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1、苯环上亲电取代反应的定位规律基本概念:定位基：在进行亲电取代反应时，苯环上原有取代基，不仅影响着苯环的取代反 应活性，同时决定着第二个取代基进入苯环的位置，即决定取代反应的位置原有取代基称 做定位基。一、两类定位基在一元取代苯的亲电取代反应中，新进入的取代基可以取代定位基的邻、间、对位上的氢 原子，生成三种异构体如果定位基没有影响，生成的产物是三种异构体的混合物，其中邻位取 代物40%(2/5)、间位取代物40%(2/5)和对位取代物20%(1/5).实际上只有一种或二 种主要产物。例如各种一元取代苯进行硝化反应，得到下表所示的结果：取代基相对速度删七产物%邻间时0H很快55451004och
2、32 X 10574151185/15nhcoch3快191309P/1ch5256333494/3C(CHb312880CH2C10 332165284/F0.03128S1004 Cl0.033016999/1Br0.033716299/1I0.183826098/1H1.0一 NO?6 x 2OS69317/93 co心比0.00376S斗32/58nqh 務1.2 X IO8a8911119COOH慢1980120/S0SO3H2172728/72-cf3幔a10000/100排在苯前面的取代硝化产物主要是邻位和对位取代物，除卤苯外，其它取代苯硝化速率 都比苯快;排在苯后面取代硝化产物
3、主要是间位取代物，硝化速率比苯慢得多。归纳大量实 验结果，根据苯环上的取代基(定位基)在亲电取代反应中的定位作用，一般分为两类： 第一类定位基又称邻对位定位基：O,N (CH )，NH ,OH,OCH，NHCOCH，32233-OCOCH，-F,Cl，-Br，-I，R，CH 等.365第二类定位基又称间位定位基:-N+ (CH ) ，NO，-CN,SOH，3323CHO,COCH，COOH,COOCH，CONH，N+H 等.3323两类定位基的结构特征:第一类定位基与苯环直接相连的原子上只有单键，且多数有孤对 电子或是负离子；第二类定位基与苯环直接相连的原子上有重键且重键的另一端是电负性大的元
4、素或带正电荷。两类定位基中每个取代基的定位能力不同，其强度次序近似如上列顺 序。苯环上亲电取代反应的定位规律二、定位规律的电子理论解释在一取代苯中，由于取代基的电子效应沿着苯环共轭链传递在环上出现了电子云密度较 大和较小的交替分布现象，因而环上各位置进行亲电取代反应的难易程度不同，出现两种定 位作用。也可以从一取代苯进行亲电取代反f生成的中间体O络合物的相对稳定性的角度进行考察，当亲电试剂E+进攻一取代&_z时，生成三 苯4-HE4Z不同，生成的三种G络合物碳正离子的稳定性不同，出现了两种定位作用。1第一类定位基对苯环的影响及其定位效应以甲基、氨基和卤素原子为例说明。甲基在甲苯中，甲基的碳为S
5、P3杂化，苯环碳为SP2杂化，SP2杂化碳的电负性比SP3杂 化碳的大，因此，甲基表现出供电子的诱导效应（A）。另外，甲基C-H O键的轨道与苯环 的n轨道形成o-n超共轭体系（B）。供电诱导效应和超共轭效应的结果，苯环上电子密 度增加，尤其邻、对位增加得更多。因此，甲苯进行亲电取代反应比苯容易，而且主要发生在邻、 对位上。SH亲电试剂E+进攻甲基的邻、间、对位置，形成三种o络合物中间体，三种o络合物碳 正离子的稳定性可用共振杂化体表示：进攻邻位:lalbIc进攻间位:或H EIIlibCHH E JlieCH.Ilk亲电试剂进攻苯生成的G络合物的碳正离子也可以用共振杂化体表示:IVbIVc苯
6、环上亲电取代反应的定位规律显然，共振杂化体I和II比III稳定，因为I和II的正电荷在有供电基的叔碳上，较分散。cb而在III中，正电荷都分布在仲碳上，不稳定。所以甲基是邻对位定位基。共振杂化体III比W 稳定，虽然在III和W中的共振极限结构式都是正电荷分布在仲碳上，但甲基有供电性使III 的正电荷可以分散在环和甲基上，因此，甲基活化了苯环.从共轭效应和共振论两种观点分析、考察甲苯的亲电取代反应，都得出甲基是第一类定位 基、有活化苯环作用的一致结论。氨基在苯胺中，NC键为极性键,N有吸电子的诱导效应(C)，使环上电子密度减少; 但同时氮原子有孤对电子，与苯环形成供电的pn共轭效应(D),使环
7、上电子密度增加：nh2 在这里，共轭效应大于诱导效应，所以综合效应使是环上电子密度增加，尤其是氨基的邻 位和对位增加更多。因此，苯胺进行亲电取代反应比苯更容易，且主要发生在氨基的邻、对 位上。考察生成的中间体G络合物碳正离子的稳定性也得到同样的结论。(3)卤原子卤原子比较特殊,是一类使苯环钝化的第一类定位基。以氯苯为例，在氯苯中 氯原子是强吸收电子基，强的吸电子诱导效应使苯环电子密度降低，比苯难进行亲电取代反应。但氯原子与苯环又有弱的供电的pn共轭效应（C的2p轨道与Cl的3p轨道形成 pn共轭体系，没有C的2p轨道与N的2p轨道形成的p-n共轭体系有效），使氯原子 邻、对位上电子密度减少得不
8、多，因此表现出邻对位定位基的性质。2.第二类定位基对苯环的影响及其定位效应以硝基苯为例说明。在硝基苯中，硝基存在着吸电子的诱导效应（E）,还存在着吸电子的n-n共轭效应（F）：(F)这两种电子效应都使苯环上电子密度降低，亲电取代反应比苯难；共轭效应的结果，使硝基 的间位上电子密度降低得少些，表现出间位定位基的作用.亲电试剂进攻硝基苯时,形成邻、间、对三种G络合物中间体：进攻邻位:进攻对位:L H EHE进攻间位:IIIkliblieNAnibnic共振杂化体III比I和II稳定,因为在I和II中有正电荷分布在有强吸电子基团 的叔碳上的极限结构式I和II不稳定。因此，硝基是第二类定位基，取代反应
9、发生在 cb间位上。共振杂化体III有强吸电子基团，与相应的苯的共振杂化体相比，111不稳定因此， 硝基表现出钝化苯环的作用.苯环上亲电取代反应的定位规律三、对邻、对位产物比例的影响因素1空间效应环上有邻对位定位基存在时，生成邻位和对位产物的比例与定位基和新进入基团的体积有关系.这两种基团体积越大，空间位阻越大，邻位产物越少.烷基苯的硝化反应随着烷基的体 积增大，邻位硝基苯的比例减少。化合韧环上原有取代基异构体分布邻位对位面位甲苯ch358.537.24.4乙苯ch2chl45.04S.54.5异丙番-CH(CH30.062.31.1叔J筮C(CH 抠15.E72.711.5烷基硝化反应时异构
10、体分布苯环上原有定位基不变，随着进入基团体积增大，邻位异构体的比例也减少。如表所示进人基团异构体分布邻位对位间位ch353.S2S.S17.4ch2ch345.025.030.0ch(ch237.532.729.8c(ch,30.93.07.1甲基苯烷基化时异构分布2.反应温度的影响反应温度不同，邻、对位异构体的比例不同.如SO?H0T4 乐3.催化剂的影响ReCl3 42%7%51%100T13滤利用现代催化技术，可以控制取代基的定位作用，如使用有择型催化作用的分子筛催化乙苯 的乙基化，可以得到高选择性的对二乙苯。工业上就是用分子筛催化合成对二乙苯。后者催 化脱氢，得到交联聚苯乙烯的共聚单体
11、对二乙烯基苯：QhCH2CH3 + CH尹匚也 有择型分子筛厂O-CHgCHm叫叫-叫耳肛：爲广H尸CH-Q-CH二叫+ 2H,甲苯与丙烯烷基化反应，使用不同孔径的分子筛催化剂，分别得到间甲基异丙苯和对甲基 异丙基苯。已应用于工业生产装置上.间甲基异丙基苯和对甲基异丙基苯分别是制备间甲基 苯酚和对甲基苯酚的原料.四、二元取代苯的定位规律当苯环上有两个取代基时，第三个取代基进入苯环的位置，主要由原来的两个取代基的性 质决定。大体上说，苯环上有两个取代基时，有三种定位情况。苯环上亲电取代反应的定位规律1.苯环上原有两个取代基对引入第三个取代基的定位作用一致第三个取代基进入苯环的 位置就由它们共同定
12、位。例如，下列化合物引入第三个取代基时，第三个取代基主要进入箭 头所示的位置：2.苯环上原有两个取代基，对进入第三个取代基的定位作用不一致两个取代基属同一类 定位基，这时第三个取代基进入苯环的位置主要由定位作用强的取代基所决定如果两个取 代基定位作用强度较小时，得到两个定位基定位作用的混合物：主要产物叫 主要产物混合物3.苯环上原有两个取代基对引入第三个取代基的定位作用不一致两个取代基不同类定位 基时，这时第三个取代基进入苯环的位置主要由第一类定位基定位：NHCOCHCHCO OH在考虑第三个取代基进入苯环的位置时，除考虑原有两个取代基的定位作用外，还应该考 虑空间位阻，如3乙酰氨基苯甲酸的2
13、位取代产物很少。五、定位规律在有机合成上的应用应用定位规律可以选择可行的合成路线，得到较高的产率和避免复杂的分离过程。例如由 甲苯合成间硝基苯甲酸，应采用先氧化后硝化的步骤：由对硝基甲苯合成2, 4二硝基苯甲酸，其合成路线有如下两条:COOH十显然第一条合成路线较合理，可以简化分离步骤，同时硝化一步反应较第二条路线的硝化一 步反应易进行，因为两个取代基（-CH，NO）的定位作用是一致的。32定位规律只适用于动力学控制的反应。例如，叔丁苯在FeCl催化下，与叔丁基氯反应生3成对二叔丁基苯：苯环上亲电取代反应的定位规律这与定位规律一致,但用过量的A1C1为催化剂，则生成1，3,5三叔丁基苯:3c Cch3)+ 2tCH ) cci(ch3)3c c (CHJ这是因为在过量强酸作用下，烷基化和脱烷基化达成平衡，邻、对位烷基化快，脱烷基化 也容易；间位烷基化慢，脱烷基化也较难,最后变成热力学上稳定的均三叔丁基苯。六、关键词定位基，定位规律，两类定位基，定位规律的性质解释，二元取代苯的定位规律，定位规律 的应用
