《pspice参数扫描分析与统计分析》由会员分享，可在线阅读，更多相关《pspice参数扫描分析与统计分析（9页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、实验四参数扫描分析和统计分析实验目的：1、学习一些特定参数分析的方法，使之能够在今后的场合适用;2、学会做蒙托卡诺这种随机抽样、统计分析的分析方法；3、学会观测输出文件中的数据以及如何用图形表示出相应数据。实验步骤：1、首先确定好研究对象，即下面的差分电路：2、进行参数扫描分析：1）首先在原图的基础上选定一个参数扫描分析的对象，如选定R1。要先加入参数符号可从元器件图开符号库中调出名称为PAPAM的符号，如下图:2）加入元件一一三辽后，双击它则需要给它加入一个属性，点击new:3）在上面Property中填入R1,然后，在R1中输入1K的阻值，然后，右击该值，选择Display，在出现的Dis
2、playProperties中选择“NameAndValue”4）设定好之后，把图中R1的值改为R1，则完成的图形如下:5) 现在设置仿真参数，在时域分析的同时做参数分析，参数设置如下:一般设置：SuulationSettings一TRAHOptionsGeneralAxL：ilysisDataCollectionIiLcludt!FilesProbeWindowLibrariesEtimulusAnidlysistype:|TimeDomain(.Tr：anEiQptionsQGener：alSettingEMont已匚;irltj/ViSrztCa:0P:hjtietricSweepI|T
3、emper日taret.Sweep.OSaveBiasFointIILoadBiasPointRijtlto|1uesecondsSt&i-1saving已牡tw.|0seconds-TraiLsientoptitrnzMaximuiTistep|secondsSkiptheinitialtraiLzientbiaspointcalciiL：.tputFileOptions.1确定1取消应用(A)帮助参数设置：“Sweepvariable”中选择“Globalparameter”.注意parameter中的R1不用加SimulationSettings一TRAHI确定I取消I应用I帮助I6)
4、点击运行之后在probe中出现:口回冈xaMple-TRANOrCADPSpiceA/D4a“%现|Example-TRANFileViewSimulaticmTooleWindowKelpAvailableSectionsad1circuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcir
5、cuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfilefororofile:TRANTr：aiL5ientAiTr：ansientAiC：alciilatirLgEiaspoi111c:alculatedTr：ansientArL：alysisTr：aiLEientArL：alysiefinishedS1mill日tioncompl已t已.FI1.FI1.FI1.FI1.FI1.FI1.FI1.FI1.FI1F；11.0000E+032.0000E+033.0000E+034.0000E+035.0000E+036.0000E+
6、037.0000E+03EIJ：II：IOOE+I：I39.0000E+0310.0000E+03O-Q-O-O-O-O-O-O-O-=!r-e-u已eR-已eR-已11=-DDDDDDDDD_ooooooooo.IJ!.rf.71.!.71.!.!.71.!.a7222222222.CancelTimestep=14.3.Time=1.000E_06Endnwi#DwlForHelppressFlTime1.000E-06点击OK以后出现的图形如下：(图中outl、out2都加了电压针)儿V(0UT2)*V(OUT1)Time该波形是呈对称的波形，随着电阻从1K至10K的变化，电压变化的越来
7、越平缓且电压平均在逐渐减小。3、蒙托卡诺分析PARAMETERS:1)在上图的基础上，首先把全局参数设置的=-删除，把R1改成Rbreak中电阻元件:2) 对刚替换的R1符号后要设置电阻的模型参数变化，贝V，首先选中该元件，再执行Capture中的Edit/PSpiceModel子命令，则出现下图，并设置相应的DEV、LOT参数变化模式：3）设置相应的仿真参数如下图所示：（选择蒙态卡诺分析）08us10usOs0.2us04us06us人*V(OUT2)Time4、最坏情况分析:保持MC分析中的设置等，只是在做MC分析时，选择最坏情况分析设置参数如下:最坏情况分析的结果如下:Time它是截取了
8、最咼点与最低点的波形。5、标志符的设置与分析：在out2端口上放置VPLOT1,表示将该符号引出端与电路图中某一节点相连，使该节点与地之间的电压分析结果以字符图形的形式存入out文件。添加元器件如下：进行此种分析时可不用进行其它附加分析，只要在一般瞬态分析下执行就可以：设置参数如下：厂I12.DDV|-637.4nVRC110kQ2N222202O2N2222Q2N22226.4V6.0V5.6V0.2us0.4us0.6us0.8us10us运行之后，probe出现如下图形：（它只是out2点的电压瞬态分析）5.2V0s口V(0UT2)Time调出其OUT文件，则可找到如下的图形曲线如下:*
9、TRANSIENTANALYSISTEMPERATURE=27.000DEGCTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTxTIMEV(OUT2)(*)5.0000E+005.5000E+006.0000E+006.5000E+007.0000E+000.000E+005.449E+00.*.2.000E-085.494E+00.*
10、.4.000E-085.633E+00.*.6.000E-085.821E+00.*.8.000E-085.999E+00.*1.000E-076.092E+00.*1.200E-076.056E+00.*1.400E-075.905E+00.*.1.600E-075.697E+00.*.1.800E-075.511E+00.*.2.000E-075.405E+00.*.2.200E-075.424E+00.*.2.400E-075.558E+00.*.2.600E-075.754E+00.*.2.800E-075.939E+00.*.3.000E-076.037E+00.*3.200E-07
11、6.002E+00.*3.400E-075.847E+00.*.3.600E-075.634E+00.*3.800E-075.457E+00.*.4.000E-075.370E+00.*.4.200E-075.393E+00.*.4.400E-075.526E+00.*4.600E-075.711E+00.*4.800E-075.894E+00.*.5.000E-075.993E+00.*5.200E-075.960E+00.*.5.400E-075.806E+00.*.5.600E-075.594E+00.*.5.800E-075.418E+00.*.6.000E-075.329E+00.*
12、.6.200E-075.352E+00.*.6.400E-075.479E+00.*.6.600E-075.677E+00.*6.800E-075.865E+00.*.7.000E-075.965E+00.*.7.200E-075.933E+00.*.7.400E-075.788E+00.*.7.600E-075.592E+00.*.7.800E-075.404E+00.*.8.000E-075.313E+00.*.8.200E-075.335E+00.*.8.400E-075.471E+00.*.8.600E-075.657E+00.*.8.800E-075.844E+00.*.9.000E-075.945E+00.*.9.200E-075.913E+00.*.9.400E-075.759E+00.*.9.600E-075.547E+00.*.9.800E-075.359E+00.*.1.000E-065.267E+00.*.实验心得：通过本次实验，我对pspice分析中的参数扫描分析和相应的一些基础统计分析有了一定的了解与更深的学习，我个人觉得这可用于检测信号的误差问题，以及进行数学统计分析等，应该对以后会有一定的帮助吧。
