霍尔传感器中文手册

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1、1描述ES582是单极霍尔效应传感器从混合信号 IC制造 CMOS技术。设备集成了一个电压调节器,霍尔传感器动态 补偿取消系统,施密特触发器和一个open-drain输出驱动程 序,所有在一个包中。它集成了先进的直升机稳定技术提供准确和稳定的磁开关点。有很多申请这HED -霍尔电子设备除了那些下面列出。由于其宽工作电压范围和扩展温度范围的选择,它非常适用于汽车,工业和消费者应用程序。交付的设备是在一个小提纲晶体管(说)表面安装过程和在一个塑料单(-92平)通孔。3-lead 包都是通过无铅认证。2特性宽工作电压范围3.5 v和24 v 介质的敏感性CMOS技术Chopper-stabilize

2、d 放大级 优良的温度稳定性 极低的开关点漂移 对身体压力 低电流消耗明渠输出小SOT23 3 l和平板-92 3 1,通过无铅认证包3应用程序汽车、消费品和工业 固态开关断续器速度检测线性位置检测角位置检测接近 detectio4原理框图SO PackagePin 1 VDDPin 2 - OUTPin 3 GND5术语表术语描述毫伏特斯拉(mT)高斯,磁通密度单位:1吨=10高斯RoHS有害物质限制SOT小轮廓晶体管(说包)也被称为包代码ESD静电放电BLDCBrush-Less 直流操作点(BOP)磁通密度应用于品牌的包将输出驱动程序(输出电压=VDSon)释放点(BRP)磁通密度应用于

3、品牌的包挫伤了驱动程序的输出(输出电压=高)6销的定义和描述SE销UA销.类型函数名称11VDD输入电源电压销23OUT输出输出销32GND接地地面销7独特的特性基于混合信号CMOS技术,Innosen ES582霍尔设备与介质磁敏感性。这种多功能开关满足大多数应用 程序的需求。chopper-stabilized放大器使用开关电容技术来抑制抵消一般观察与霍尔传感器和放大器。CMOS技 术使这种先进技术,有助于更小的芯片尺寸和低电流消耗比双极技术。小芯片的大小也是一个重要因素来 减少身体压力的影响。这种组合的结果更稳定的磁性特征,使更快和更准确的设计。宽工作电压24 v 3.5 v低电流消耗和

4、大工作温度范围的选择根据“L”,和“E”规范使这个装置适 用于汽车、工业和消费应用程序。8绝对最大额定参数参数标志值单位电源电压VDD28V电源电流【DD50mA输出电压VOUT28V输出电流【OUT50mA存储温度范围TS-50 150C最大结温TJ165C操作温度范标志值单位后缀“E”温度TA-40 85C后缀“L”温度TA-40150C注意:超过绝对最大额定参数可能造成永久性伤害。接触absolute-maximum额定条件时间延长可能影响器件的可靠性。9通用电气规范直流操作参数:TA = 25C,VDD 24 v = 3.5 v(除非另有说明)参数标志测试条件MinTypMax单位电源

5、电压VDD操作3.524V电源电流IDDB BOUT,OP0.5V泄漏电流输出【OFFB BopLow南极(SOT)B BOPLowNull或弱磁场B= 0 or B BFPHigh12应用程序信息强烈建议外部旁路电容器连接(靠近霍尔传感器)之间的供应(VDD销)和地面(接地针)的设备来减少外部噪声和噪声产生的直升机稳定技术。是下一个页面的两个图所示,一个o.if电容器是典型。反向电压保护,建议连接电阻、二极管串联VDD销。当使用一个电阻,3分很重要:电阻限制了最大反向电流到50 ma(VCC / R1W50 ma)结果低VDD设备电源电压必须高于VDD min(VDD = VCC -R1 *

6、 IDD)电阻必须承受反向电压的功率耗散条件(PD =VCC2 / R1)当使用一个二极管,反向电流不能流和电压降几乎是常数(0.7 v)。因此,100年/ 0.25 w电阻器为5 v 程序建议和更高的电源电压的二极管。这两个解决方案都提供了所需的反向电压保护。弱电源时使用或将 要使用的设备是在嘈杂的环境中,推荐以下正确的图。形成的低通滤波器R1和C1和齐纳二极管Z1绕过障 碍或电压峰值发生在设备电源电压VDD。二极管D1提供了额外的反向电压保护。典型的三线应用电路汽车和严重环境保护电路R1:1OOD1C1IE 100 n=Z1VDDES582OUTR210 kC2GND4.7 n13防静电措

7、施电子半导体产品敏感,静电放电(ESD)。时总是观察静电放电控制程序处理半导体产品。14.包信息14.1 UA Package (TO-92 flat)s o + 0 L.O-H09一4.0 0.1Hall plate Location3 - 0.4厂0.05 0.053 - 0.38ES58ymmoNotes:1) . Con trolling dimension: mm;2) . Leads must be free of flash and plating voids;3) . Do not bend leads within 1 mm of lead to package in ter

8、face;1.24). PINOUT:Pin 1Pin 2Pin 3VddGNDOutputMarking:ES58 - Code of Device(ES582); y - last 1 digit of year;mm Production Lot;16.2 SO Package (SOT-3L)Notes:2.001) . PINOUT:Pin 1 VddPin 2 OutputPin 3 GND2) . All dimensions are in millimeters;Marking:58 - Code of Device (ES582); y last 1 digit of year; mm - Product!on Lot;Side View1.051.150.000.10End View0.300.60Hall plate location0.560.6615订购信息部分没有温度后缀包代码ES582E ( -40 C85X)SO (SOT-3L)UA (TO-92)L ( -40 C150 CSO (SOT-3L)UA (TO-92)

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