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1、反射板結構介紹反射板結構剖面圖示 第三層: In2O3 膜厚約750 A 第二層: AP 膜厚250A (T=25%) 第一層: TiO2 膜厚約250 A 基板:SiO2 Glass (膜厚約250 A) 第一層 TiO2 膜厚:150功能與優點:增加AP 之附著力,因AP在SiO2上之附著力不足,而AP 在TiO2 上附著力卻相當好,故可用TiO2改善。缺點:其為導電性不佳之靶材,在鍍膜時易產生Arc,造成粉塵掉落在基板上而鍍膜後形成pinhole,目前加裝輔助器減少Arcing 以改善之。分光影響:穿透率:膜厚越厚穿透率高,但影響度極小。反射率:膜厚越厚穿透率低,但影響度極小。第二層 A
2、P (AgPd) 膜厚:依穿透率而不同功能與優點:為主要反射層,其單層膜厚在900 以上即可達全反射(100%上),為所有材料中反射率相當高之材料之一,更改膜厚可準確控制所要的穿透率。缺點:AP 含有90%以上之銀,因此活性不小,易與空氣形成氧化物,且其耐熱性不佳,在高溫時銀原子易產生聚集,且高溫會加速銀合金氧化,故單層AP保存期限不長。分光影響:穿透率:膜厚越厚穿透率低,但影響度極大。反射率:膜厚越厚穿透率高,但影響度極大。Al-Nd代替AP: 反射比AP反射低、保存長、成本低,鍍膜後,顏色同AP (全反)第三層 In2O3 膜厚:750功能與優點:其為保護層,以及分光輔助層,AP加上In2
3、O3後可改善其耐熱性與增加保存期限,AP之分光曲線與其AP之色度,隨著其膜厚之不同可更改反射板之曲線與色度。缺點:而其缺點為靶材表面的阻抗會隨使用時間而增加,相同的功率只得到較小之膜厚而使得分光特性改變(穿透率上升,反射率下降),且會因阻況分不同,造成膜厚不均,分光均勻度不均。分光影響:穿透率:膜厚越厚穿透率低,其影響度僅次於AP,但受限於膜厚。反射率:膜厚越厚穿透率高,影響度僅次於AP,但亦受限於膜厚。(In2O3不能低於650,因其色度會改變)反射常見不良項目:1. Pin hole: 1. Mask的剝膜。 2. TiO2靶Arc。 3. 磁鐵上之粉塵。 4. 腔體、環境與人為因素。2.
4、 污染: 1. 磁鐵。 2. 人員壓痕。3. 外擴: 1. Mask變形。 2. 磁鐵磁力不夠。4. 分光不良: AP由於AP靶為金屬靶,在靶材厚度愈來愈薄時,其導電性相對提高,而背板後的磁力相對提高,因此在相同功率下,膜厚會愈來愈厚,但此為有Time及方向性可以獲得控制。In2O3靶材在使用後,靶材表面會生成讓阻抗上升之物質,隨著時間阻抗會上升,並且上升阻抗的地方不一,這會使得在相同的功率下膜厚會相差很多,造成膜厚不均、分光不均。 反射板作業流程: 清洗glass glass檢驗 掛片(結合Mask) 入料鍍膜 鍍膜完成 下片 將glass收至Magazine 成品檢驗檢驗手法:1. 將gl
5、ass垂直放,用手掌在glass上方,利用氮氣清理glass表面,避免有Particle造成誤判,以及將被膜蓋住之Particle吹除讓Pinhole顯現出來。2. 將glass放置檢查燈台上,以目視觀察cell內之缺陷是否超過規範。3. 檢驗時以比對卡及比對卡尺判斷是否NG。4. 將glass取至與視線平行之位置,打開強光燈檢查表面刮傷污染等不良項目。5. 全反射glass放置強光燈之上,檢查Pinhole和刮傷不良項目。6. 外擴不得超出cell外0.3mm,外擴檢測使用比對卡尺對照cell週邊外擴寬度。 7. 位移位移量檢測使用投影機量測cell至glass邊緣之距離4點量測箭頭指示距離,其超過 0.15mm判定NG(標準製程提供)。124 38. 分光特性:依產品規格書判定 4 穿透 25 354 35 505 半透式反射和全反式反射板檢測使用分光光儀器測玻璃,5點為半透式須測穿透率,全反Al-Nd須測反射率98OK25431