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1、单结晶体管原理解析一、单结晶体管的结构和等效电路单结晶体管的外形很象晶体三极管，它也有三个电极，称为发射极e,第一基极bi，第二基极b2,又叫双基极二极管。因为只有一个PN结所以又称为单结晶体管。外形及符号如图（a）、（b）所示。图中发射极箭头指向q,表示经PN结的电流只流向bi极。单结管的等效电路如图（C）所示,rbi表示e与R之间的等效电阻，它的阻值受e-bq间电压的控制，bl11所以等效为可变电阻。两个基极之间的电阻用Rbb表示，即：Rbb=Rbi+Rb2, Rbi与Rbb的比bbbb bl b2 blbb值称为分压比h=Rbi/Rbb，h 一般在0.30.8之间。bl bb二、工作原理
2、和特性曲线伏安特性变化如图所示。图中，当V固定，等效电路中，A点对b的电压U =hV为定值。当U较小时，U UBB1A BBee,PN结反偏，此时只有很小的反向漏电流I （几微安）如图中曲线“1，段。AEO当U增大，U =U时，PN结处于零偏，i =0。ee AEu继续增大，当UU , i开始大于零，由于硅二极管的正向压降为0.7V,所以i不ee A EE会有显著的增加，这个电压称为峰值电压Up,对应电流称为峰值电流Ip。这一区域称为截 止区。Zr-CUp戳1E E负 阻 区饱 和 区单结晶体管特性脳线的测试1； Tr*仇）特性曲线-Q4P-bi亠bi测试电路U继续增加，UU，管子转向导通，P
3、N结电流开始显著增加，这时将有大量的空穴进A入基区，e、R间载流子大量增加，使rbi迅速减小，而rbi的减小又使U降低，导致i1blblAE又进一步加大，这种正反馈的过程，使i急剧增加u下降，单结管呈现了负阻特性，图中EA曲线“2线段，到了 “C”点负阻特性结束，C点电压Uv称为谷点电压，一般为12.5V, 对应的电流称为谷点电流Iv，一般为几毫安。过了谷点之后，继续增加U, iU曲线形状接近二极管导通时的正向特性曲线。如曲 E线“3线段，此时称为饱和区。饱和压降一般小于45V。当改变V电压，改变了阀值电压U ,曲线的峰点电压也随之改变。BBA三、应用举例振荡：指在没有输入信号的情况下，电路输
4、出一定频率、一定幅值的电压或电流信号。如图所示为单结晶体管组成的振荡电路，其工作原理如下：当合闸通电时，电容C上的电压为零，管子截止，电源V通过电阻R对C充电，随时BB间增长电容上电压（即 叫用）逐渐增大；IP单结晶体管组应的旅荡电路(a)电路0此的彼形一旦碍1增大到峰点电压現后，管子进入负阻区，输入端等效电阻急剧减小，使c通 过管子的输入回路迅速放电，两端电压随之减小，一旦减小到谷点电压UV后，管 子截止；电容又开始充电，重复上述过程。由于充电时间常数远大于放电时间常数，当稳定振荡时，电容上电压的波形如图所示。信息来自：钽电容 htt p:/www.hk-TOREX 代理 http:/www.hk- 钽电容 http:/www.hk- 钽电容 http:/www.hk- htt p:/www.hk- tandianrong-samsung.h tmlvishay 钽电容 http:/www.hk-
