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1、解析：对于PMOS和NMOS管二极管连接形式的CS放大电路，最大的差别在于PMOS做负载无体效应，因此这里应该考虑gmb的影响。同时，因为L=，沟道长度比较短，因此，沟长调制效应也应该考虑进去。nCOXn?0sio23508.8510143.91.34104AV2tOX9104同理pCOX3.835105AV2W50W10ID1ID20.5mAL0.5L0.512ro1ro2120KNIDI1CWVV21VVO=D22noxL2GS2TH2NDS2gm12COXWID3.6103A/Vgm21.63103A/VLgmb2gm22.38104A/V22VSBF输出电阻:ROUT11/ro1508
2、gm2gmb2ro2增益AVgm1ROUT1.85M2换为PMOS管，则可忽视M2的体效应，同理可得ROUT1/ro1974gm21ro2增益AVgm1ROUT0.85W50W50ID20.5mA（a）0.5L2ID1L12120K110Kro1ro2NIDPID又nCOXn?0sio21.34104AV2tOXW3gm12COXLID3.610A/V增益AVgm1ro1/ro224.4（b）求输出电压的最大摆幅及求输出电压最大值与最小值之差解析可知，当M1管处于临界三极管区时输出电压有最小值Vomin，此时有：VOUTVDS1VGSVTH1I1nCoxWVTH12NVDSD2LVGS11有以
3、上两式可推得Vomin=当M2管处于临界三极管区是输出电压有最大值Vomax，同理有：I1pCoxWVTH221PVSDD2LVGS2V=Vomax=V-VSDMIN=2VSDMINDD输出电压的最大摆幅为V-Vomin=omax（a）W50ID11mARD2KL0.5ro110KNIDROUTro1/RD1.66Kgm12CWID5.18103/VOXLA增益AVgm1ROUT0.86（b）M1工作在线性区边沿VOUTVDS1VGSVTH1W2VDDVOUTID2nCoxLVGSVTHR1D由以上两式可得VGS1.13，ID1.2810-3AVro17.8KNID增益AVgm1ro/RD9.
4、34（c）各地域主要由VDS决定，进入线性区50mV即三极管临界区的VDS减小50mV临界区的VDSVDDIDRD0.44V因此进入线性区50mV时的VDS=IVDDVDS1.3103ADRD1W2ID2nCoxL2VGSVTHVDSVDSVGS1.14V1又三极管区gCWV5.19mnoxL1DSRO1IDnCoxWVGSVTH1VDSRO1.28KVL1DS增益AVgmRo/RD4解析：已知各支路电流及M1宽长比，可求得M1过驱动电压即Vout，从而由M2的Vgs及电流可求得其宽长比。W20ID11mAIS0.75mA0.5L1M1处于临界三极管区有：I1CWVGS210-3VGSVTH0
5、.81D12noxL1VTHV对M2解析可得：ID21pCoxWVDDVout2ID1IW5.162L2VTHSL2此时小信号增益为：AVgm1ROUTgm110.42gm2解析：已知支路电流可求得电路输出电阻，由增益表达式可知M1跨导gm1，从而可求得M1宽长比；又由输出摆幅VDDVOD2VOD12.2可推出M2宽长比。ID2ID11mAro1110Kr215KNIoPIDDgm1ro1/ro2100gm10.03由gm12COXWID10.03W3352.58L1L1又因为输出电压摆幅为，可得：VDDVOD2VOD12.2VDD2ID2ID2.2W96.97PCWnCWL2OXL2OXL1
6、略略解析：小信号等效电路图不便绘制，一下解答皆用大信号解析而后对输入求偏导得出小信号增益。（a）对VOUT点列节点电流方程：VDDVOUTVOUTVINgmVINVOUTRDRFro上式对VIN求偏导得：AvVOUTgm1RFVIN111RFroRD（b）对VOUT点列节点电流方程：VDDVOUTVOUTVINVOUTVINgmVbVINR2R1roVOUTgm11上式对VIN求偏导得：AvR1roVIN111R1roR2（c）对VOUT点列节点电流方程：VINVOUTgm2VDDVOUTVOUTgm1VINro2ro1VOUTgm1-gm2上式对VIN求偏导得：AvVINgm211ro2ro1（a）输出短路求等效跨导Gmix-g1vin-vinro1G-gm1ro11
