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1、泓域咨询/南昌碳化硅项目实施方案目录第一章 行业发展分析8一、 乘碳中和之东风，2025年市场规模有望较2020年翻5倍8二、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积9三、 新能源汽车：800V架构下的甜蜜时刻，SiC渗透的核心驱动力10第二章 绪论12一、 项目名称及投资人12二、 编制原则12三、 编制依据13四、 编制范围及内容13五、 项目建设背景14六、 结论分析15主要经济指标一览表17第三章 产品规划方案19一、 建设规模及主要建设内容19二、 产品规划方案及生产纲领19产品规划方案一览表19第四章 建筑工程技术方案21一、 项目工程设计总体要
2、求21二、 建设方案22三、 建筑工程建设指标23建筑工程投资一览表23第五章 SWOT分析说明25一、 优势分析（S）25二、 劣势分析（W）26三、 机会分析（O）27四、 威胁分析（T）27第六章 法人治理结构31一、 股东权利及义务31二、 董事33三、 高级管理人员38四、 监事41第七章 运营管理44一、 公司经营宗旨44二、 公司的目标、主要职责44三、 各部门职责及权限45四、 财务会计制度48第八章 节能可行性分析52一、 项目节能概述52二、 能源消费种类和数量分析53能耗分析一览表54三、 项目节能措施54四、 节能综合评价55第九章 原辅材料及成品分析57一、 项目建设
3、期原辅材料供应情况57二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理57第十章 环境影响分析58一、 环境保护综述58二、 建设期大气环境影响分析58三、 建设期水环境影响分析59四、 建设期固体废弃物环境影响分析59五、 建设期声环境影响分析60六、 环境影响综合评价61第十一章 劳动安全生产分析62一、 编制依据62二、 防范措施63三、 预期效果评价69第十二章 进度计划方案70一、 项目进度安排70项目实施进度计划一览表70二、 项目实施保障措施71第十三章 投资计划72一、 投资估算的依据和说明72二、 建设投资估算73建设投资估算表75三、 建设期利息75建设期利息估算表75四、 流动资金
4、77流动资金估算表77五、 总投资78总投资及构成一览表78六、 资金筹措与投资计划79项目投资计划与资金筹措一览表80第十四章 经济效益及财务分析81一、 基本假设及基础参数选取81二、 经济评价财务测算81营业收入、税金及附加和增值税估算表81综合总成本费用估算表83利润及利润分配表85三、 项目盈利能力分析86项目投资现金流量表87四、 财务生存能力分析89五、 偿债能力分析89借款还本付息计划表90六、 经济评价结论91第十五章 风险评估92一、 项目风险分析92二、 项目风险对策94第十六章 项目招投标方案96一、 项目招标依据96二、 项目招标范围96三、 招标要求97四、 招标组
5、织方式97五、 招标信息发布99第十七章 项目总结分析100第十八章 附表102建设投资估算表102建设期利息估算表102固定资产投资估算表103流动资金估算表104总投资及构成一览表105项目投资计划与资金筹措一览表106营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表108固定资产折旧费估算表109无形资产和其他资产摊销估算表110利润及利润分配表110项目投资现金流量表111报告说明SiC衬底和外延技术壁垒较高，存在长晶速度慢、扩径难度高、杂质控制难度高等难点。目前行业处于寡头垄断局面，Wolfspeed占据全球SiC材料超过60%市场份额（根据Yole）。2020年SiC材
6、料市场规模5.92亿美元，2025年将达29.90亿美元，CAGR为38.2%。1）目前全球SiC材料处于跑马圈地阶段，海内外加速扩产，国内远期规划年产能超400万片/年，建议关注重复建设问题；2）虽然国内产能规划量很大，但是由于良率及衬底质量原因，国内有效产能仍然稀缺，尤其是导电型衬底，中长期行业能达到45%-50%毛利率，建议关注具备优质产能的龙头。根据谨慎财务估算，项目总投资21281.50万元，其中：建设投资17093.47万元，占项目总投资的80.32%；建设期利息175.23万元，占项目总投资的0.82%；流动资金4012.80万元，占项目总投资的18.86%。项目正常运营每年营业
7、收入37500.00万元，综合总成本费用32058.87万元，净利润3958.78万元，财务内部收益率11.00%，财务净现值954.37万元，全部投资回收期7.05年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 行业发展分析一、 乘碳中和之东风，2025年市场规模有望较2020年翻5倍2020年全
8、球SiC器件市场规模达11.84亿美元，预计到2025年有望增长至59.79亿美元，对应CAGR为38.2%。根据测算，在碳中和趋势下，受益于SiC在新能源汽车、光伏、风电、工控等领域的持续渗透，SiC功率器件市场规模有望从2020年的2.92亿美元增长至2025年的38.58亿美元，对应CAGR为67.6%；5G、国防驱动GaN-on-SiC射频器件加速渗透，逐步取代硅基LDMOS，SiC射频器件市场规模有望从2020年的8.92亿美元增长至2025年的21.21亿美元，对应CAGR为18.9%。下游SiC功率及射频器件高速增长的需求也将带动SiC材料市场规模快速成长，按照SiC材料在SiC
9、器件中价值量占比50%计算（根据CASA），预计将由2020年的5.92亿美元增长至2025年的29.90亿美元，对应CAGR为38.2%。从下游领域来看，新能源汽车为SiC市场的核心驱动力。新能源汽车逐步向800V架构时代迈进，SiC相比于IGBT在耐高压、耐高温、频率、损耗、质量体积等方面优势更加明显。同时随着全球产能开出及良率提升，SiC价格下探将驱动其在新能源车中的逆变器、OBC等部件中加速渗透。根据Wolfspeed测算，2020年全球SiC器件市场规模中，新能源汽车领域占比约为22.51%，随着SiC在主逆变器和OBC中的加速渗透，预计到2025年占比将提升至50.26%，为第一大
10、驱动力。此外，基于SiC较IGBT的性能优势，随着SiC器件及模块成本的下降，预计SiC在光伏、风电等新能源发电领域渗透率也将逐步提升，预计市场规模占比到2025年提升至8.84%；工控市场规模占比到2025年提升至5.43%。二、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案，如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET，如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT，则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右（按照艾睿供应商网站价格计算，实际
11、大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上使用。1）损耗更低：根据ST的数据，800V系统下，1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低，在常用的25%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%，在100%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2）高压下性能优势更加明显：在400V左右的直流母线电压下，需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下，功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞
12、凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT，但对比之下，SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据，在400V电压平台下，SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升；而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知，1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显，主要体现为损耗降低幅度更大。3）耐高温：SiC的结温更高，能够在超过175度的高温下正常工作，较IGBT更加适合高温环境。4）体积节约：根据ST，在10kHz工作频率和800V架构的情况下，对于一个210kW的逆变器，若采用全SiC
13、MOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案：1）使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2；2）开关损耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9倍。3）损耗的降低使得PCU（电源控制单元）的尺寸得以减少，相对应的冷却系统体积也将得以简化。三、 新能源汽车：800V架构下的甜蜜时刻，SiC渗透的核心驱动力SiC功率器件主要包括SBD、JFET、MOSFET和模块，在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于早期，主要器件类型为SiC二极管，以及在高端车系应用，目前渗透率较低。未来随着：1）特斯拉、比亚迪等头部新能源车厂带来的“示范效应”，更多车企
14、将会逐步采用SiC方案；2）碳化硅器件价格逐步下降，成本经济效益不断提升；3）800V架构时代来临，SiC在高压下较IGBT性能优势更为明显，损耗降低幅度更大。SiC在新能源车主逆变器及OBC中渗透率将快速提升。碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速渗透期。2018年，特斯拉Model3率先使用由意法半导体提供的SiCMOSFET，开启电动汽车使用SiC先河，随后比亚迪、保时捷、丰田等汽车制造商陆续推出应用碳化硅器件新车型。其中，在2020年比亚迪汉搭载自主研发制造的SiCMOSFET控制模块，整体加速性能及续航能力均得到显著提升。2021年，碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速增长阶段，国内外
15、众多车型均开始应用碳化硅器件。根据各公司公告信息，在未来几年，小鹏、捷豹、路虎、雷诺等越来越多的厂商将在其新车型中使用SiC器件，新能源汽车中应用SiC器件以提升性能、实现轻量化为大势所趋。第二章 绪论一、 项目名称及投资人（一）项目名称南昌碳化硅项目（二）项目投资人xxx有限责任公司（三）建设地点本期项目选址位于xxx（以最终选址方案为准）。二、 编制原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠，保证项目投产后，能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠，并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施，以降低投资，加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求，符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案，以最大程
