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1、泓域咨询/呼伦贝尔半导体技术应用项目申请报告目录第一章 项目建设背景、必要性7一、 硅片7二、 半导体材料行业规模12三、 半导体材料14四、 深入建设向北开放中俄蒙合作先导区，提升对外开放水平16第二章 建设单位基本情况18一、 公司基本信息18二、 公司简介18三、 公司竞争优势19四、 公司主要财务数据20公司合并资产负债表主要数据20公司合并利润表主要数据20五、 核心人员介绍21六、 经营宗旨22七、 公司发展规划22第三章 项目概述29一、 项目名称及项目单位29二、 项目建设地点29三、 可行性研究范围29四、 编制依据和技术原则29五、 建设背景、规模30六、 项目建设进度31
2、七、 环境影响31八、 建设投资估算31九、 项目主要技术经济指标32主要经济指标一览表32十、 主要结论及建议34第四章 行业、市场分析35一、 陶瓷基板35二、 封装材料36三、 电子气体39第五章 建设方案与产品规划44一、 建设规模及主要建设内容44二、 产品规划方案及生产纲领44产品规划方案一览表45第六章 建筑工程技术方案46一、 项目工程设计总体要求46二、 建设方案46三、 建筑工程建设指标47建筑工程投资一览表48第七章 发展规划50一、 公司发展规划50二、 保障措施56第八章 法人治理58一、 股东权利及义务58二、 董事61三、 高级管理人员66四、 监事68第九章 劳
3、动安全分析71一、 编制依据71二、 防范措施73三、 预期效果评价77第十章 组织架构分析79一、 人力资源配置79劳动定员一览表79二、 员工技能培训79第十一章 原辅材料分析81一、 项目建设期原辅材料供应情况81二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理81第十二章 项目投资分析83一、 编制说明83二、 建设投资83建筑工程投资一览表84主要设备购置一览表85建设投资估算表86三、 建设期利息87建设期利息估算表87固定资产投资估算表88四、 流动资金89流动资金估算表89五、 项目总投资90总投资及构成一览表91六、 资金筹措与投资计划91项目投资计划与资金筹措一览表92第十三章 经济
4、效益93一、 经济评价财务测算93营业收入、税金及附加和增值税估算表93综合总成本费用估算表94固定资产折旧费估算表95无形资产和其他资产摊销估算表96利润及利润分配表97二、 项目盈利能力分析98项目投资现金流量表100三、 偿债能力分析101借款还本付息计划表102第十四章 招标方案104一、 项目招标依据104二、 项目招标范围104三、 招标要求105四、 招标组织方式107五、 招标信息发布107第十五章 总结说明108第十六章 附表109营业收入、税金及附加和增值税估算表109综合总成本费用估算表109固定资产折旧费估算表110无形资产和其他资产摊销估算表111利润及利润分配表11
5、1项目投资现金流量表112借款还本付息计划表114建设投资估算表114建设投资估算表115建设期利息估算表115固定资产投资估算表116流动资金估算表117总投资及构成一览表118项目投资计划与资金筹措一览表119本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目建设背景、必要性一、 硅片硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，通常将95-99%纯度的硅称为工业硅。沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，可制成纯度98%以上
6、的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%（9-11个9）的超纯多晶硅；超纯多晶硅在石英坩埚中熔化，并掺入硼（P）、磷（B）等元素改变其导电能力，放入籽晶确定晶向，经过单晶生长，便生长出具有特定电性功能的单晶硅锭。单晶硅的制备方法通常有直拉法（CZ）和区熔法（FZ），直拉法硅片主要用在逻辑、存储芯片中，市占率约95%，区熔法硅片主要用在部分功率芯片中，市占率约4%。熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体质量，掺杂的硼（P）、磷（B）等杂质元素浓度决定了单晶硅锭的电特性。单晶硅锭制备好后，再经过切段、滚磨、切片、倒角
7、、抛光、激光刻、包装后，便成为硅片。根据纯度不同，分为半导体硅片和光伏硅片，半导体硅片要求硅含量为9N（99.9999999%）-11N（99.999999999%），而光伏用硅片一般在4N-6N之间即可，下游应用主要包括消费电子、通信、汽车、航空航天、医疗、太阳能等领域。硅片制备好之后，再经过一列热处理、光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP、测试等环节，便可成功制得硅晶圆，具体分为几部分：1）晶圆：制作半导体集成电路的核心原料板；2）Die：晶圆上有很多小方块，每一个正方形是一个集成电路芯片；3）划线：这些芯片之间实际上有间隙，这个间距叫做划线，划线的目的是在晶圆加工后将每个芯片切割出来并组装
8、成一个芯片；4）平区：引入平区是为了识别晶圆结构，并作为晶圆加工的参考线。由于晶圆片的结构太小，肉眼无法看到，所以晶圆片的方向就是根据这个平面区域来确定的；5）切口：带有切口的晶圆最近已经取代了平面区域，因为切口晶圆比平区晶圆效率更高，可以生产更多的芯片。半导体硅片通常可以按照尺寸、工艺两种方式进行分类。按照尺寸分类，半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要包括23mm、25mm、28mm、50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、125mm（5英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）与300mm（12英寸）等规格。自1960年生产出23mm的硅片之后，硅片尺寸就越来越
9、大，到2002年已经可以量产300mm（12英寸）硅片，厚度则达到了历史新高775m。当硅片尺寸越大，单个硅片上的芯片数量就越多，从而能够提高生产效率、降低生产成本。300mm硅片是200mm硅片面积的2.25倍，生产芯片数量方面，根据SiliconCrystalStructureandGrowth数据，以1.5cm1.5cm的芯片为例，300mm硅片芯片数量232颗，200mm硅片芯片数量88颗，300mm硅片是200mm硅片芯片数量的2.64倍。根据应用领域的不同，越先进的工艺制程往往使用更大尺寸的硅片生产。因此，在摩尔定律的驱动下，工艺制程越先进，生产用的半导体硅片尺寸就越大。目前全球半
10、导体硅片以12英寸为主，根据SEMI数据，2020年全球硅片12英寸占比69%，8英寸占比24%，6英寸及以下占比7%。未来随着新增12英寸晶圆厂不断投产，未来较长的时间内，12英寸仍将是半导体硅片的主流品种，小尺寸硅片将逐渐被淘汰，但是8英寸短期仍不会被12英寸替代。目前量产硅片止步300mm，而450mm硅片迟迟未商用量产，主要原因是制备450mm硅片需要大幅增加设备及制造成本，但是SEMI曾预测每个450mm晶圆厂单位面积芯片成本只下降8%，此时晶圆尺寸不再是降低成本的主要途径，因此厂商难以有动力投入450mm量产。全球8英寸和12英寸硅片下游应用侧重有所不同，根据SUMCO数据，202
11、0年8英寸半导体硅片下游应用中，汽车/工业/智能手机分列前3名，占比分别为33%/27%/19%；2020年12英寸半导体硅片下游应用中，智能手机/服务器/PC或平板分列前3名，占比分别为32%/24%/20%。按照制造工艺分类，半导体硅片分为抛光片、外延片以及SOI硅片。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后，便得到抛光片。抛光片本身可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，此外也可作为外延片、SOI硅片的衬底材料。外延是通过CVD的方式在抛光面上生长一层或多层掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。因此外延片是抛光片经过外延生长形成的，外延技术可以减少硅
12、片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度、含碳量和含氧量，能够改善沟道漏电现象，提高IC可靠性，被广泛应用于制作通用处理器芯片、图形处理器芯片。如果生长一层高电阻率的外延层，还可以提高器件的击穿电压，用于制作二极管、IGBT等功率器件，广泛应用于汽车电子、工业用电子领域。SOI是绝缘层上硅，核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层，能够实现全介质隔离，大幅减少了硅片的寄生电容以及漏电现象，并消除了闩锁效应。SOI硅片是抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成的，特点是寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强，因此适用于
13、制造耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子、传感器以及星载芯片等，尤以射频应用最为广泛。SOI硅片价格高于一般硅片4至5倍，主要应用中，5G射频前端（RF-SOI）占比60%，Power-SOI和PD-SOI各占20%。市场规模方面，根据SEMI数据，全球半导体硅片（不含SOI硅片）市场规模在经历了2015-2016年低谷之后，开始稳步上升，到2021年已达到126.2亿美元。受益于中国大陆晶圆厂扩产的拉动，中国大陆半导体硅片（不含SOI硅片）市场规模2012年为5亿美元，2017开始迅速增长，2021年已达到为16.6亿美元。出货面积方面，根据SEMI
14、数据，全球半导体硅片（不含SOI硅片）2012年出货面积为90亿平方英寸，2020年为122.6亿平方英寸，2021年为141.7亿平方英寸。单位面积硅片价格2009年为1美元/平方英寸，2016年下降到0.68美元/平方英寸，2021年回暖至0.99美元/平方英寸。SOI硅片方面，由于应用场景规模较小，整体行业规模小于抛光片和外延片，根据SEMI及ResearchandMarkets数据，2013年全球市场规模为4亿美元，2021年为13.7亿美元，预计到2025年将达到22亿美元。中国大陆SOI硅片市场规模2016年为0.02亿美元，2018年增长至0.11亿美元。根据Soitec数据，随
15、着通信技术从3G向4G、5G升级过程中，单部智能手机SOI硅片需求面积亦随之增加，3G时为2mm2，4GLTE-A为20mm2，5Gsub-6GHz为52mm2，5Gsub-6GHz&mmW为130mm2。在射频前端模组领域，在4G/5G（sub-6G）中，RF-SOI用于低噪声放大器、开关以及天线调谐器等，FD-SOI用于追踪器；在毫米波中，RF-SOI用于功放、低噪声放大器、开关以及移相器，FD-SOI可用于移相器、SoC等；而在WiFi和UWB中，RF-SOI用于功放、低噪声放大器以及开关，FD-SOI用于移相器、SoC等。产能方面，根据ICInsights数据，2018年全球半导体硅片2.23亿片，2020年增长至2.6亿片，保持稳步增长态势。在目前芯片供不应求的背景下，晶圆厂扩产将进一步推升硅片产能。2020年全球硅片主要厂商中，前7大厂商合计占比94.5%，其中日本信越化学占比27.5%，排名第1；日本胜高占比21.5%，排名第2；中国台湾环球晶
