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1、泓域咨询/东莞半导体光刻胶项目申请报告目录第一章 行业、市场分析7一、 光刻胶技术壁垒7二、 光刻胶组成7三、 光刻胶分类8第二章 项目背景分析9一、 面板光刻胶种类9二、 半导体光刻胶多样化需求9三、 国内光刻胶市场规模10四、 以科技创新为核心，着力营造最优创新生态12五、 项目实施的必要性14第三章 项目建设单位说明16一、 公司基本信息16二、 公司简介16三、 公司竞争优势17四、 公司主要财务数据19公司合并资产负债表主要数据19公司合并利润表主要数据20五、 核心人员介绍20六、 经营宗旨22七、 公司发展规划22第四章 绪论28一、 项目概述28二、 项目提出的理由30三、 项
2、目总投资及资金构成31四、 资金筹措方案31五、 项目预期经济效益规划目标32六、 项目建设进度规划32七、 环境影响32八、 报告编制依据和原则33九、 研究范围34十、 研究结论34十一、 主要经济指标一览表35主要经济指标一览表35第五章 选址方案分析37一、 项目选址原则37二、 建设区基本情况37三、 加快建设具有全球影响力的湾区创新高地39四、 项目选址综合评价40第六章 建筑工程可行性分析42一、 项目工程设计总体要求42二、 建设方案42三、 建筑工程建设指标43建筑工程投资一览表44第七章 运营模式46一、 公司经营宗旨46二、 公司的目标、主要职责46三、 各部门职责及权限
3、47四、 财务会计制度50第八章 SWOT分析57一、 优势分析（S）57二、 劣势分析（W）59三、 机会分析（O）59四、 威胁分析（T）60第九章 法人治理64一、 股东权利及义务64二、 董事68三、 高级管理人员73四、 监事76第十章 组织机构及人力资源79一、 人力资源配置79劳动定员一览表79二、 员工技能培训79第十一章 劳动安全分析81一、 编制依据81二、 防范措施83三、 预期效果评价87第十二章 环境影响分析89一、 编制依据89二、 环境影响合理性分析89三、 建设期大气环境影响分析89四、 建设期水环境影响分析89五、 建设期固体废弃物环境影响分析90六、 建设期
4、声环境影响分析90七、 环境管理分析91八、 结论及建议93第十三章 投资方案分析95一、 投资估算的依据和说明95二、 建设投资估算96建设投资估算表98三、 建设期利息98建设期利息估算表98四、 流动资金99流动资金估算表100五、 总投资101总投资及构成一览表101六、 资金筹措与投资计划102项目投资计划与资金筹措一览表102第十四章 项目经济效益评价104一、 经济评价财务测算104营业收入、税金及附加和增值税估算表104综合总成本费用估算表105固定资产折旧费估算表106无形资产和其他资产摊销估算表107利润及利润分配表108二、 项目盈利能力分析109项目投资现金流量表111
5、三、 偿债能力分析112借款还本付息计划表113第十五章 风险防范115一、 项目风险分析115二、 项目风险对策117第十六章 项目总结分析120第十七章 附表附录121建设投资估算表121建设期利息估算表121固定资产投资估算表122流动资金估算表123总投资及构成一览表124项目投资计划与资金筹措一览表125营业收入、税金及附加和增值税估算表126综合总成本费用估算表126固定资产折旧费估算表127无形资产和其他资产摊销估算表128利润及利润分配表128项目投资现金流量表129第一章 行业、市场分析一、 光刻胶技术壁垒在PCB领域内，主要使用的光刻胶包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶和光成像阻焊
6、油墨。干膜光刻胶是由预先配置好的液体光刻胶在精密的涂布机上和高清洁度的条件下均匀涂布在载体聚酯薄膜（PET膜）上，经过烘干、冷却后，在覆上PE膜，收卷而成卷的薄膜型光刻胶。二、 光刻胶组成光刻胶是利用光化学反应经光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质，由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等主要化学品成分和其他助剂组成，在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下，其溶解度发生变化，经适当溶剂处理，溶去可溶性部分，最终得到所需图像。在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在硅片、玻璃和金属等不同的衬底上，经曝光、显影和蚀刻等工序将掩膜版上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版完全对应的
7、几何图形。光刻胶中容量最大的成分，光引发剂和添加剂都是固态物质，为了方便均匀涂覆在器件表面，要将它们加入溶剂进行溶解，形成液态物质，且使之具有良好的流动性。三、 光刻胶分类光刻胶按显示的效果，可分为正性光刻胶和负性光刻胶。如果显影时未曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相反，称为负性光刻胶；如果显影时曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相同，称为正性光刻胶。由于负性光刻胶显影时易变形和膨胀，分辨率通常只能达到2微米，因此正性光刻胶的应用更为普及。按照应用领域，光刻胶可以划分为半导体用光刻胶、平板显示用光刻胶、PCB光刻胶。随着科技的发展，现代电子电路越发向细小化集成化方向发展，随着对线
8、宽的不同要求，光刻胶的配方有所不同，但应用相同，都是用于微细图形的加工，按照应用领域，光刻胶可以划分为半导体用光刻胶、平板显示用光刻胶、PCB光刻胶。第二章 项目背景分析一、 面板光刻胶种类彩色滤光片一般由玻璃基板（GlassSubstrate）、黑色光刻胶（BM，即BlackMatrix）、彩色光刻胶层（ColorLayer）、保护层（OverCoat）以及ITO导电膜所组成。彩色光刻胶层RGB排列在玻璃基板上，为了提高不同颜色的对比度和防止不同颜色体之间的背景光的影响，RGB被黑色光刻胶分开。触摸屏用光刻胶主要用于在玻璃基板上沉积ITO制作触摸电极；TFT-LCD正性光刻胶主要用于微细图形
9、加工。彩色光刻胶和黑色光刻胶技术要求很高。彩色光刻胶和黑色光刻胶是由成膜树脂、光引发剂、颜料、溶剂和添加剂组成。一般彩色光刻胶和黑色光刻胶是负性胶，形成的图形与掩模板相反，且彩色光刻胶和黑色光刻胶将留在CF基板上，故对它们的性能要求很高。此外彩色光刻胶和黑色光刻胶含有颜料，和不含颜料的光刻胶体系相比，制造技术要求更高，要求有效的颜料分散稳定技术，还由于颜料具有遮光性，需要高感度光刻树脂体系，高感度光引发剂和树脂的性能起着决定性作用。二、 半导体光刻胶多样化需求在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺，决定着芯片的最小特征尺寸，占芯片制造时间的40-50%，占
10、制造成本的30%。半导体光刻胶随着市场对半导体产品小型化、功能多样化的要求，而不断通过缩短曝光波长提高极限分辨率，从而达到集成电路更高密度的集积。ArF干法光刻胶和ArF湿法光刻胶均是晶圆制造光刻环节的关键工艺材料，ArF湿法光刻胶常用于更先进的技术节点。传统的干法光刻技术中，光刻机镜头与光刻胶之间的介质是空气，光刻胶直接吸收光源发出的紫外辐射并发生光化学反应，但在此种光刻技术中，光刻镜头容易吸收部分光辐射，一定程度上降低光刻分辨率，因此ArF干法光刻胶主要用于55-90nm技术节点；而湿法光刻技术中，光刻机镜头与光刻胶之间的介质是高折射率的液体（如水或其他化合物液体），光刻光源发出的辐射通过
11、该液体介质后发生折射，波长变短，进而可以提高光刻分辨率，故ArF湿法光刻胶常用于更先进的技术节点，如20-45nm。三、 国内光刻胶市场规模下游需求推动国内光刻胶市场规模持续加大。国内光刻胶市场规模自2015年以来增速加快，2019年国内光刻胶市场规模达159亿元，增速15.22%。随着下游需求发展，带动光刻胶行业快速发展，光刻胶市场规模逐步扩大。从产品结构来看，中国本土光刻胶以PCB用光刻胶为主，平板显示、半导体用光刻胶供应量占比很低。PCB光刻胶市场规模趋缓，高端市场仍依赖进口。PCB光刻胶技术壁垒较半导体光刻胶和面板光刻胶较低，率先实现国产化替代，而干膜光刻胶产品高度依赖进口。2019年
12、国内PCB光刻胶市场规模为82亿元，增速3.8%。从企业类型来看，2020年我国PCB光刻胶国产企业占比达61%。彩色和黑色光刻胶市场国产化率较低，触控屏光刻胶逐步实现国产化替代。根据中商产业研究院数据，2020年我国LCD光刻胶国产企业占比较小，达35%。从产品类型来看，我国彩色和黑色光刻胶市场国产化率较低，仅为5%左右，主要日本和韩国外资品牌占领，触控屏光刻胶技术上有所突破，国产化率在30%-40%左右。国内半导体规模持续扩大。2020-2022年是中国大陆晶圆厂投产高峰期，以长江存储等新兴晶圆厂和以中芯国际、华虹为代表的老牌晶圆厂正处于产能扩张期，未来3年将迎来密集投产。光刻胶作为半导体
13、制造的核心材料之一，对半导体光刻胶需求不断增长，据前瞻产业研究院援引美国半导体协会数据显示，中国半导体光刻胶市场从2015年1.3亿美元增长至2020年的3.5亿美元，复合增速达22%。半导体光刻胶应用以高端产品为主。半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶，从我国半导体光刻胶的市场结构来看，2020年ArF光刻胶占比40%,KrF光刻胶占比39%，G/I线光刻胶占比20%。从企业类型来看，我国半导体光刻需求主要由外资企业来满足，根据前瞻产业研究院引用新材料在线数据，2020年外资企业市场份额达到71%。从不同光刻胶产品的自给率来看，根据晶瑞电材公告数据，目前适用于
14、6英寸硅片的g线、i线光刻胶的自给率约为10%，适用于8英寸硅片的KrF光刻胶的自给率不足5%，而适用于12寸硅片的ArF光刻胶基本依靠进口。四、 以科技创新为核心，着力营造最优创新生态举全市之力建设综合性国家科学中心先行启动区。做好松山湖科学城建设发展的顶层设计，科学编制和实施发展总体规划、科学功能规划、国土空间规划。深入推进与中科院的战略合作，共同抓好建设重大科技基础设施集群、搭建前沿科学交叉研究平台、举办科技交流活动等工作。加快推进散裂中子源二期、南方先进光源研究测试平台、先进阿秒激光设施的建设，争取纳入国家重大科技基础设施建设“十四五”规划。加快推进大湾区大学和香港城市大学（东莞）建设
15、，全力支持东莞理工学院建设新型高水平理工科大学示范校。支持粤港澳联合实验室建设，办好粤港澳院士峰会等活动，推动大湾区科技创新论坛升格为省院共办并永久落户，积极吸引港澳台和国际人才来莞创新创业。进一步提升重大平台的创新引领作用。支持滨海湾新区加快打造莞港特色合作平台，谋划建设上市企业总部基地、大湾区大学科技园、滨海湾青创城等，主动对接自贸区创新资源外溢，探索离岸创新、莞港“三链”融合，力争在制度开放、区镇融合发展等方面创造更多先行经验。全面铺开水乡功能区建设，基本完成八大核心单元空地整备，加快打造数字经济产业园，掀起水乡大开发、大建设新高潮。支持银瓶创新区立足生态资源禀赋，强化粤海平台和市镇联合招商，打造粤港澳生态发展创新区。大力推进产业链创新链双向融合。加快中子治疗技术探索设施、大科学智能计算数据中心等项目建设，形成大科学装置与前沿技术攻关链式协同，为产业关键技术突破提供支撑。组
