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1、晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(Chemical?Vapor?deposition)?法沉积一层 Si3N4?(Hot?CVD? 或 LPCVD)?。（ 1）常压 CVD?(Normal?Pressure?CVD)?（ 2）低压 CVD?(Low?Pressure?CVD)?（ 3）热 CVD?(Hot?CVD)/(thermal?CVD)?（ 4）电浆增强 CVD?(Plasma?Enhanced?CVD)?（ 5） MOCVD?(Metal?Organic?CVD)?&? 分子磊晶成长 (Molecular?Beam?Epitaxy)?（ 6）外延生长法 ?(LPE)?
2、4、涂敷光刻胶 ?（ 1）光刻胶的涂敷 ?（ 2）预烘 (pre?bake)?（ 3）曝光（ 4）显影（ 5）后烘 (post?bake)?（ 6）腐蚀 (etching)?（ 7）光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6?、离子布植将硼离子 (B+3)? 透过 SiO2?膜注入衬底，形成P?型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)?离子，形成 N?型阱9、退火处理，然后用HF?去除 SiO2?层10、干法氧化法生成一层 SiO2?层，然后LPCVD?沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生
3、长未有氮化硅保护的SiO2?层，形成 PN?之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。14、LPCVD?沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2?保护层。15、表面涂敷光阻，去除P?阱区的光阻，注入砷(As)?离子，形成NMOS?的源漏极。用同样的方法，在 N?阱区，注入 B? 离子形成 PMOS?的源漏极。16、利用 PECVD? 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。17、沉积掺杂硼磷的氧化层18、溅镀第一层金属（ 1）薄膜的沉积方法根据其用途的
4、不同而不同，厚度通常小于1um?。（ 2）真空蒸发法（ Evaporation?Deposition? ）（ 3）溅镀（ Sputtering?Deposition? ）?19、光刻技术定出?VIA? 孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD? 法氧化层和氮化硅保护层。?20、光刻和离子刻蚀，定出PAD?位置 ?21、最后进行退火处理，以保证整个Chip?的完整和连线的连接性?晶圆制造总的工艺流程芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer?Fabrication ）、晶圆针测工序（Wafer?Probe）、构装工序（ Packaging）、测试工序（ Initial?Te
5、st?and?Final?Test ）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front?End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back?End）工序。?1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。?2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同
6、一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。4、测试工序：芯片制造的最
7、后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品ETCH?何谓蚀刻 (Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。蚀刻种类 :?答： (1)?干蚀刻
8、(2)?湿蚀刻 ?蚀刻对象依薄膜种类可分为 :?答： poly,oxide,?metal?何谓 dielectric?蚀刻(介电质蚀刻 )?答： Oxide?etch?and?nitride?etch?半导体中一般介电质材质为何?答：氧化硅 /氮化硅 ?何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂将不要的薄膜去除?何谓电浆 Plasma?答：电浆是物质的第四状态带有正 ,负电荷及中性粒子之总和 ; 其中包含电子正离子 ,负离子 , 中性分子, 活性基及发光子等 ,产生电浆的方法可使用高温或高电压 .?何谓干式蚀刻 ?答：利用plasma将不要的薄膜去除 ?何谓 Under-etching(蚀刻不足 )
9、?答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留?何谓 Over-etching(过蚀刻 )?答：蚀刻过多造成底层被破坏何谓 Etch?rate(蚀刻速率)?答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度?何谓 Seasoning(陈化处理 )?答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy ）晶圆进行数次的蚀刻循环。?Asher 的主要用途 ?答：光阻去除 ?Wet?bench?dryer?功用为何 ?答：将晶圆表面的水份去除 ?列举目前Wet?bench?dry方法 :?答： (1)?Spin?Dryer?(2)?Marangoni?dry?(3)?IP
10、A?Vapor?Dry?何谓 Spin?Dryer?答：利用离心力将晶圆表面的水份去除何谓 Maragoni?Dryer?答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除?何谓 IPA?Vapor?Dryer?答：利用IPA(异丙醇 )和水共溶原理将晶圆表面的水份去除?测 Particle 时,使用何种测量仪器 ?答： Tencor?Surfscan?测蚀刻速率时 ,使用何者量测仪器 ?答：膜厚计 ,测量膜厚差值?何谓 AEI?答： After?Etching?Inspection?蚀刻后的检查 ?AEI 目检 Wafer 须检查哪些项目:?答： (1)?正面颜色是否异常及刮伤 (2)?有无缺角及 Par
11、ticle?(3)刻号是否正确 ?金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?答：清机防止金属污染问题 ?金属蚀刻机台asher 的功用为何 ?答：去光阻及防止腐蚀 ?金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?答：因为金属线会溶于硫酸中?Hot?Plate机台是什幺用途 ?答：烘烤 ?Hot?Plate?烘烤温度为何?答： 90120?度 C?何种气体为Poly?ETCH 主要使用气体 ?答： Cl2,?HBr,?HCl?用于 Al?金属蚀刻的主要气体为 ?答： Cl2,?BCl3?用于 W 金属蚀刻的主要气体为?答： SF6?何种气体为oxide?vai/contact?ETCH 主要使用气体
12、?答： C4F8,?C5F8,?C4F6?硫酸槽的化学成份为 :?答： H2SO4/H2O2?AMP 槽的化学成份为 :?答： NH4OH/H2O2/H2O? ?UV?curing?是什幺用途 ?答：利用UV 光对光阻进行预处理以加强光阻的强度?UV?curing 用于何种层次 ?答：金属层 ?何谓 EMO?答：机台紧急开关EMO 作用为何 ?答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制 ,可紧急按下 ?湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?答： (1)?警告 .内部有严重危险.严禁打开此门?(2)?机械手臂危险 .?严禁打开此门 (3)?化学药剂危险 ?严禁打开此门遇化学溶液泄漏时应如何处置?答：严禁以手
13、去测试漏出之液体?应以酸碱试纸测试 .?并寻找泄漏管路.?遇 IPA?槽着火时应如何处置?答：立即关闭IPA?输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组?BOE 槽之主成份为何?答： HF(氢氟酸 )与 NH4F(氟化铵 ).?BOE 为那三个英文字缩写 ?答： Buffered?Oxide?Etcher?。 ?有毒气体之阀柜(VMB) 功用为何 ?答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走 ,并防止有毒气体漏出 ?电浆的频率一般13.56?MHz,为何不用其它频率?答：为避免影响通讯品质 ,目前只开放特定频率 ,作为产生电浆之用 ,如 380420KHz?,13.56MHz,2.54GHz 等 ?何谓 ESC(electrical?static?chuck)?答：利用静电吸附的原理 ,?将 Wafer?固定在极板 (Substrate)?上 ?Asher 主要气体为 ?答： O2?Asher 机台进行蚀刻最关键之参数为何?答：温度简述 TURBO?PUMP?原理 ?答：利用涡轮原理 ,可将压力抽至10-6TORR?热交换器 (HEAT?EXCHANGER) 之功用为何？ ?答：将热能经由介媒传输 ,以达到温度控制之目地 ?简述 BACKSIDE?HELIUM?COOLING之原理？ ?答：藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化 ?
