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1、一、实验目的?1掌握物理气相沉积的基本原理，熟悉磁控溅射薄膜制备的工艺；?2掌握磁 控溅射镀膜设备的结构和原理。?二、设备仪器?磁控溅射薄膜沉积台结构如图 1 所示。?图 1? 磁 控 溅 射 镀 膜 机 结 构 示 意 图三、实验原理当高能粒子（电场加速的正离子，如Ar+）打在固体表面时，与表 面的原子、分子交换能量，从而使这些原子、分子飞溅出来，沉积到基体材料表 面形成薄膜的工艺过程。?四、实验内容? 掌握磁控溅射薄膜制备的气体放电理论和特性，观察气体放电现象，理解气体放电的物理过程；掌握磁控溅射膜制备的沉积原理及条件，薄膜制备过程中溅射气 体的选择、溅射电压及基片电位、高纯度靶材的影响。
2、?五、实验步骤? 1准备：基体材料载玻片的清洗、烘干、装夹，铜靶材的安装；?2方案：?a. ?描述低真空的抽气回路：真空室?三通阀位置2?低真空管道? ？电 磁阀?机械泵?大气。？b. ?描述高真空的抽气回路：真空室?蝶阀?挡油器?油扩散泵?？ 储气罐?三通阀位置1?低真空管道?电磁阀?机械泵?大 气？c. ?铜薄膜的沉积工艺参数：本底真空度、溅射电流、溅射电压、沉积时间、薄 膜厚度。?3.?步骤：本底真空获得后，进行氩气充气量的控制，溅射过程中电流、 电压和时间的控制，薄膜制备完成后，充入大气，取出试样。？六.撰写实验报告?？1.?真空系统的组成及作用，简述旋片泵、分子泵的工作原理。?2.?
3、真空测量系 统的组成，简述电离真空规的工作原理。?3.?气体放电理论的物理模型。?4.? 铜薄膜沉积原理与影响参数的关系。？简介真空镀膜在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段， 但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式很卩蒸发镀膜、 溅射镀膜和离子镀。蒸发镀膜通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法最早 由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。蒸发镀膜设备结构如图1。蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等
4、基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后， 加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表 面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间（或决 定于装料量），并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或 多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分 子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸 气分子平均动能约为0.1 0.2电子伏。蒸发镀膜通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法最早 由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。蒸发镀膜设备结 构如图1。蒸
5、发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后， 加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表 面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间（或决 定于装料量），并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或 多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分 子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸 气分子平均动能约为0.1 -0.2电子伏。编辑本段蒸发镀膜的类型蒸发源有三种类型。电阻加热源：用难熔金属如钨、钽制成
6、舟箔或丝状, 通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质（图1蒸发镀膜设备示意图）电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。高频感应加热源：用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质。电子束加热源：适 用于蒸发温度较高（不低于2000618-1）的材料，即用电子束轰击材料使其蒸 发。蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。生长掺杂的GaAlAs单晶层的分子束外延装置如图2分子束外延装置示意 图。喷射炉中装有分子束源，在超高真空下当它被加热到一定温度时，炉中 元素以束状分子流射向基
7、片。基片被加热到一定温度，沉积在基片上的分子可以 徙动，按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化 合物单晶膜，薄膜最慢生长速度可控制在1单层/秒。通过控制挡板可精确地做 出所需成分和结构的单晶薄膜。分子束外延法广泛用于制造各种光集成器件和各 种超晶格结构薄膜。溅射镀膜用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面，沉积 在基片上。溅射现象于1870年开始用于镀膜技术，1930年以后由于提高了沉 积速率而逐渐用于工业生产。常用的二极溅射设备如图3二极溅射示意图。通常将欲沉积的材料制成板材一靶，固定在阴极上。基片置 于正对靶面的阳极上，距靶几厘米。系统抽至高真
8、空后充入10 1帕的气体（通 常为氩气），在阴极和阳极间加几千伏电压，两极间即产生辉光放电。放电产生 的正离子在电场作用下飞向阴极，与靶表面原子碰撞，受碰撞从靶面逸出的靶原 子称为溅射原子，其能量在1至几十电子伏范围。溅射原子在基片表面沉积成膜。 与蒸发镀膜不同，溅射镀膜不受膜材熔点的限制可溅射W、Ta、C、Mo、WC TiC等难熔物质。溅射化合物膜可用反应溅射法，即将反应气体（0、N、HS CH等）加入Ar气中，反应气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反应生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉积在基片上。沉积绝缘膜可采用高频溅射法。基片 装在接地的电极上，绝缘靶装在对面的电极上。高频电源一端接地
9、，一端通过匹 配网络和隔直流电容接到装有绝缘靶的电极上。接通高频电源后，高频电压不断 改变极性。等离子体中的电子和正离子在电压的正半周和负半周分别打到绝缘靶 上。由于电子迁移率高于正离子，绝缘靶表面带负电，在达到动态平衡时，靶处 于负的偏置电位，从而使正离子对靶的溅射持续进行。采用磁控溅射可使沉积速 率比非磁控溅射提高近一个数量级。离子镀蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面，称为离子镀。这 种技术是D.麦托克斯于1963年提出的。离子镀是真空蒸发与阴极溅射技术的结 合。一种离子镀系统如图4离子镀系统示意图，将基片台作为阴极，外壳作阳极， 充入惰性气体（如氩）以产生辉光放电。从蒸发
10、源蒸发的分子通过等离子区时发 生电离。正离子被基片台负电压加速打到基片表面。未电离的中性原子（约占蒸 发料的95% ）也沉积在基片或真空室壁表面。电场对离化的蒸气分子的加速作 用（离子能量约几百几千电子伏）和氩离子对基片的溅射清洗作用，使膜层附 着强度大大提高。离子镀工艺综合了蒸发（高沉积速率）与溅射（良好的膜层附 着力）工艺的特点，并有很好的绕射性，可为形状复杂的工件镀膜。光学镀膜材料（纯度：99.9%-99.9999%）高纯氧化物氧化硅、SiO,二氧化铪、HfO?，二硼化铪，氯氧化铪，二氧化锆、ZrO2， 二氧化钛、TiO2，一氧化钛、TiO ,二氧化硅、SiO2，三氧化二钛、Ti2O3，
11、五 氧化三钛、Ti3O5，五氧化二钽、Ta2O5，五氧化二铌、Nb2O5 ,三氧化二铝 A12O3，三氧化二钪、Sc2O3，三氧化二铟、In2O3，二钛酸错、Pr（TiO3）2 , 二氧化铈、CeO2 ,氧化镁、MgO,三氧化钨、WO3，氧化钐、Sm2O3，氧化 钕、Nd2O3，氧化铋、Bi2O3，氧化错、Pr6O11 ,氧化锑、Sb2O3，氧化钒、 V2O5，氧化镍、NiO,氧化锌、ZnO,氧化铁、Fe2O3，氧化铬、Cr2O3，氧 化铜、CuO等。高纯氟化物氟化镁、MgF2，氟化镱、YbF3，氟化钇、LaF3，氟化镝、DyF3，氟化钕、 NdF3，氟化铒、ErF3，氟化钾、KF，氟化锶、S
12、rF3，氟化钐、SmF3，氟化钠、 NaF，氟化钡、BaF2，氟化铈、CeF3，氟化铅等。高纯金属类高纯铝，高纯铝丝，高纯铝粒，高纯铝片，高纯铝柱，高纯铜，高纯铜丝， 高纯铜片/高纯铜粒/高纯铬/高纯铬粒/高纯铬粉/高纯铬块，铬条/高纯钻， 高纯钻粒，高纯金，高纯金丝，高纯金片，高纯金粒，高纯银，高纯银丝，高纯 银粒，高纯银片，高纯铂，高纯铂丝，高纯铪，高纯铪粉，高纯铪丝，高纯铪粒， 高纯钨，高纯钨粒，高纯钼，高纯钼粒，高纯钼片，高纯硅，高纯单晶硅，高纯 多晶硅，高纯锗，高纯锗粒，高纯锰，高纯锰粒，高纯钻，高纯钻粒，高纯铌， 高纯锡/ 高纯锡粒/高纯锡丝，高纯钨/高纯钨粒，高纯锌/ 高纯锌粒/
13、高纯钒， 高纯钒粒，高纯铁，高纯铁粒，高纯铁粉，高纯钛，高纯钛片，高纯钛粒，海面 钛,高纯锆，高纯锆丝，海绵诰碘化锆，高纯锆粒，高纯锆块，高纯碲，高纯碲粒， 高纯锗，高纯镍，高纯镍丝，高纯镍片，高纯镍柱，高纯钽，高纯钽片，高纯钽 丝/ 高纯钽粒/高纯镍铬丝/高纯镍铬粒/高纯镧,高纯错，高纯钆,高纯铈，高纯铽， 高纯钦，高纯钇，高纯镱,高纯铥，高纯铼,高纯铑，高纯巴，高纯铱等.混合料氧化锆氧化钛混合料氧化锆氧化钽混合料氧化钛氧化钽混合料/氧化锆 氧化钇混合料氧化钛氧化铌混合料/氧化锆氧化铝混合料/氧化镁氧化铝混合 料，氧化铟氧化锡混合料，氧化锡氧化铟混合料，氟化铈氟化钙混合料等混合料其他化合物钛
14、酸钡，BaTiO3，钛酸错，PrTiO3，钛酸锶，SrTiO3，钛酸镧，LaTiO3 , 硫化锌，ZnS，冰晶石，Na3AIF6，硒化锌，ZnSe，硫化镉，硫化钼，硫化铜， 二硅化钼。辅料(1 - 99.9%99.999% )f (Nimri (Tim) “ s (znm) “ f (crm) “m(Mg mr滞m(Nbm)囲m( snm) ：Enm(mr窟m( Inmrf (Femr離Enm( zrmr爲Enm( Timrffim(zrmrfflm(si mr简m(cum) ：rmm(Tamr課m( Gemr茹m(Agm) s (comr眇m( Aumr兰m( Gdmrwm( Lamr囹m(
15、Ym) sm(cem)部m(Hfm) I 萍smGeNimrvm wm吻潮sim萍m“ 萍sfmsssm简窟或m“fisfflmNicrm轴眇a兽。3131 ITO 帶 N0m、B左帶B左萍帶B左胡帶B 左m s左融m、s京Inlm、UB盘ffi尸 盘ffi尸B左sm UM左篮尸WM左口滞帶 UM左番 lb盂m、 m、川厠左ssm、川厠左 Mfism、 a左ma左囹ma左m 、左潯m、 左番、富m、is 養imB左番轴 器i置。编辑本段真空镀膜安全操作规程1 在机床运转正常情况下，开动机床时，必须先开水管，工作中应随时注 意水压。2在离子轰击和蒸发时，应特别注意高压电线接头，不得触动，以防触电。3 在用电子枪镀膜时，应在钟罩外围上铝板。观察窗的玻璃最好用铅玻璃，观察时应戴上铅玻璃眼镜，以防X射线侵害人体。4 镀制多层介质膜的镀膜间，应安装通风吸尘装置，及时排除有害粉尘。5 易燃有毒物品要妥善保管，以防失火中毒。6酸洗夹具应在通风装置内进行，并要戴橡皮手套。7把零件放入酸洗或碱洗槽中时，应轻拿轻放，不得碰撞及溅出。平时酸洗
