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1、1. 何谓 PIE? PIE 的主要工作是什幺?答:Process Integration Engineer（工艺整合工程师），主要工作是整 合各部门的资源，对工艺持续进行改善，确保产品的良率（yield）稳定良好。2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片（wafer）直径为200mm ,直径为300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片（wafer）工艺？未来北京 的Fab4（四厂）采用多少mm的wafer工艺？答：当前13厂为200mm（8英寸）的wafer,工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm（12
2、英寸）。4. 我们为何需要 300mm?答：wafer size变大，单一 wafer上的芯片数（chip）变多，单位成本降低200-300面积增加2.25倍，芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13 um的工艺能力（technology）代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。6. 从 0.35um-0.25um-0.18um-0.15um-0.13um 的 technology 改变又代表的是 什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
3、从 0.35um - 0.25um - 0.18um- 0.15um - 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。7. 一般的硅片（wafer）基材（substrate）可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer?答：N-type wafer是指掺杂negative元素（5价电荷元素，例如：P、As）的硅片,P-type的wafer是指掺杂positive元素（3价电荷元素，例如：B、 In）的硅片。8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程（module）？答：主要有四个部分：DIFF （扩散）、TF（薄膜）、PHOTO （光 刻）、ETCH
4、 （刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE（炉管）、WET（湿刻）、IMP（离 子注入）、RTP（快速热处理）。TF包括PVD（物理气相淀积）、CVD（化学气相淀积）、CMP（化学机械研磨）。硅片的制造就是依据客户的要求， 不断的在不同工艺过程（m odule ）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测 试，确保产品良好。9. 一般硅片的制造常以几P几M及光罩层数（mask layer）来代表硅片工艺的时间 长短，请问几P几M及光罩层数（mask layer）代表什幺意义？答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly（多晶硅）和几层的 metal（金属导线）.一般0.15um的逻辑产品为1P6
5、M（ 1层的Poly和6层的metal）。 而光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO （光刻）.10. Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide和zero layer?其中start oxide的目的是为何？ 答：不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si表面。 在 laser 刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。11. 为何需要 zero layer?答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的，各层次之间以zerolayer 当做对准的基准。12. Laser mark 是什幺用途? Wafer ID 又代表什幺意义?答：Laser mark是用来刻waf
6、er ID, Wafer ID就如同硅片的身份 证一样，一个ID代表一片硅片的身份。13. 一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分？答：前段(frontend)-元器件(device)的制造过程。后段(backend)-金属导线的连接及护层(passivation)14. 前段(frontend)的工艺大致可区分为那些部份？答：STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离) 阱区离子注入(well implant)用以调整电性 栅极(poly gate)的形成 源/漏极(source/drain)的形成 硅化物(salicide)的形成15. STI是什幺的缩写？为何需要
7、STI?答：STI: Shallow Trench Isolation(浅沟道隔离)，STI可以当做两 个组件(device)间的阻隔，避免两个组件间的短路.16. AA 是哪两个字的缩写? 简单说明 AA 的用途?答：Active Area,即有源区，是用来建立晶体管主体的位置所在,在其上形成源、漏和栅极。两个AA区之间便是以STI来做隔离的。17. 在 STI 的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？答：STI etch （刻蚀）的角度； STI etch的深度； STI etch后的CD尺寸大小控制。（CD control, CD=critical dimension）18. 在STI的形
8、成步骤中有一道liner oxide （线形氧化层），liner oxide 的特性功能为何？答：Liner oxide为1100C, 120 min高温炉管形成的氧化层，其功能为： 修补进 STI etch 造成的基材损伤； 将 STI etch 造成的 etch 尖角给于圆化（ corner rounding）。19.一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤 ? 功能为何？答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片上形成所 需要的组件电子特性，一般包含下面几道步骤： Well Implant :形成 N,P 阱区； Channel Implant:防止源/漏极间的漏电； VtImpl
9、ant：调整Vt （阈值电压）。20.一般的离子注入层次（Implant layer）工艺制造可分为那几道步骤?答：一般包含下面几道步骤： 光刻（Photo）及图形的形成； 离子注入调整； 离子注入完后的ash （plasma（等离子体）清洗） 光刻胶去除（PR strip）21. Poly （多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些？答：Gate oxide（栅极氧化层）的沉积； Poly film的沉积及SiON（在光刻中作为抗反射层的物质）的沉积）； Poly图形的形成（Photo）； Poly 及 SiON 的 Etch ； Etch完后的ash（ plasma（等离子体）清洗）及光刻胶去
10、除（PR strip）； Poly 的 Re-oxidation （二次氧化）。22. Poly （多晶硅）栅极的刻蚀（etch）要注意哪些地方？答：Poly的CD（尺寸大小控制；避免Gate oxie被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.23. 何谓 Gate oxide （栅极氧化层）?答：用来当器件的介电层，利用不同厚度的 gate oxide ,可调节栅极电压对不同器件进行开关24. 源/漏极（source/drain）的形成步骤可分为那些？ Spacer的形成； N+/P+IMP 高 浓 度 源 / 漏 极 （S/D） 注 入 及 快 速 热 处 理 （RTA ： Rapid
11、 Thermal Anneal）。25. LDD是什幺的缩写？用途为何？答：LDD: Lightly Doped Drain. LDD是使用较低浓度的源/漏极, 以防止组件产生热载子效应的一项工艺。26. 何谓 Hot carrier effect （热载流子效应）?答：在线寛小于05um以下时，因为源/漏极间的高浓度所产生 的高电场,导致载流子在移动时被加速产生热载子效应 , 此热载子效应会对 gate oxide 造成破坏, 造成组件损伤。27. 何谓 Spacer? Spacer 蚀刻时要注意哪些地方？答：在栅极（Poly）的两旁用dielectric （介电质）形成的侧壁，主 要由Ox
12、/SiN/Ox组成。蚀刻spacer时要注意其CD大小，profile（剖面轮廓），及 remain oxide（残留氧化层的厚度）28. Spacer 的主要功能?答：使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域；作为 Contact Etch 时栅极的保护层。29. 为何在离子注入后，需要热处理（Thermal Anneal）的工艺？答：为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤； 使注入离子扩散至适当的深度； 使注入离子移动到适当的晶格位置。答：SAB: Salicide block,用于保护硅片表面，在 RPO （ResistProtect Oxide）的保护下硅片不与其它Ti, Co形成硅
13、化物（salicide）31. 简单说明 SAB 工艺的流层中要注意哪些?答：SAB光刻后（photo），刻蚀后（etch）的图案（特别是小块区域）。要确定有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方。remain oxide （残留氧化层的厚度）。32. 何谓硅化物（ salicide）?答：Si与Ti或Co形成TiSix或CoSix, 般来说是用来降低接触电阻值（Rs, Rc）。33. 硅化物（salicide）的形成步骤主要可分为哪些？答：Co（或 Ti）+TiN的沉积； 第一次RTA （快速热处理）来形成Salicide。 将未反应的Co（Ti）以化学酸去除。 第二次RT
14、A （用来形成Ti的晶相转化，降低其阻值）。34. MOS 器件的主要特性是什幺？答：它主要是通过栅极电压（Vg）来控制源，漏极（S/D）之间电流，实现其开关特性。35. 我们一般用哪些参数来评价 device 的特性？答：主要有 Idsat、Ioff、Vt、Vbk（breakdown）、Rs、Rc； 般要求Idsat、Vbk （breakdown）值尽量大，Ioff、Rc尽量小，Vt、Rs尽量接近设计值.36. 什幺是 Idsat?Idsat 代表什幺意义？答：饱和电流。也就是在栅压（Vg）定时，源/漏（Source/Drain） 之间流动的最大电流.37. 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响
15、到 Idsat?答：Poly CD（多晶硅尺寸）、Gate oxide Thk（栅氧化层厚度）、AA（有源区）宽度、Vt imp.条件、LDD imp.条件、N+/P+ imp.条件。38. 什幺是 Vt? Vt 代表什幺意义？答：阈值电压（Threshold Voltage）,就是产生强反转所需的最小电压。当栅极电压VgVt时,MOS处于关的状态，而Vg二Vt时，源/漏之间 便产生导电沟道，MOS处于开的状态。39. 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到 Vt?答：Poly CD、Gate oxide Thk.（栅氧化层厚度）、AA（有源区）宽度及Vt imp.条件。40. 什幺是Ioff? Ioff小有什幺好处答：关态电流，Vg二0时的源、漏级之间的电流，一般要求此电流值越小越好Ioff 越小, 表示栅极的控制能力愈好, 可以避免不必要的漏电流（省电）。41.什幺是 device breakdown voltage?答：指崩溃电压（击穿电压），在Vg=Vs=0时，Vd所能承受的最大电压，当V
