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1、无机闪烁晶体、塑料闪烁体简介无机闪烁晶体、塑料闪烁体简介一无机闪烁晶体1闪烁晶体与辐射探测X射线、核医学放射性核素成像、环境辐射监测、高能射线探测，其原理都是利用光子流作为射线源,射线穿透人体或物质，再从人体或物质中发射出来或射线直接被探测器接收而形成影像。所以探测器系统对射线的接收程度就成为关键的因素之一,常用的技术有:气体电离室探测、半导体材料探测、闪烁晶体探测等。而闪烁晶体因其固有的吸收射线辐射发光的特性就成为测量射线能量和强度的良好材料。无机闪烁晶体主要应用领域有高能物理、核物理、核医学（如XCT、PET以及g相机）、工业应用（工业CT)、地质勘探、石油测井等。闪烁晶体在射线的激发下能
2、发出位于可见光波段的光波，不同的闪烁体最大闪烁发射波长、光产额、闪烁衰减时间、辐射长度、辐照硬度及密度、熔点、硬度、吸潮性等物理性质都有所不同。现实中没有任何一种闪烁体能满足全部使用要求,每种闪烁晶体都有各自的优缺点，使用中需根据具体要求及应用领域选择不同的材料。一般来说无机闪烁晶体用于辐射探测时基本应具备以下几个条件：具有较高的发光效率及较好的能量分辨率。3在自身发光波段内无吸收，即有较高的透过率。较短的发光衰减时间（时间分辨好)。发射光与光探测元件光谱响应相匹配.较大的辐照硬度(抗辐射损伤)。7较好的热稳定性（发光效率受温度影响小）。8易于加工成各种形状和尺寸。较好的化学稳定性（不吸潮）。
3、现已开发的无机闪烁体如下：NaI（T)s sI（Na).CsI（Tl） Li（Eu） .C2（u) .CdF2、BaF2.CeF 。BO（Bi3Ge42).WO（ZWO4） .O（CdWO）4 .PO(PbWO4).GO:Ce（Gd2OO5：C） .LP:（LAlO3：Ce） YAP：Ce（Y AO:Ce）。LSO：Ce（Lu2SiO5：Ce)等. 无机闪烁晶体特性及应用领域aI和BGO是目前应用较多的闪烁晶体，Na（Tl)光输出大。对NI（Tl）光输出的界定是以最早的塑料闪烁体-蒽(C14H10）来标定,相对于蒽，NI（l）的相对光输出为20%。NaI（Tl） 晶体密度较低（3.65g/cm
4、3）， BG有较高的密度（7。13g/m），但光输出较低(只有Na(Tl）的8%）.现处于较前沿的闪烁晶体有：GSO(Ce）、YAP(Ce）、LP（Ce)、LSO（C）等.这些晶体光输出较高，如LS(Ce)约为NaI(Tl）的75%,且衰减时间快、密度高。因其优良的性能,尽管造价昂贵，但仍不失为高能探测的理想材料。2碘化钠NaI(Tl）晶体 I(）晶体的发光效率在所有与光电倍增管耦合的闪烁晶体中是最高的,光产额为300 （光子数/MeV)，其余晶体的发光效率常以其相对于NI(T)的百分数来表示。NaI（Tl)因具有很高的光产额且受温度的影响相对较小（可在70时使用)，且成本低廉,所以较早应用于
5、地质勘探及核医学中作为探测X射线、射线的敏感元件，迄今仍在广泛使用。常见有NI（Tl）单晶及热锻NaI(l）闪烁晶体，Table .1为aI（Tl)单晶及热锻I(Tl)闪烁晶体性能。Tabl .1intillationPropetis Na（Tl) and POLSIN I（l） ystaliy gcm33.7Mltn pon 92Theal epaion cofcet 174 106Cleavage plane（00)Hrdness （Mho）2ygroscopicsWavelegth feiion maximum n45efracie idex at emsion axu1.85Prmar
6、ydeca tme 0。2Tepeaurecoeficient of lght ield。 Lght ye photons/MeV 3 1032。1.1 Na（Tl)单晶NaI(Tl）单晶是以aI为基质材料掺以适当浓度的Tl生长而成的闪烁晶体材料。Fi.1是aI(T）晶体的发光光谱,其最大发射波长在1，可以与光电倍增管的光阴极很好的匹配。i。2表示了温度对晶体光输出的影响。可以看出，相对于CsI和BGO晶体，N（)在高温时具有更高的发光强度，这使其在环境温度较高的场合有更强的适应性，例如油井或空间探测.NI(T)晶体易受辐射损伤,若长时间暴露在高强度的辐照下则会降低其闪烁性能，一般在射线强度高
7、于2rad时就会观察到辐射损伤。所以晶体不要暴露在来自荧光灯或太阳光的紫外线辐照下.2。1.2热锻aI（T）闪烁晶体热锻aI(T)晶体是以aI（）单晶为毛坯，在一定的温度和压力下通过塑性形变而成。晶体在发生塑性形变后，由于位错的不断交互和增殖，形成了位错多边化和亚晶粒结构,改善了原单晶易沿（00)面解理的特性,从而提高了其抗冷热冲击和机械震动的能力，而闪烁性能却不受影响.此外,通过热锻工艺更易于制备各种复杂几何形状和大尺寸的晶体,如六边形、正方形、矩形等晶体器件以及长度超过200mm的晶体。目前热锻NaI（l）已广泛应用于空间研究、石油测井、地质勘探及核医学等领域。在探测仪器下井过程中，由于井
8、深及地质情况复杂和不同探测条件的要求,晶体还必须具有较好的抗震等机械特性,尤其是在有冲击环境下的测井，晶体的抗震要求更高。抗震性晶体的研制在这个领域里有较大的发展前景。但NI（Tl）密度较低(3.6gc3）易于潮解，衰减较慢(30ns）,在高能探测时无优势。2.13主要性能指标（） 能量分辨率 NaI(l)晶体测试图谱N 入射线能量N/ VO V0 VFig。3 放射源37Cs对于一定能量0的入射线，探测器输出信号的幅度是服从统计规律的，它围绕V0呈Fi.3分布。横坐标表示输出光子的信号幅度,纵坐标表示相应幅度时的对应计数率。希望在V0处这个曲线分布越窄越好，这样越能将能量相近的两种射线分开。
9、通常用能量分辨率来表示闪烁体对射线的分辨能力，R(V/ V0)0。对于NaI（T)晶体,它对不同能量的射线其分辨率并不是一个常数,通常所说的能量分辨率是指对于137Cs峰（066Me)而言(如Fig所示）,NI（Tl)晶体17Cs的分辨率一般在7-11%之间，其百分数越小晶体分辨率越高,但随晶体长径比增大,能量分辨率会有所下降，不同的应用场合，晶体长径比有不同的要求.能量分辨率与晶体质量（透明性、均匀性）、晶体尺寸、封装质量、使用温度等都有关系,这个指标在进行射线能量测试时很重要。（）计数率在一定时间内（一般为100秒）,闪烁体发出的光子数称为计数率,在进行射线强度测量时常要求此指标。计数率主
10、要与晶体尺寸有关，尺寸越大计数率越高。（c）发光效率发光效率指闪烁体将所吸收的核辐射能量转变为光的本领，实际测试场合中采用与标准闪烁体相比较的相对值(百分数）来表示.NaI(T）晶体的发光效率在所有与光电倍增管耦合的闪烁晶体中是最高的，故常将其作为10%。其余晶体的发光效率均以其相对于NaI（Tl）的百分数来表示，如CI（T）的发光效率为45%，CsI(a）的发光效率为5。绝对光输出指晶体相对于1MeV所发出光子的数目，如Table .1中的38000 （光子数/MeV）。21。晶体封装I（T）晶体易潮解，必须密封使用。封装是防止晶体潮解并保证光子能从一个端面透出,这就需要解决晶体和玻璃窗之间
11、的耦合问题，以实现晶体的最大光输出。Fi.4 Schematic diagra of aslatin he crya1.indow2。oupling 3。reflcting mer这样对玻璃窗、耦合材料、晶体三者之间的材料性能都有一定的匹配要求。封装质量的好坏，直接影响到晶体的闪烁性能,Fig.4是I（T）晶体的封装简图。21. 主要规格：端窗圆柱系列：19m200m64m300m异形晶体:三角柱、四方柱、六棱柱等。薄片晶体:1m3mm 17mm2m侧窗圆柱系列：37mm12050150mm2.1.6 产品性能特点1 能量分辨率晶体尺寸2m0m，Cs37能量分辨率6%晶体尺寸50m300m，C
12、s17能量分辨率。512%。能量分辨率均匀性10；晶体直径40 mm的闪烁体,探测效率 %。3闪烁体本底计数/秒。4晶体使用温度: 12017。2。 碘化铯（CI)系列闪烁晶体CI闪烁晶体可分为T激活、Na激活和纯碘化铯三种，它们均为无色透明的立方晶体。CsI(Tl）晶体的光输出可达NI(Tl）晶体的45，发光主峰位在5nm（如i5所示），能与硅光电二极管很好地匹配，显示系统简化。它的衰减时间与入射粒子的电离本领有关，特别适宜于在强辐射本底下探测重带电粒子。另外，掺铊碘化铯晶体抗热冲击能力强，并具有一定的可塑性，易于加工成不同形状的探测单元。C(a）的发光效率与NaI（Tl） 接近，发射光谱的
13、主峰位在20nm，更容易与光电倍增管配合，温度效应好，适合于在高温环境和空间科学研究中使用.它的缺点是在低能（2keV)下发光效率很快下降,潮解作用比sI（T)厉害。 纯CsI晶体发射光谱中含有一个波长在305nm的快分量(1ns)和波长30n-600nm附近的慢分量（00 ns -4000ns） 。通过对慢分量的抑制,快慢分量比可以达到4倍,总的光输出可达Na：Tl的45。abe。2cintilon Prpetieso CI（l），CsI(Na),ped Cs CrystalCsI(l） CsI（N） sI(ndoped)Denit g/cm34.51 4.5 41Mlting po K 894 89484hrml anion officin K 54x 10 9 x 10-6 4910-Cleavae plane nne no nnearnes (Mh） 2 22ygrscopic lighly es
