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1、可以说，中央处理器(CPU)是现代社会飞速运转的动力源泉，在任何电子设备上都可以找到微芯片的身影，不过也有人不屑一顾，认为处理器这东西没什么技术含量，不过是一堆沙子的聚合而已。是么？Intel今天就公布了大量图文资料，详细展示了从沙子到芯片的全过程，简单与否一看便知。简单地说，处理器的制造过程可以大致分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市等诸多步骤，而且每一步里边又包含更多细致的过程。下边就图文结合，一步一步看看：沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25的硅元素，以
2、二氧化硅(SiO2)的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。硅熔炼：12英寸/300毫米晶圆级，下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅(EGS)，平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到的就是硅锭(Ingot)。单晶硅锭：整体基本呈圆柱形，重约100千克，硅纯度99.9999。第一阶段合影硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆(Wafer)。顺便说，这下知道为什么晶圆都是圆形的了吧？晶圆：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。事实上，Intel自己并不生产这种晶圆，而是从第三方
3、半导体企业那里直接购买成品，然后利用自己的生产线进一步加工，比如现在主流的45nm HKMG(高K金属栅极)。值得一提的是，Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米。第二阶段合影念光刻荐胶斯(P折ho耗to碧 R钢es蛛is请t)求：图捎中蓝测色部移分就蛋是在守晶圆壳旋转铸过程盆中浇萄上去少的光抹刻胶柳液体丑，类灾似制基作传亲统胶量片的均那种追。晶擦圆旋铲转可恐以让装光刻娃胶铺逐的非舅常薄润、非歉常平来。霸光刻坟：页光刻杜胶层低随后外透过争掩模飘(M壮as沉k)乱被曝萄光在笼紫外社线伤(U友V)朗之下退，变惯得可雨溶，另期间曾发生自的化站学反密应类拨似按逆下机蛾械相记机快恶门那
4、档一刻观胶片就的变趋化。毫掩模姜上印崖着预筛先设布计好铃的电度路图尝案，踩紫外签线透馅过它堂照在拍光刻虹胶层上上，灾就会愉形成湾微处副理器终的每西一层减电路渔图案强。一今般来杯说，晚在晶菠圆上屈得到有的电名路图霞案是店掩模午上图握案的舟四分拥之一追。承光刻厅：由魂此进蝴入诱50竖-2纹00绝纳米搞尺寸荡的晶叮体管商级别呈。一露块晶蚕圆上丹可以匪切割后出数淹百个衔处理欧器，瓦不过强从这沾里开诊始把私视野竟缩小假到其港中一凳个上食，展施示如巧何制参作晶堂体管乒等部法件。证晶体播管相匠当于凤开关玻，控凯制着掩电流岁的方养向。搞现在色的晶肺体管扬已经偏如此付之小增，一翻个针蔬头上芝就能并放下私大约别3
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7、绪挽：至肥此，才晶体花管已么经基界本完种成。描在绝党缘材围(慰品红军色岩)城上蚀熟刻出计三个雹孔洞束，并唉填充蹄铜，跳以便峰和其悬它晶度体管湿互连啄。丈电镀线：在拾晶圆惨上电晨镀一蔬层硫能酸铜跌，将肯铜离粱子沉睬淀到骨晶体惜管上淹。铜盯离子虹会从秀正极冒(揉阳极叹)帖走向介负极卡(遍阴极候)倦。汉铜层霸：电庙镀完遥成后批，铜听离子秩沉积斜在晶攀圆表沫面，尤形成抹一个饼薄薄钱的铜梦层。枣第六揪阶段导合影鲜抛光附：将陵多余报的铜贱抛光臣掉，粘也就位是磨痕光晶吼圆表观面。怠金属刺层刷：晶拌体管盟级别秧，六两个晶喜体管轻的组传合，柳大约擦50争0痒纳米暖。在肝不同哄晶体削管之俊间形朽成复犁合互丈连金权
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