c8051f020端口配置说明

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1、 .wd.C8051F的每个I/O口引脚都可以被配置为推挽或漏极开路输出。同时引入了数字穿插开关,允许将内部数字系统资源映射到P0、P1、P2和P3 的端口引脚。通过设置穿插开关存放器可将片内的计数器/定时器、串行总线、硬件中断、ADC转换启动输入、比较器输出以及微控制器内部的其他数字信号配置 为出现在端口I/O引脚。必须在访问这些外设的I/O之前配置和允许穿插开关。注意的问题:1.低端口既能按位寻址,也可以按字节寻址;高端口只能按字节寻址。2.没有被分配到的引脚作为一般的数字通用I/O口。3.P1口还可以用作ADC1的模拟输入。4.P0MDOUTP3MDOUT用于控制I/O端口每一位的输出状

2、态。5.EMIF外部存储器接口是用于CPU与片外XRAM之间的数据传输通道,通过存放器EMI0CF和EMI0CN选择和管理端口实现数据的传输。6.为了能访问片外存储器空间,必须设置EMI0CN存放器的内容为片外存储器的空间页地址。7.如果把外部存储器接口EMIF设置在高端口那么首先要把EMI0CF的PRTSEL位设置为1,选择高端口,同时选择地址的复用或非复用方式,在把XBR的外部存放器的EMIFLE位设置为0。8.复用方式配置:在复用方式下,数据总线和地址总线的第8位共用一样的引脚AD0AD7。在该方式下,要用一个外部锁存器如 74HC373或一样功能的锁存器保持RAM地址的低8位。外部锁存

3、器由ALE(地址锁存使能)信号控制,ALE信号由外部存储器接口逻辑驱动。9.在总线复用时,需要把地址数据复用端口配置为漏极开路。10.ALE高/低脉宽占1个SYSCLK周期,地址建设/保持时间占0个SYSCLK周期,/WR和/RD占12个SYSCLK周期,EMIF工 作在地址/数据复用方式,即:EMI0CF |= 0x2c;EMI0TC |= 0x2c;配置EMIF的步骤是:先将EMIF选到低端口或高端口;然后选择复用方式或非复用方式;再选择存储器的模式只用片内存储器、不带块选择的分 片方式、带块选择的分片方式或只用片外存储器;然后设置EMI0TC;最后通过存放器PnMDOUT和P74OUT选

4、择所期望的相关端口的输出方式。 如:void PORT_Init (void) XBR2 = 0x40; /*使能穿插开关和弱上拉*/ P74OUT |= 0xff; /*使能P4P7推挽输出*/ EMI0CF |= 0x2c; /*EMIF工作在地址/数据复用方式,只用外部存储器,ALE高/低脉宽占1个SYSCLK周期*/ EMI0TC |= 0x6c; /*地址建设/保持时间占0个SYSCLK周期,/WR和/RD占12个SYSCLK周期*/ P3MDOUT |= 0xdf; /*使能P3.5推挽输出*/11.防止高端口处于“浮空状态,以防止因输入浮空为无效逻辑电平而导致不必要的功率消耗,为

5、此应采取如下措施的任何一种:a.将XBR2.7位设置为逻辑0选择弱上拉状态R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 复位值WEAKPUD XBARE - T4EXE T4E UART1E EMIFLE CNVSTE 00000000位7 位6 位5 位4 位3 位2 位1 位0 SFR地址位7 WEAKPUD 弱上拉制止位0 弱上拉全局允许1 弱上拉全局制止位6 XBARE 穿插开关允许位0 穿插开关制止端口0 1 2 和3 的所有引脚被强制为输入方式1 穿插开关允许位5 未用读0 写=忽略位4 T4EXE T4EX 输入允许位0 T4EX 不连到端口引脚1 T4EX 连

6、到端口引脚位3 T4E T4 输入允许位0 T4 不连到端口引脚1 T4 连到端口引脚位2 UART1E UART1 I/O 允许位0 UART1 I/O 不连到端口引脚1 UART1 TX 和RX 连到两个端口引脚位1 EMIFLE 外部存储器接口低端口允许位0 P0.7 P0.6 和P0.5 的功能由穿插开关或端口锁存器决定1 如果EMI0CF.4 = 0 外部存储器接口为复用方式那么P0.7 (/WR) P0.6 (/RD)和P0.5 (/ALE)被穿插开关跳过它们的输出状态由端口锁存器和外部存储器接口决定1 如果EMI0CF.4 = 1 外部存储器接口为非复用方式那么P0.7 (/WR

7、)和P0.6 (/RD)被穿插开关跳过它们的输出状态由端口锁存器和外部存储器接口决定位0 CNVSTE 外部转换启动输入允许位0 CNVSTR 不连到端口引脚1 CNVSTR 连到端口引脚;b.令P74OUT=0xFF,将高端口输出方式配置为推拉方式(P74OUT为高端口输出方式存放器);c.向高端口数据存放器P4、P5、P6和P7写0。12.配置端口引脚的输出方式每个端口引脚的输出方式都可被配置为漏极开路或推挽方式。在推挽方式下向端口数据存放器中的相应位写逻辑0 将使端口引脚被驱动到GND 写逻辑1 将使端口引脚被驱动到VDD ,在漏极开路方式下向端口数据存放器中的相应位写逻辑0 将使端口引

8、脚被驱动到GND 写逻辑1 将使端口引脚处于高阻状态,当系统中不同器件的端口引脚有共享连接即多个输出连接到同一个物理线时例如SMBus 连接中的SDA 信号,使用漏极开路方式可以防止不同器件之间的冲突。推挽方式在有些书中称为推拉方式关于开漏、推挽方式,漏级开路即高阻状态,适用于输入/输出,其可独立输入/输出低电平和高阻状态,假设需要产生高电平,那么需使用外部上拉电 阻或使用如LCX245等电平转换芯片。有些朋友,尤其是未学过此方面知识的朋友,在实际工作中将I/O口设置为漏开,并想输出高电平,但向口线上写1后 对方并未认出高电平,但用万用表测量引脚确有电压,这种认为是不对的,对于高阻状态来说,测

9、量电压是无意义的,正确的方法应是外加上拉电阻,上拉电阻的阻 值=上拉电压/芯片引脚最大灌拉电流。推挽方式可完全独立产生上下电平,推挽方式为低阻,这样,才能保证口线上不分走电压或分走极小的电压可忽略,保证输出与电源一样的高电平,推挽适用于输出而不适用于输入,因为假设对推挽低阻加高电平后,I=U/R,I会很大,将造成口的烧毁。对与C8051F的很多型号片子,将I/O口设置为推挽方式的做法为:PnMDOUT=0xff,Pn=0x00,这样设置I/O口为推挽,并输出 低电平可降低功耗 将I/O口设置为漏开方式的做法为:PnMDOUT=0x00,Pn=0x11,这样设置I/O口为漏开。如果学过三极管放大

10、电路一定知道,前置单管放大器和功放末级放大电路的区别。单片机内部的逻辑经过内部的逻辑运算后需要输出到外面,外面的器件可能需要较大的电流才能推动,因此在单片机的输出端口必须有一个驱动电路。 这种驱动电路有两种形式: 其中的一种是采用一只N型三极管npn或n沟道,以npn三极管为例,就是e接地,b接内部的逻辑运算,c引出,b受内部驱动可以控制三极管是否导通 但如果三极管的c极一直悬空,尽管b极上发生上下变化,c极上也不会有上下变化,因此在这种条件下必须在外部提供一个电阻,电阻的一端接c(引出脚另一 端接电源,这样当三极管的b有高电压是三极管导通,c电压为低,当b为低电压时三极管不通,c极在电阻的拉

11、动下为高电压,这种驱动电路有个特点:低电压是 三极管驱动的,高电压是电阻驱动的上下不对称,三极管导通时的ec内阻很小,因此可以提供很大的电流,可以直接驱动led甚至继电器,但电阻的驱动是 有限的,最大高电平输出电流=(vcc-Vh)/r; 另一种是互补推挽输出,采用2只晶体管,一只在上一只在下,上面的一只是n型,下面为p型以三极管为例,两只管子的连接为:npn上的c连 vcc,pnp下的c接地,两只管子的ee,bb相连,其中ee作为输出引出脚,bb接内部逻辑,这个电路通常用于功率放大点路的末级音响, 当bb接高电压时npn管导通输出高电压,由于三极管的ec电阻很小,因此输出的高电压有很强的驱动

12、能力,当bb接低电压时npn截至,pnp导通,由于 三极管的ec电阻很小因此输出的低电压有很强的驱动能力,简单的例子,9013导通时ec电阻不到10欧,以Vh=2.5v,vcc=5v计算,高电平输 出电流最大=250MA,短路电流500ma,这个计算同时告诉我们采用推挽输出时一定要小心千万不要出现外部电路短路的可能,否那么肯定烧毁芯片,特别是 外部驱动三极管时别忘了在三极管的基极加限流电阻。推挽输出电路的形式很多,有些单片机上下都采用n型管,但内部逻辑提供互补输出,以上的说明仅仅为了说 明推挽的原理,为了更深的理解可以参考功率放大电路。振荡器问:内部时钟振荡器是否稳定是否可以用于产生波特率的时

13、基答: 不同器件的内部时钟振荡器的精度是不同的(20%)。随电源电压变化,它也将发生变化6.5%/V。但 基本不随温度变化14、切换到外部振荡器。注意:振荡器频率的选择,即OSCXCN存放器的配置外部振荡器频率控制位的设置。关于更多的信息以及源代码可以参看应用笔记AN002?配置内部和外部振荡器?。应用笔记可以从我公司网站下载: xhl .cn问:C8051F MCU的指令执行速度为多少答:C8051F MCU的CIP-51内核采用流水线构造,与标准的8051构造相比,指令执行速度有很大的提高。标准的8051单片机执行一个单周期指令需要12个系统 时钟周期,而C8051F MCU执行一个单周期

14、指令只需要一个系统时钟周期。如果系统时钟频率为25MHz,执行一个单周期指令所需时间为40ns。问:切换外部晶振时应注意哪些问题答:首先要允许外部振荡器,但此时的系统时钟源仍应是内部时钟,直到外部振荡器稳定后,才可将系统时钟源切换到外部振荡器上,否那么会出现切换不过去,系统死机的情况。问:使用外部晶振应注意哪些问题答:1、所有的模拟和数字电源引脚都应接电源2.73.6V;2、C8051F3xx系列器件的晶振引脚间应跨接一个10M电阻在新华龙网站的“主页“原理图/PCB库中有C8051F系列单片机的典型接线图;3、晶振、电容等相关器件尽量靠近单片机的晶振引脚。问:系统时钟切换到外部时钟后,内部的时钟是否应关闭答:可以选择关闭或不关闭,但是从降低功耗的角度来说,应该关闭。问:系统时钟可不可以在程序中随时切换答:可以,但是由内部再一次切换到外部时应按照技术问答2所介绍的步骤进展切换。问:使用外部晶振时若何配置芯

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