成稿单相半控桥式晶闸管整流电路课程设计报告

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1、电力电子课程设计单相半控桥式晶闸管整流电路设计带续流二极管、反电势 电阻负载院 别：机械与电子工程学院 专业年级：电气工程自动化 姓 名：学 号：指导教师：起止日期：1.设计任务书一、设计题目单相半控桥式晶闸管整流电路设计带续流二极管、反电势、电阻 负载二、设计目的通过电力电子变流技术的课程设计到达以下几个目的：1、培养学生文献检索的能力，特别是如何利用 Internet 检索需 要的文献资料。2 培养学生综合分析问题、发现问题和解决问题的能力。3、培养学生运用知识的能力和工程设计的能力。4、培养学生运用仿真工具的能力和方法。5、提高学生课程设计报告撰写水平。三、设计数据:1、电源电压：交流

2、100V/50Hz2、输出功率：500W3、移相X围301504、反电势：E=70V四、设计内容：单相半控桥式晶闸管整流电路的设计带续流二极管反电势、电阻负载五、设计要求1画出电路原理图2完成参数计算六、课程设计报告要求课程设计用纸和格式统一，要求图表规X,文字通顺，逻辑性强。设计报告不少于20 页。1、设计的根本要求给出所要设计的装置的主要技术数据和设计装 置要到达的要求包括性能指标，最好剑术所设计装置的主要用途2、总体方案确实定包括调制方式，pwm控制方法，主电路形式确 定等3、具体电路设计主电路设控制电路设计以及参数计算等4、附录电路图，仿真结果图等5、参考文献前言电力电子学，又称功率电

3、子学（Power Electronics）。它主要研究各种电力电子器 件，以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的电路或装置，以完成对电能的 变换和控制。它既是电子学在强电（高电压、大电流）或电工领域的一个分支，又 是电工学在弱电（低电压、小电流）或电子领域的一个分支，或者说是强弱电相结 合的新科学。电力电子学是横跨“电子、“电力和“控制三个领域的一个 新兴工程技术学科。随着科学技术的日益开展,人们对电路的要求也越来越高,由于在生产实际中 需要大小可调的直流电源,而相控整流电路构造简单、控制方便、性能稳定,利用 它可以方便地得到大中、小各种容量的直流电能,是目前获得直流电能的主要方 法,得到了

4、广泛应用。在电能的生产和传输上，目前是以交流电为主。电力网供 应用户的是交流电，而在许多场合，例如电解、蓄电池的充电、直流电动机等， 需要用直流电。要得到直流电，除了直流发电机外，最普遍应用的是利用各种半 导体元件产生直流电。这个方法中，整流是最根底的一步。整流，即利用具有单 向导电特性的器件，把方向和大小交变的电流变换为直流电。整流的根底是整流 电路。由于电力电子技术是将电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域，利用 半导体电力开关器件组成各种电力变换电路实现电能和变换和控制，而构成的一 门完整的学科。故其学习方法与电子技术和控制技术有很多相似之处，因此要学 好这门课就必须做好课程设计，因而

5、我们进展了此次课程设计。我们知道，单相整流器的电路形式是各种各样的，整流的构造也是比拟多 的。单相桥式半控整流电路，对每个导电回路进展控制，相对于全控桥而言少了 一个控制器件，用二极管代替，有利于降低损耗！故我们将单结晶体管触发的单 相晶闸管半控整流电路这一课题作为这一课程的课程设计的课题。第一章 单相半控桥式整流电路供电方案的选择1.1 具体供电方案电源电压：交流 100V/50Hz第二章 单相半控桥式反电动势、电阻负载整流电路主电路设计2.1 主 电 路 原 理 图2.2变压器二次侧电压的计算电源电压：交流100V/50Hz,输出功率：500KW,移相X围30150,反电势：E=70V。设

6、R=5Q2.3变压器一 、二次侧电流的计算P=Ud2/R Ud=50vo P=Id2R, Id=10AU1/U2=220/100=11/5,N1/N2=11/5I2=5id /6=25/3 A2.4变压器容量的计算S=U i =100X25/3=83333kvA1125变压器型号的选择N1:N2=11/5,S=83333kvA第三章 电路元件的选择31整流元件的选择 由于单相桥式半控反电动势、电阻负载电路主要器件是晶闸管，所以选取 元件时主要考虑晶闸管的参数及其选取原那么。311 晶闸管的构造晶闸管是大功率的半导体器件，从总体构造上看，可区分为管芯及散热器两大局部，分别如图1-6及图1-7所示

7、。a螺栓型b平板型c符号图晶闸管管芯及电路符号表示管芯是晶闸管的本体局部，由半导体材料构成，具有三个与外电路可以连接 的电极：阳极A,阴极K和门极或称控制极G,其电路图中符号表示如图 1-6c所示。散热器那么是为了将管芯在工作时由损耗产生的热量带走而设置的 冷却器。按照晶闸管管芯与散热器间的安装方式，晶闸管可分为螺栓型与平板型 两种。螺栓型图1-6a依靠螺栓将管芯与散热器严密连接在一起，并靠相互 接触的一个面传递热量。a自冷b风冷c水冷图晶闸管的散热器晶闸管管芯的内部构造如图1 -3所示，是一个四层PNPN丨三端112 2A、K、G的功率半导体器件。它是在N型的硅基片N的两边扩散P型1半导体杂

8、质层P、P，形成了两个PN结J、J。再在P层内扩散N型半导体1 2 12 2杂质层N又形成另一个PN结J。然后在相应位置放置钼片作电极，引出阳极A, 阴极K及门极G,形成了一个四层三端的大功率电子元件。这个四层半导体器 件由于三个PN结的存在，决定了它的可控导通特性。3.1.2晶闸管的工作原理通过理论分析和实验验证说明：1只有当晶闸管同时承受正向阳极电压和正向门极电压时晶闸管才能导通, 两者不可缺一。2晶闸管一旦导通后门极将失去控制作用，门极电压对管子随后的导通或 关断均不起作用，故使晶闸管导通的门极电压不必是一个持续的直流电压，只要 是一个具有一定宽度的正向脉冲电压即可，脉冲的宽度与晶闸管的

9、开通特性及负 载性质有关。这个脉冲常称之为触发脉冲。3要使已导通的晶闸管关断，必须使阳极电流降低到某一数值之下约几 十毫安。这可以通过增大负载电阻，降低阳极电压至接近于零或施加反向阳极 电压来实现。这个能保持晶闸管导通的最小电流称为维持电流，是晶闸管的一个 重要参数。晶闸管为什么会有以上导通和关断的特性，这与晶闸管内部发生的物理过程 有关。晶闸管是一个具有PNPN四层半导体的器件，内部形成有三个112 2PN结J、J、J，晶闸管承受正向阳极电压时，其中J、J承受反向阻断电压，J123132承受正向阻断电压。这三个PN结的功能可以看作是一个PNP型三极管VTP1 1 NP和一个NPN型三极管VT

10、NPN构成的复合作用，如图1-91 2 2 12 2所示。图晶闸管的等效复合三极管效应可以看出，两个晶体管连接的特点是一个晶体管的集电极电流就是另一个晶体管的基极电流，当有足够的门极电流I流入时，两个相互复合的晶体管电路就g会形成强烈的正反应，导致两个晶体管饱和导通，也即晶闸管的导通。如果晶闸管承受的是反向阳极电压，由于等效晶体管VT、VT均处于反压1 2 状态，无论有无门极电流I,晶闸管都不能导通。g3.13晶闸管的根本特性1.静态特性静态特性又称伏安特性，指的是器件端电压与电流的关系。这里介绍阳极伏 安特性和门极伏安特性。1阳极伏安特性晶闸管的阳极伏安特性表示晶闸管阳极与阴极之间的电压U与

11、阳极电流iaka图6.5晶闸管阳极伏安特性正向阻断高阻区；负阻区；正向导通低阻区；反向阻断高阻区阳极伏安特性可以划分为两个区域：第I象限为正向特性区，第山象限为反 向特性区。第I象限的正向特性又可分为正向阻断状态及正向导通状态。2门极伏安特性晶闸管的门极与阴极间存在着一个PN结J，门极伏安特性就是指这个PN 结上正向门极电压U与门极电流I间的关系。由于这个结的伏安特性很分散， 无法找到一条典型的代表曲线，只能用一条极限高阻门极特性和一条极限低阻门 极特性之间的一片区域来代表所有元件的门极伏安特性，如图1-11阴影区域所图6.6晶闸管门极伏安特性2动态特性晶闸管常应用于低频的相控电力电子电路时，

12、有时也在高频电力电子电路中 得到应用，如逆变器等。在高频电路应用时，需要严格地考虑晶闸管的开关特性, 即开通特性和关断特性。1开通特性晶闸管由截止转为导通的过程为开通过程。图1-12给出了晶闸管的开关特 性。在晶闸管处在正向阻断的条件下突加门极触发电流，由于晶闸管内部正反应 过程及外电路电感的影响，阳极电流的增长需要一定的时间。从突加门极电流时 刻到阳极电流上升到稳定值I的10%所需的时间称为延迟时间t，而阳极电流从Td10%I上升到90%I所需的时间称为上升时间t,延迟时间与上升时间之和为晶TTr闸管的开通时间t二t+t,普通晶闸管的延迟时间为0.51.5開，上升时间为0.5gt d r3阴

13、。延迟时间随门极电流的增大而减少，延迟时间和上升时间随阳极电压上升通常采用外加反压的方法将已导通的晶闸管关断。反压可利用电源、负载和 辅助换流电路来提供。要关断已导通的晶闸管，通常给晶闸管加反向阳极电压。晶闸管的关断，就 是要使各层区内载流子消失，使元件对正向阳极电压恢复阻断能力。突加反向阳 极电压后，由于外电路电感的存在，晶闸管阳极电流的下降会有一个过程，当阳 极电流过零，也会出现反向恢复电流，反向电流达最大值I后，再朝反方向快RM速衰减接近于零，此时晶闸管恢复对反向电压的阻断能力。3.14整流元件中电压、电流最大值的计算Uta=(23)v2U2=.-2 X 2 X100=400VI=(l

14、52)k Id=2 X0.75X10=15A3.15整流元件型号的选择晶闸管的型号为：Kpi5-4第四章 保护元件的选择4.1变压器二次侧熔断器的选择采用快速熔断器是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措 施。在选择快熔时应考虑：1电压等级应根据熔断后快熔实际承受的电压来确定。2电流容量应按其在主电路中的接入方式和主电路联结形式确定。快熔一 般与电力半导体器件串联连接，在小容量装置中也可串接于阀侧交流母线或直流 母线中。3快熔的I 21值应小于被保护器件的允许I 21值、4为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间电流特性。因为晶闸管的额定电流为10A,快速熔断器的熔断电流大于1

15、.5倍的晶闸管额定电流，所以快速熔断器的熔断电流为15A。4.2晶闸管保护电路的选择4.2.1 过电流保护当电力电子变流装置内部某些器件被击穿或短路；驱动、触发电路或控制电 路发生故障；外部出现负载过载；直流侧短路；可逆传动系统产生逆变失败；以 及交流电源电压过高或过低；均能引起装置或其他元件的电流超过正常工作电 流，即出现过电流。因此，必须对电力电子装置进展适当的过电流保护。4.2.2 过压保护设备在运行过程中，会受到由交流供电电网进入的操作过电压和雷击过电压的侵袭。同时，设备自身运行中以及非正常运行中也有过电压出现。因此，必须 对电力电子装置进展适当的过电压保护。4.3保护电路原理图及工作原理图4.3过流保护原理图.I?! -駐rtS-H图4.3过电压保护电路第五章 单相半