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1、固溶强化、冷变形强化、细晶强化、析出相强化、弥散强化和复合强化形变强化形变强化是通过塑性变形使铜合金的强度和硬度得以提高，它是最常用的铜合金强化手段之 一。由于冷加工产生的晶体缺陷对材料的导电性影响不大，这种强化方式在提高强度的同时 仍使合金具有很高的导电性。形变强化的特点是在材料强度上升的同时，其塑性迅速下降， 导电率也会因位错密度的增加而略有下降。另外，当使用温度上升时，材料会发生回复、再 结晶过程而软化，而且单一的形变强化使合金的强度提高的幅度有限，所以常和其它强化方 式同时使用。固溶强化是一种形成点缺陷的强化，溶质原子溶入铜基体中形成固溶体，引起晶格畸变，畸 变所产生的应力场与位错周围
2、的弹性应力场交互作用，使溶质原子移向位错附近，在位错周 围形成溶质原子的偏聚即形成“柯垂尔气团”，结果造成位错运动时，一方面要克服“气团” 的钉扎作用，另一方面又要克服溶质原子对位错运动的摩擦阻力，从而产生固溶强化效应。 同时合金元素的加入，可大大提细晶强化的效果可以用Hall-Petch关系式表示，晶粒尺寸减小， 合金的强度提高。这是因为多晶体在受力变形过程中，位错被晶界阻挡而塞积在晶界表面， 这样停留在晶界处的滑移带在位错塞积群的顶部会产生应力集中；位错塞积群可以与外加应 力发生作用，当该应力大到足以开动近邻晶粒内部的位错源时，滑移带才能从一个晶粒传到 下一个晶粒。由于晶界及相邻晶粒取向不
3、同，这就阻碍了位错从一个晶粒向另一个晶粒的运 动，晶粒越细，单位体积内的晶界体积就越大，对位错的阻力也越大，材料的强度就越高。 由于晶体的传导性能与结晶取向无关，晶粒细化仅使晶界增多，因而对铜的导电性能影响很 小。此外细晶强化在提高材料强度的同时还可以提高材料的塑性。这是由于晶粒细化后，材 料变形时晶界处位错塞积所造成的应力集中可以得到有效缓解，推迟了裂纹的萌生，在材料 断裂前可以实现较大的变形量。为了得到细晶粒组织，有几种方法可以采用：改变结晶过程中的凝固条件，如快速凝固法； 形变配合再结晶细化晶粒；强塑性变形法，利用脱溶反应、纺锤分解、粉末烧结、内氧化等 方法在合金内产生弥散的第二相以限制基体组织的晶粒长大；通过同素异形转变的多次反复 实现晶粒的细化；通过加入某种微量合金元素来细化晶粒，稀土对铜合金晶粒有明显细化作 用，可以显著细化铜合金晶粒。高材料的软化温度。
