3,晶胞中该原子的配位数为 ;F的原子半径是 cm;(阿伏加德罗常数为NA,要求列式计算)。3【化学选修3:物质结构与性质】(15分)已知A、B、C、D、E、F为元素周期表中原子序数依次增大的前20号元素,A

4、与B;C、D与E分别位于同一周期。A原子L层上有2对成电子, B、C、D的核外电子排布相同的简单离子可形成一种C3DB6型离子晶体X,,CE、FA为电子数相同的离子晶体。(1)写出A元素的基态原子价电子排布式 ;F离子电子排布式 。(2)写出X的化学式 和化学名称 。 (3)写出X涉及化工生产中的一个化学方程式 。(4)试解释工业冶炼D不以DE3而是以D2A3为原料的原因: 。 B F(5)CE、FA的晶格能分别为786 KJ/mol l、3401KJ/mo,试分析导致两者晶格能差异的主要原因是: 。(6)F与B可形成离子化合物,其晶胞结构如图所示:F与B形成离子化合物的化学式为_;该离子化合

5、物晶体的密度为a g/cm3,则晶胞的体积是 (只要求列出算式)。22.【化学选修3物质结构与性质】(15分)A、B、C、D四种短周期元素,原子序数依次增大,原子半径按C、D、B、A顺序逐渐减小。A、C同主族,B、D同主族;A、C的原子核内质子数之和为B、D的原子核内质子数之和的一半;C元素与其它三种元素均能形成离子化合物。试回答下列问题:(1)B的离子符号 ;D基态原子的核外电子排布式 ;C、D形成化合物的电子式 ;(2)同时含有上述四种元素的化合物有多种,试写出其中两种的化学式(要求:其中有一种水溶液显中性)_、_;(3)A、B、C三元素中各由两种组成的两种化合物,相互反应生成A的单质的化

6、学方程式为_ ;(4)B、C、D三元素中各由两种组成的两种化合物,发生化合反应且属于氧化还原反应的化学方程式为 。4化学选修3:物质结构与性质(15分)已知:A、B、C、D、E是周期表中前36号元素,A是原子半径最小的元素,B元素基态原子的2P轨道上只有两个电子, C元素的基态原子L层只有2对成对电子,D元素在第三周期元素中电负性最大,E2+的核外电子排布和Ar原子相同。请回答下列问题:(1)分子式为BC2的空间构型为 ;D元素原子的核外电子排布式为 。(2)B第一电离能比C_(填“大”或“小”);A与B形成的最简单化合物的分子空间构型为_,其中心原子的杂化为 。(3)A2C所形成的晶体类型为

7、 ;E单质所形成的晶体类型为_。(4)若向由A、C组成某种化合物的稀溶液中加入少量二氧化锰,有无色气体生成。则该化合物的分子式是 ,属于 分子(填:“极性”或“非极性”),该反应的化学方程式是:_。(5)C跟E可形成离子化合物,其晶胞结构与NaCl的晶胞相似,同为面心立方结构。该离子化合物晶体的密度为gcm-3,NA表示阿伏加德罗常数,则该离子化合物晶胞的体积是 (用含、NA的代数式表示)。5.【化学选修物质结构与性质】(15分)2010年上海世博会场馆,大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED)。目前市售LED晶片,材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、lnGaN

8、(氮化铟镓)为主。已知镓是铝同族下一周期的元素。砷化镓的晶胞结构如右图。试回答:镓的基态原子的电子排布式是 。砷化镓晶胞中所包含的砷原子(白色球)个数为 ,与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为 。N、P、As处于同一主族,其氢化物沸点由高到低的顺序是 (用氢化物分子式表示)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。比较二者的第一电离能:As_Ga(填“”或“=”)。下列说法正确的是 (填字母)。A砷化镓晶胞结构与NaCl相同BGaP与GaAs互为等电子体C电负性:AsGa D砷化镓晶体中含有配位键6.2012江苏化学,21A一项科学研究成

9、果表明,铜锰氧化物(CuMn2O4)能在常温下催化氧化空气中的一氧化碳和甲醛(HCHO)。(1)向一定物质的量浓度的Cu(NO3)2和Mn(NO3)2溶液中加入Na2CO3溶液,所得沉淀经高温灼烧,可制得CuMn2O4。Mn2基态的电子排布式可表示为 _。NO的空间构型是_ (用文字描述)。(2)在铜锰氧化物的催化下,CO被氧化为CO2,HCHO被氧化为CO2和H2O。H2O分子中O原子轨道的杂化类型为_。1 mol CO2中含有的键数目为_。(3)向CuSO4溶液中加入过量NaOH溶液可生成Cu(OH)42。 不考虑空间构型,Cu(OH)42的结构可用示意图表示为_。72012课标全国理综,

10、37A族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含A族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题:(1)S单质的常见形式为S8,其环状结构如下图所示,S原子采用的轨道杂化方式是_;(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为_;(3)Se原子序数为_,其核外M层电子的排布式为_;(4)H2Se的酸性比H2S_(填“强”或“弱”)。气态SeO3分子的立体构型为_,SO离子的立体构型为_;(5) H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因:_ _ (6)ZnS在荧光体

11、、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如下图所示,其晶胞边长为540.0 pm,密度为_gcm3(列式并计算),a位置S2离子与b位置Zn2离子之间的距离为_pm(列式表示)。82012大纲全国理综,27原子序数依次增大的短周期元素a、b、c、d和e中,a的最外层电子数为其周期数的二倍;b和d的A2B型氢化物均为V形分子,c的1价离子比e的1价离子少8个电子。回答下列问题:(1)元素a为_;c为_;(2)由这些元素形成的双原子分子为_;(3)由这些元素形成的三原子分子中,分子的空间结构属于直线形的是_,非直线形的是_;(写2种)(4)这些元素的单质或由它们形成的AB型化合

12、物中,其晶体类型属于原子晶体的是_,离子晶体的是_,金属晶体的是_,分子晶体的是_;(每空填一种)(5)元素a和b形成的一种化合物与c和b形成的一种化合物发生的反应常用于防毒面具中,该反应的化学方程式为_。9(1)C、Si、Ge、Sn是同族元素,该族元素单质及其化合物在材料、医药等方面有重要应用。请回答下列问题:Ge的原子核外电子排布式为 C、Si、Sn三种元素的单质中,能够形成金属晶体的是 按要求指出下列氧化物的空间构型、成键方式或性质a.CO2分子的空间构型及碳氧之间的成键方式 ; b.SiO2晶体的空间构型及硅氧之间的成键方式 ; c.已知SnO2是离子晶体,写出其主要物理性质 (写出2条即可)d.CO可以和很多金属形成配合物,如Ni(CO)4,Ni与CO之间的键型为 (2)将0.3mol的气态高能燃料乙硼烷(B2H6)在氧气中燃烧,生成固态三氧化二硼和液态水,放出649.5kJ

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 学术论文 > 期刊/会议论文

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号