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1、高级练习题一、填空题：1当PN结正向连接时，阻挡载流子扩散的PN结空间电荷层,允许PN结上有电流通过；当PN结反向连接时，阻挡载流子扩散的PN结空间电荷层，PN结上只允许漏电流通过。2圆片背面减薄工艺对表面对光洁度没有像正面抛光要求那么严格，它的技术难点是精确的控制圆片的精 确、和。3. 硅中天然地最易于破裂的晶面是面。4激光划片是利用高能量地激光束，束斑直径若干微米，其能量大于105106W/cm2,使硅片并，留下一排整齐的小孔。5. 激光划片优点是能打孔或刻槽。缺点是设备昂贵，维修困难，操作复杂，而且有强烈的半导体及其氧化物，环保设施困难，而且需设法防止到芯片正面污染器件。6. 固化性能，
2、即获得固化所需和，还包括固化后需有一定粘接强度和尽可能小的，以减少应力产生。另外固化时不应有放出，避免产生针孔。7银浆配制方法： (焊料)90g， (降低熔点)1.4g， (还原剂)9g， (溶剂)37.5mL, (增加黏度)5.7mL。8. 影响金丝球焊质量的基本因素可简单归结为：(1) ；(2) ;(3) ;(4) ;(5) ;(6) 。9. 超声键合设备的基本结构由：(1) ；(2) ;(3) ;(4) 四部分组成。如果是超声热压设备，还必须有。(5) 。10. 激光焊接是利用到几至几十微米的束斑，能在极短时间使斑点原材料，通常能量在105106W/cm2的强度，但又必须控制中心区温度小
3、于。11. 各种键合方法的特点比较如下：(1) 超声键合可在下完成，不引入温度应力，这对某些器件的制造过程是十分有利的。热压键合没有，因此对管芯不引入机械应力，对这某些器件来说也许是重要的；(2) 超声键合可以焊接的吕丝吕带和金丝金带。而热压焊接只能键合；(3) 超声焊的焊接强度热压焊；(4) 金丝球焊优点是压点无，键合一般大于同类电极系统的楔刀焊接。12. 对于高质量的等级的产品，例如军品镜检需要进行两次。第一次是前的芯片镜检，第二次是前的镜检。前者是检验各工序引入的种种缺陷，后者是对等工艺引入的缺 陷进行检验。对于一般用途的产品也需要进行镜检，只是不合格判据适当放宽。13. 内引线检查中使
4、用的不合格判据：(1) 引线的；(2) 引线与任何暴露的金属(无论是金属化条、金属丝还是金属导体)之间交叉的空隙小于引线直径的(3) 引线上存在的裂口、弯曲、割口、卷曲、刻痕或颈缩使引线直径以上，引线和键的结合处出现撕裂；(4) 从管芯键合区到引线键合区之间的引线为而不是弧形。14. 芯片安装不合格判据：(1) 安装材料延伸到芯片或上；(2) 在芯片的两条边上或整个周长的以上看不到安装材料；(3) 透明管芯装架的键合面积小于50%；(4) 芯片装架材料；(5) 芯片装架材料呈、或；(6) 粘接材料中存在；(7) 引出端的上有粘接材料；(8) 粘接材料离导电腔壁小于。15. 管芯的方位不合格判据
5、：(1) 管芯或不符合装配图；(2) 管芯与封装壳边缘平行度偏离度。16. 管芯表面存在外来物度不合格判据：(1) 管芯表面上大到足以跨接未被钝化层覆盖的工作材料之间的距离；(2) 管芯表面上附着或嵌入外来物，包括金属化层在内的有源电路元件；(3) 管芯上的、或跨接了未钝化层覆盖的金属化层或裸露的半导体区域的任何组合；(4) 凡要进行颗粒碰撞检验要求的器件，不允许在管壳内存在极微小。17. 在芯片压焊内引线之后，在其表面上涂敷一层黏度适中的，并牢固地紧贴在芯片表面上的工艺称表面涂敷。表面涂敷工艺主要用于使用环境条件不苛刻的、的低价个民用产品中；在军品或高可靠性要求的场合一般用或使用。18表面涂
6、敷的目的是(1)使电极与引出线之间的； (2)保护管芯，稳定表面，避免周围气氛对性能的影响；(3)在表面贴装电路中，为了降低成本，低价出售，不用封装的器件，而直接用芯片装架，用方法代替管壳保护芯片；(4)在玻璃封装的晶体管中为了改善19. 绝缘栅场效应管比较脆弱，容易被击穿，使用和保存时应避免栅极悬空，一般要把三个电极，在焊到电路板上或从电路板上取下来时，应该把各极先在操作。20. 半导体工艺中退火作用是和。21. 场效应管放大器属于放大器。22厚膜半导体电阻网络基片制作工艺过程：，O23厚膜丝网印刷掩模又称模板、样板或漏印板，常用的有和两种。将光敏胶涂覆在丝网上制成感光薄膜，然后光刻出厚膜印
7、刷图案，称为；将光敏胶均匀涂覆于涤纶薄膜上，然后用光刻的方法制得乳胶掩模。在膜还湿润时，即将其与丝网贴平，压紧，待乳胶膜完全干后，轻轻将 乳胶膜待载体涤纶薄膜剥离，乳胶膜紧贴在丝网上即形成。而将制成待金属掩模贴附在普通丝网上形成掩模即称为。24. 在薄膜电路中，蒸发和淀积好金属薄膜后制作网络也用掩模。薄膜掩模通常有和两种，其使用方法与厚膜电路是不同的。25. 再流焊分为、及等。26. 金属封装可用于光电器件、分立器件和混合集成电路，封装也有些区别。从结构上分类，混合集成电路金属封装有、和。分立器件金属封装有 (国标)。光电器件金属封装有、和。27用于大规模集成电路以上等陶瓷封装有、和等。28金
8、属陶瓷封装可用于微波分立器件封装和单片集成电路(MMIC)。用于分立器件的金属陶瓷封装主要有 和两种。用于单片集成电路的金属陶瓷封装，主要类型有、 和。29. 塑料封装可以用于分立器件封装和集成电路封装，用于分立器件的封装，国外称，国内有和 (国标)等。用于集成电路的塑料封装种类很多，其中包括、 、和等。30. 降低密封外壳墙体内水分的主要途径有(1) ； (2) ；(3) ； (4) 。31. 钎焊密封工艺主要用于和。32在突缘电阻焊工艺，是一个重要的工艺参数，在一定条件下有着一个,若低于该值，即时延长通电时间，也不能实现焊接。在一定范围内，焊接强度随电流的增大而增强，但 会引入焊接飞溅，空
9、洞，裂纹等缺陷。33. 为使焊料在基体金属上有良好的浸润流散，钎焊密封工艺在实际生产中选择钎焊温度要比焊料流点高 左右。目前焊料一般选用AuSn2晶焊料，它的流点 ，钎焊温度应选34. 低温玻璃密封工艺流程：配玻璃料一一烘干一一检验一芯片装架一键合一熔封一检验一清洗一f测试f打印f包装。35适用于粘封工艺的5种材料：(1) ； (2) ； (3)可伐镀金件、无氧铜镀金件与光学玻璃；(4)氧化铝陶瓷与氧化铝陶瓷上的镀金导体；(5)铝合金镀银件与铝合金镀银件。36.胶封工艺流程：器具、工件清洗ff 搅拌ff 涂胶fff检验。37按用途和外观的不同，塑料材料的种类可分为、和大类，在规模上以固态环氧塑
10、封料最大。38环氧模塑料要在温度下储存，恢复常温时，在温度下恢复，在常温下最长储存时间为。39. 模塑料预热，一般采用加热方式，预热温度为，预热后的模塑料应迅速放入模具中。40. 塑封模具温度取决于模塑料的、及物理特性，一般采用。41在塑料封装中，使用的主要材料有导电胶、BT 树脂基板、焊球等，根据封装种类不同有些差异。42. 在注塑成型工艺中，需要四种关键设备：、和.43. 氦质谱检漏工艺步骤中前三个工序为：(1)将器件置于压力箱中并； (2)给压力箱并保持一段时间；(3)取出器件将吹掉。44. 氦质谱检仪由、离子流放大器和控制部分组成。45氟碳化合物加压检漏工艺流程：(1)将器件置入加压箱
11、内并； (2)在不破坏真空的条件下，注入，充一定压力气体，保持一定时间；(3)取出器件并使其干燥; (4)将器件置于检漏仪浴槽中，浴槽中的已加热到； (5)观察冒泡情况判断是否漏气；(6)关闭机器。46.用力的分解可分析出实际键合点承受的拉力比拉力计指示值，而且e越，差值越。二、判断题：1当一块半导体中的一部分是P型，另一部分是N型时，P型区与N型区界面附近的区域 叫做 PN 结。()2. “二次击穿”是指二极管的雪崩击穿。（ ）3. 场效应晶体管是靠少数载流子来工作的。（）4. 双极型晶体管中电子和空穴都参加导电。（）5. 夹断电压是双极晶体管的重要参数。（ ）6. 共射极电路放大系数与FE
12、T的跨导是一样的概念。（）7. 开关晶体管有四个开关参数。（）& MOS集成电路的关键尺寸是“源”和“栅”之间的距离。（）9. 双极型集成电路的关键尺寸是基区厚度。（）10. 如果硅圆片是（110）圆片：在垂直于定位面方向划片，可沿上下两个方向进行，如果平 行定位面方向划片，则应由左向右进行；如果硅圆片是（111）圆片：在垂直于定位面方向 划片，或平行定位面方向划片，都没有进行方向限制。（ ）11. 银浆烧结是一种流传较广都方法，它适用于大功率晶体管。（）12. GaAs场效应晶体管的芯片烧结通常用金锡共晶焊料片，为防止金中锡的氧化，必须在纯 氮保护气氛下加热操作。（ ）13. 导电银膏价格低
13、，常用于民用小功率的器件和电路中，它适用于不同的固化温度和固化 条件。（）14. 成卷的内引线必须严格保存，要求存放环境是:洁净不易污染，相对湿度为20%50%,以免氧化。长期保存温度为1015C，最好保存在氮气箱内。（）15. 对静电放电敏感器件，根据它们的ESD失效阈值电压的大小可以分为如表所示的3级。等级ESD失效阈值电压1级019992级200039993级大于4000（）16. 厚膜电阻膜厚的均匀性不直接影响产品的成品率。（ ）17厚膜印刷制作厚膜电阻，其阻值的精度、电气稳定性和可焊性等技术指标，与厚膜丝印 质量有关。（ ）18. 厚膜电阻的长宽比从最大10：1至最小1：10。（）1
14、9. 厚膜浆料是胶体与悬浮体的混合体。（）20. 印好的湿膜应先置于室温下，依靠浆料本身的流动性使湿膜表面平整、丝网印痕消失， 静置时间越长越好。（ ）三、选择题：1. PN结正向连接时P区接，N区接； PN结反向连接时时P区接，N区接。A. 正 B.负2. 半导体温差致冷器的作用是。A. 整流 B.致冷 C.抽真空3. 环氧树脂类和聚酰胺类粘合剂都属于粘合剂。A. 热塑性B.热固性C.结构性D.光敏性4陶瓷无引线式载体（LCCC）、陶瓷针栅阵列封装（CPGA）、有引线陶瓷片式载体（LDCC）、陶 瓷四边引线扁平封装（CQFP、CQFJ）等一般用于封装。A. 集成电路B.分立器件C.光电器件5金属陶瓷封装可用于微波分立器件封装和单片集成电路（MMIC）。用于分立器件的金属陶 瓷封装主要有同轴型和两种。A.金属化型B.方型C.带线型6.塑料封装可以用于分立器件封装和集成电路封装。用于分立器件的封装，国外称小外型晶 体管型（S0T）,国内有和F型（国际）等。A. B型B. A型C. G型7. 塑料焊球阵列封装(PBGA)、倒装芯片焊球阵列封装(FCBGA)、采用自动载带技术的焊球阵列封装(TBGA)、 带散热器焊球阵列封
