宁德碳化硅衬底项目商业计划书参考模板

上传人:人*** 文档编号:563655068 上传时间:2022-09-29 格式:DOCX 页数:110 大小:111.81KB
返回 下载 相关 举报
宁德碳化硅衬底项目商业计划书参考模板_第1页
第1页 / 共110页
宁德碳化硅衬底项目商业计划书参考模板_第2页
第2页 / 共110页
宁德碳化硅衬底项目商业计划书参考模板_第3页
第3页 / 共110页
宁德碳化硅衬底项目商业计划书参考模板_第4页
第4页 / 共110页
宁德碳化硅衬底项目商业计划书参考模板_第5页
第5页 / 共110页
点击查看更多>>
资源描述

《宁德碳化硅衬底项目商业计划书参考模板》由会员分享,可在线阅读,更多相关《宁德碳化硅衬底项目商业计划书参考模板(110页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、泓域咨询/宁德碳化硅衬底项目商业计划书目录第一章 项目背景分析6一、 半导体材料行业概述6二、 宽禁带半导体材料简介6三、 行业发展态势及面临的机遇8四、 推动更大范围、更宽领域、更高层次的对外开放11第二章 总论13一、 项目概述13二、 项目提出的理由15三、 项目总投资及资金构成15四、 资金筹措方案16五、 项目预期经济效益规划目标16六、 项目建设进度规划17七、 环境影响17八、 报告编制依据和原则17九、 研究范围18十、 研究结论19十一、 主要经济指标一览表19主要经济指标一览表19第三章 行业发展分析22一、 碳化硅半导体行业的战略意义22二、 面临的挑战23三、 碳化硅材

2、料产业链24第四章 建筑技术方案说明31一、 项目工程设计总体要求31二、 建设方案31三、 建筑工程建设指标32建筑工程投资一览表32第五章 产品方案与建设规划34一、 建设规模及主要建设内容34二、 产品规划方案及生产纲领34产品规划方案一览表34第六章 发展规划36一、 公司发展规划36二、 保障措施42第七章 运营模式分析44一、 公司经营宗旨44二、 公司的目标、主要职责44三、 各部门职责及权限45四、 财务会计制度48第八章 安全生产56一、 编制依据56二、 防范措施57三、 预期效果评价60第九章 人力资源配置分析61一、 人力资源配置61劳动定员一览表61二、 员工技能培训

3、61第十章 原材料及成品管理63一、 项目建设期原辅材料供应情况63二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理63第十一章 节能方案说明65一、 项目节能概述65二、 能源消费种类和数量分析66能耗分析一览表66三、 项目节能措施67四、 节能综合评价68第十二章 投资计划方案69一、 投资估算的依据和说明69二、 建设投资估算70建设投资估算表74三、 建设期利息74建设期利息估算表74固定资产投资估算表76四、 流动资金76流动资金估算表77五、 项目总投资78总投资及构成一览表78六、 资金筹措与投资计划79项目投资计划与资金筹措一览表79第十三章 经济效益及财务分析81一、 经济评价财务测

4、算81营业收入、税金及附加和增值税估算表81综合总成本费用估算表82固定资产折旧费估算表83无形资产和其他资产摊销估算表84利润及利润分配表86二、 项目盈利能力分析86项目投资现金流量表88三、 偿债能力分析89借款还本付息计划表90第十四章 风险风险及应对措施92一、 项目风险分析92二、 项目风险对策94第十五章 项目综合评价说明96第十六章 附表附件98营业收入、税金及附加和增值税估算表98综合总成本费用估算表98固定资产折旧费估算表99无形资产和其他资产摊销估算表100利润及利润分配表101项目投资现金流量表102借款还本付息计划表103建设投资估算表104建设投资估算表104建设期

5、利息估算表105固定资产投资估算表106流动资金估算表107总投资及构成一览表108项目投资计划与资金筹措一览表109第一章 项目背景分析一、 半导体材料行业概述半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体。半导体可以分为四类产品,分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。半导体是电子产品的核心,是信息产业的基石,亦被称为现代工业的“粮食”。半导体产品广泛应用于移动通信、计算机、电力电子、医疗电子、工业电子、军工航天等行业。半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业,具有技术难度高、投资规模大、

6、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节,半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。二、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看,上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表,其典型应用是集成电路,主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代

7、半导体材料是以砷化镓为代表,砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙,故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能,因此被广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。值得注意的是,前述三代半导体材料各有利弊,并无绝对的替代关系,而是在特定

8、的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业:新材料(第三代半导体材料),与硅相比,碳化硅拥有更为优越的电气特性:耐高压:击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗。耐高温:半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输

9、出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化。实现高频的性能:碳化硅的饱和电子漂移速率大,是硅的2倍,这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用:在光电子器件领域,氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用,还可制备成氮化镓基激光器;在微波射频器件方面,氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电

10、通信、基站、卫星等军事或者民用领域;氮化镓也可用于功率器件,其比传统器件具有更低的电源损耗。三、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛,全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用,碳化硅器件市场需求迅速增长,全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给,满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求,各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率

11、和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展,产业链的景气程度有望持续向好,碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低,行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比,虽然碳化硅基器件价格仍然较高,但是由于其优越的性能及价格持续走低,其综合成本优势逐渐显现,客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本:在衬底方面,通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等,共同推动碳化硅衬底成本的降低;在制造方面,随着市场的开启,各大器件供应商扩产制造,随着规模扩大和制造技术不断成熟,也带来制造成本的降低;在市场方面,主要的产品供应

12、商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定,供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降,其行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护,自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁,国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程,为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域,下游应用企业已在调整供应链,支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会,进入了多个关键厂商供应链,逐步开始了以销促产

13、的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月,国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策,提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发,在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设;2021年3月,十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要,提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外,上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机,有助于我国宽禁带半

14、导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。四、 推动更大范围、更宽领域、更高层次的对外开放(一)推进更高水平的对外开放主动接受多区叠加政策辐射,深度融入“一带一路”和海丝核心区建设,探索试行跨境双向外贸综合服务模式,持续优化市场化、法治化、国际化营商环境。鼓励龙头企业加大关键矿产资源的国际性开发力度,推动重点企业上下游企业到国外设立营销网点、直销基地和交易中心,积极培育跨境电商,不断提升企业国际竞争力。充分利用龙头企业在行业中的突出地位,争取承办更多国内行业年会和国际高峰论坛,扩大宁德产业在全国全球的影响力。密切宁德与香港、澳门在金融、现代物流、生态旅游、港口交通等领域的对接协作。(二)探索海峡

15、两岸融合发展新路深化经济领域融合,积极创建闽台农业合作推广示范县、闽台农业融合发展产业园,加快霞浦三沙对台口岸经济区项目规划建设。充分发挥海峡论坛、海峡两岸电博会等平台作用,推动宁台在人工智能、现代商贸、航运物流、孵化器经济、电子商务以及四大主导产业、特色现代农业等方面的合作。深化社会领域融合,完善涉台依法维权机制,推动对接省“数字第一家园”对台一体化服务平台,鼓励台胞参与基层社会治理、参评社会荣誉,推进台胞在文化教育、医疗卫生、社会保障和基本公共服务等方面享受同等待遇。深化文化领域融合,拓展陈靖姑文化、畲族文化、名人文化、茶文化等交流领域,抓好古田临水宫国家级海峡两岸交流基地建设,加大台湾青年工作力度,促进两岸同胞心灵契合。(三)全面推动区域协同发展突出山海联动发展,按照“环湾一体”的思路,加强重大产业项目布局、招商、政策及各类资源的市域统筹,打造山海联动升级版。拓展与闽东北协同发展区其他城市在绿色制造、农业和食品加工、生态旅游、生态保护、现代物流以

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 商业/管理/HR > 商业计划书

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号