《窄线宽分布反馈半导体激光器及其制备方法》由会员分享，可在线阅读，更多相关《窄线宽分布反馈半导体激光器及其制备方法（1页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
19)中华人民共和国国家知识产权局(12 )发明专利申请(10)申请公布号CN111313229A(43)申请公布日2020.06.19(21)申请号 CN202010139459.5(22)申请日 2020.03.03(71)申请人 中国科学院半导体研究所地址100083 北京市海淀区清华东路甲35号(72)发明人 孙甲政;许博蕊;孙文惠;夏施君;袁海庆;祝宁华;班德超;刘泽秋;张晨炜;徐长达(74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司代理人 喻颖(51)Int.CI权利要求说明书 说明书 幅图窄线宽分布反馈半导体激光器及其制备方法(57)摘要一种分布反馈半导体激光器，所述激光器 自下而上依次包括 N 面电极层、衬底层、缓冲 层、下波导层、有源层、上波导层、二次外延光 栅层、刻蚀自停止层、包层、欧姆接触层、钝化 层和 P 面电极层；包层和欧姆接触层构成波导结 构，所述波导结构为脊波导结构。本发明利用垂 直方向上下两层光栅结构，共同反馈选模。分布 在有源区附近的二次外延光栅与光场高效耦合， 实现频率选择和压窄线宽。电极取样光栅单一反
