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1、泓域咨询/潍坊碳化硅器件项目可行性研究报告潍坊碳化硅器件项目可行性研究报告xxx（集团）有限公司报告说明国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头，但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数，可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产4英寸和6英寸碳化硅衬底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿，各厂商都在致力于未来降低微管密度，部分龙头碳化硅企业如I
2、I-VI可将4-6寸产品的微管密度稳定控制在0.1cm-2以下，国内厂商的产品微管密度基本在0.5-5cm-2，存在差距。同时，国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟，预计国产碳化硅产品种类不断丰富，产品质量将比肩国际龙头企业。根据谨慎财务估算，项目总投资30513.91万元，其中：建设投资24004.03万元，占项目总投资的78.67%；建设期利息308.68万元，占项目总投资的1.01%；流动资金6201.20万元，占项目总投资的20.32%。项目正常运营每年营业收入54900.00万元，综合总
3、成本费用47603.27万元，净利润5298.25万元，财务内部收益率9.78%，财务净现值-4948.91万元，全部投资回收期7.33年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本项目生产线设备技术先进，即提高了产品质量，又增加了产品附加值，具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势，主要原材料从本地市场采购，保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述，项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义，本期项目的建设，是十分必要和可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合
4、行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 行业发展分析9一、 直流充电桩：大功率充电占比提升，SiC将加速替代9二、 光伏：SiC光伏逆变器性能提升显著，广泛应用未来可期10第二章 项目建设背景、必要性11一、 预计2025年全球新能源汽车SiC市场规模将达到30.1亿美元11二、 OBC：SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低11三、 强化科技创新,催生高质量发展新动能12四、 全面深化改革,增强内生发展活力15第三章 项目基本情况17一、 项目名称及项目单位17二、 项目建设地点17三、 可行性研究范围17四、 编制依据和技术原则17五、 建设背景、规模1
5、8六、 项目建设进度20七、 环境影响20八、 建设投资估算20九、 项目主要技术经济指标21主要经济指标一览表21十、 主要结论及建议23第四章 项目选址方案24一、 项目选址原则24二、 建设区基本情况24三、 激活内需动力,积极融入新发展格局26四、 项目选址综合评价27第五章 建筑工程可行性分析29一、 项目工程设计总体要求29二、 建设方案30三、 建筑工程建设指标31建筑工程投资一览表32第六章 SWOT分析说明34一、 优势分析（S）34二、 劣势分析（W）36三、 机会分析（O）36四、 威胁分析（T）38第七章 法人治理43一、 股东权利及义务43二、 董事45三、 高级管理
6、人员50四、 监事52第八章 运营模式分析55一、 公司经营宗旨55二、 公司的目标、主要职责55三、 各部门职责及权限56四、 财务会计制度59第九章 劳动安全分析66一、 编制依据66二、 防范措施69三、 预期效果评价74第十章 人力资源配置75一、 人力资源配置75劳动定员一览表75二、 员工技能培训75第十一章 项目环保分析77一、 环境保护综述77二、 建设期大气环境影响分析77三、 建设期水环境影响分析81四、 建设期固体废弃物环境影响分析81五、 建设期声环境影响分析82六、 环境影响综合评价83第十二章 投资方案84一、 投资估算的依据和说明84二、 建设投资估算85建设投资
7、估算表87三、 建设期利息87建设期利息估算表87四、 流动资金89流动资金估算表89五、 总投资90总投资及构成一览表90六、 资金筹措与投资计划91项目投资计划与资金筹措一览表92第十三章 项目经济效益分析93一、 经济评价财务测算93营业收入、税金及附加和增值税估算表93综合总成本费用估算表94固定资产折旧费估算表95无形资产和其他资产摊销估算表96利润及利润分配表98二、 项目盈利能力分析98项目投资现金流量表100三、 偿债能力分析101借款还本付息计划表102第十四章 风险评估104一、 项目风险分析104二、 项目风险对策106第十五章 项目综合评价说明108第十六章 补充表格1
8、10营业收入、税金及附加和增值税估算表110综合总成本费用估算表110固定资产折旧费估算表111无形资产和其他资产摊销估算表112利润及利润分配表113项目投资现金流量表114借款还本付息计划表115建设投资估算表116建设投资估算表116建设期利息估算表117固定资产投资估算表118流动资金估算表119总投资及构成一览表120项目投资计划与资金筹措一览表121第一章 行业发展分析一、 直流充电桩：大功率充电占比提升，SiC将加速替代大功率直流充电桩需求旺盛，SiC协力实现高效快充。政策方面，2020年政府工作报告中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一；2020年能源工作指导意见中指出要加强
9、充电基础设施建设，提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高，一个150kW的直流充电器可以在大约15分钟内为电动汽车增加200公里续航，随电动汽车渗透率进一步提高，直流电充电方案需求将同步提升。Yole预计2020-2025年，全球200kW及以上的大功率直流充电桩数量将以超过30%的CAGR增长，高于平均的15.6%。SiC器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势，可被广泛应用于电动车直流充电方案中AD-DCPFC、DC-DC以及闸门驱动器等环节中，实现更高效电动车直流充电方案。SiCMOSFET可简化直流充电桩AC/DC及DC/DC电路结构，减少
10、器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌，在DC/DC中，使用4颗1200VSiCMOSFET替代8颗650V硅基MOSFET，在同样功率下，可将原来的两相全桥LLC电路简化为单相全桥LLC电路，所用器件数量减少50%，提升电路整体效率。同样在AC/DC中，使用SiCMOSFET可将三相Vienna整流器拓扑电路简化为两相结构，器件数量减少50%实现效率提升。同时，SiCMOSFET的整体损耗也更小。综上，SiC方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高，更好的满足快充要求。SiC二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌，在48kHz下，采用SiC二极管替代Si二极管，可显
11、著降低损耗从而提升0.8%的充电效率，可实现最多80%输出功率的提升。二、 光伏：SiC光伏逆变器性能提升显著，广泛应用未来可期基于硅基器件的传统逆变器成本约占光伏发电系统10%，却是系统能量损耗的主要来源之一。使用SiCMOSFET功率模块的光伏逆变器，其转换效率可从98.8%提升至99%以上，能量损耗降低8%，相同条件下输出功率提升27%，推动发电系统在体积、寿命及成本上实现重要突破。英飞凌最早于2012年推出CoolSiC系列产品应用于光伏逆变器，2020年以来，西门子、安森美等众多厂商陆续推出相关产品，碳化硅光伏逆变器应用进一步推广。据CASA数据，2020年光伏逆变器中碳化硅器件渗透
12、率为10%，预计2025年将增长至50%。高效、高功率密度、高可靠和低成本为光伏逆变器未来发展趋势，SiC器件有望迎来广阔增量空间。第二章 项目建设背景、必要性一、 预计2025年全球新能源汽车SiC市场规模将达到30.1亿美元根据测算，2020年全球新能源汽车SiC器件及模块市场规模为2.7亿美元，预计到2025年达30.1亿美元，对应CAGR为62.3%；由此带来的2020年对SiC晶圆（6寸）的消耗量达13.7万片，预计到2025年将达199.6万片，对应CAGR为71.0%。全球新能源汽车渗透率的快速提升将驱动SiC市场规模高速增长，采取自上而下的方式，以新能源汽车销量为基础，考虑单车
13、SiC器件或模块的价值量、不同零部件SiC渗透率等假设来进行测算。根据测算，至2025年全球新能源汽车消耗SiC衬底数量将达到199.6万片/年，考虑到当前有效衬底产能仍然稀缺，预计SiC功率器件供需偏紧格局将保持相当长时间。二、 OBC：SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和开关管（IGBT、MOSFET等）是OBC中主要应用的功率器件，采用SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC中采用SiC二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC的前级PFC电路和后级DC/DC输出电路中会使用到快恢复硅基
14、二极管。1）影响二极管损耗的指标包括正向导通压降（VF）、反向恢复电流（IR）、输入电容（QC）和开通关断速度等。相比于硅基SBD，SiCSBD的最大优势在于IR可以忽略不计，使得反向恢复损耗极低，在PFC电路使用SiCSBD可有效提升PFC电路效率。同时，QC、VF两个主要参数相比硅基二极管也具有优势，在后级输出电路中使用SiCSBD可以进一步提升输出整流的效率。同时，由于SiC材料的优势，SiC二极管的结温更高，其可在更高温度下保持正常工作状态，在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外，SiC二极管可实现更高频率及功率密度，从而提升系统整体效率。全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺寸、重
15、量和成本，同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究，采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC，可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上，且开关频率提高一倍以上，实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率，而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时，进一步拆分成本，由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此，尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管，SiC基功率器件的成本更高，但整体全SiC方案的OBC成本可节约15%左右。三、 强化科技创新,催生高质量发展新动能坚持创新在现代化高品质城市建设全局中的核心地位,深入实施创新驱动发展战略、人才强市战略,完善创新体系,提升科技研发能力和水平,建设国家创新型城市,打造区域性创新高地。1、强化创新载
