《2023年附属实验学校女工委总结.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2023年附属实验学校女工委总结.docx（21页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、 201*附属实验学校女工委总结 201*附属试验学校女工委总结 阆中中学附属试验学校二00八年女工委工作总结 一年来，学校女工委在上级部门的关怀指导下，在校领导的正确领导和全校女教职工的共同努力下，我们组织了广阔女教工仔细学习工会法妇女儿童权益爱护法女职工劳动爱护法及新婚姻法等内容。积极宣传马克思主义妇女观和男女公平根本国策把宣传与时惧进的思想、弘扬开拓创新的精神、培育奋勉向上、拼搏进取的作风作为我校女工工作的重点。一年来我们结合学校的实际状况紧紧围绕学校教育教学中的任务绽开了各项工作全面提高了女教工的政治素养和科学文化素养，号召和引导广阔女教工在平常的工作和学习中自觉履行教师法工会法规定的
2、职责和义务。在政治思想、道德品质、学识学风上，广阔女教工都能以身作则，领先垂范，为人师表。在女教职工中形成讲政治、讲业务、顾大局、明责任、强素养的良好风气，为我校顺当通过广东省高中教学水平评估及国家级示范性高中复评做出了积极的奉献。 一年来，我校女工委仔细协作上级工会部门，仔细做好了工会以及女工委的日常工作，完成了上级部门交给的各项工作任务：1、坚持办实事做好事依法维护妇女权益，常常开展送暖和活动，女教职工的婚、丧、生子、生病住院等。女工委都赐予了关怀和帮忙。2、关怀女教职工的身心安康，为全体女教职员工续买了“妇女安康保险”，解决了她们的后顾之忧，为她们安心教学供应了安康保障。 3、协作规划生
3、育部门积极做好本校的妇检和流淌人口的规划生育查验证明工作。 4、依据上级部门精神积极开展庆“三、八节”、“母亲节”等活动。5、积极参与学校开展的各项体育健身活动和文娱活动（如拔河、羽毛球、跳棋、跳绳、踢毽竞赛等），并结合我校的实际状况，协作学校工会积极组织女教职工参加（有肯定的人数比例），以增加大家的分散力和集体主义的荣誉感，近几年来，我校的文体活动开展的如火如荼。 6、结合学校工作还胜利进行了女教职工教学竞赛和送课下乡活动。 一年来，我们虽然取得了一些成绩，但离领导的要求还有肯定的距离，今后我们将在工作中不断完善，开拓进取，创新进展更上一层楼。 二八年十二月二十九日 扩展阅读：笔试题 各大公
4、司电子类聘请题目精选-模拟电路 16、有源滤波器和无源滤波器的原理及区分?（新太硬件）17、有一时域信号S=V0sin(2pif0t)+V1cos(2pif1t)+V2sin(2pif3t+90),当其通过低通、带通、高通滤波器后的信号表示方式。（未知）18、选择电阻时要考虑什么？（东信笔试题） 19、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管准确传递模拟低电平，这个单管你会用P管还是N管，为什么？（仕兰微电子） 20、给出多个mos管组成的电路求5个点的电压。(Infineon笔试试题)21、电压源、电流源是集成电路中常常用到的模块，请画出你知道的线路构造，简洁描述其优缺点。（仕兰微电子） 2
5、2、画电流偏置的产生电路，并解释。（凹凸）23、史密斯特电路,求回差电压。（华为面试题） 24、晶体振荡器,似乎是给出振荡频率让你求周期(应当是单片机的,12分之一周期.)（华为面试题） 25、LC正弦波振荡器有哪几种三点式振荡电路，分别画出其原理图。（仕兰微电子）26、VCO是什么,什么参数(压控振荡器?)（华为面试题） 27、锁相环有哪几局部组成？（仕兰微电子） 28、锁相环电路组成，振荡器（比方用D触发器如何搭）。（未知）电子类公司笔试题精选一、模拟电路 1基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子） 基尔霍夫电流定律是一个电荷守恒定律,即在一个电路中流入一个节点的电荷与流出同一个节点的电荷
6、相等.基尔霍夫电压定律是一个能量守恒定律,即在一个回路中回路电压之和为零.2、平板电容公式(C=S/4kd)。（未知）3、最根本的如三极管曲线特性。（未知）4、描述反应电路的概念，列举他们的应用。（仕兰微电子） 5、负反应种类（电压并联反应，电流串联反应，电压串联反应和电流并联反应）；负反应的优点（降低放大器的增益灵敏度，转变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调整作用）（未知） 6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？（仕兰微电子）7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何转变频响曲线的几个方法。（未知）8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并
7、画补偿后的波特图。（凹凸） 9、根本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特殊是广泛采纳差分构造的缘由。（未知） 10、给出一差分电路，告知其输出电压Y和Y-,求共模重量和差模重量。（未知）11、画差放的两个输入管。（凹凸）12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的运放电路。（仕兰微电子） 13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。（未知） 14、给出一个简洁电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的rise/fall时间。(Infineon笔试试题) 15、电阻R和电容C串联，输入电压为R和C之间的
8、电压，输出电压分别为C上电压和R上电压，要求制这两种电路输入电压的频谱，推断这两种电路何为高通滤波器，何为低通滤波器。当RCinputclk;inputreset;input7:0d;output7:0q; reg7:0q; always(posedgeclkorposedgereset)if(reset)q regq; always(posedgeclkorposedgereset)if(reset)q 二、IC设计根底（流程、工艺、幅员、器件） 1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的熟悉，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清晰模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、
9、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。（仕兰微面试题目）2、FPGA和ASIC的概念，他们的区分。（未知）答案：FPGA是可编程ASIC。 ASIC:专用集成电路，它是面对特地用途的电路，特地为一个用户设计和制造的。依据一个用户的特定要求，能以低研制本钱，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。与门阵列等其它ASIC(ApplicationSpecificIC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造本钱低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点3、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区分何在？（仕兰微面试题目）4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？（仕
10、兰微面试题目）5、描述你对集成电路设计流程的熟悉。（仕兰微面试题目）6、简述FPGA等可编程规律器件设计流程。（仕兰微面试题目）7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。（未知） 8、从RTLsynthesis到tapeout之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.（未知）9、Asic的designflow。（威盛VIA201*.11.06上海笔试试题）10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。（威盛）11、集成电路前段设计流程，写出相关的工具。（扬智电子笔试）先介绍下IC开发流程： 1.）代码输入（designinput) 用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述
11、，生成hdl代码BBS语言输入工具：SUMMITVISUALHDLh5k“?4%Z6s1mMENTORRENIOR图形输入:composer(cadence); viewlogic(viewdraw) 2.）电路仿真（circuitsimulation) 将vhd代码进展从前规律仿真，验证功能描述是否正确数字电路仿真工具： BBSVerolog：CADENCEVerolig-XLMENTORModle-sim VHDL:CADENCENC-vhdl4MENTORModle-sim2A. 模拟电路仿真工具：*ANTIHSpicepspice，spectremicromicrowave:eesof
12、t:hp3.）规律综合（synthesistools) 规律综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应肯定工艺手段的门级电路；将初级仿真中所没有考虑的门沿（gatesdelay）反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进展再仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。 12、请简述一下设计后端的整个流程？（仕兰微面试题目）13、是否接触过自动布局布线？请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些根本元素？（仕兰微面试题目） 14、描述你对集成电路工艺的熟悉。（仕兰微面试题目） 15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？（仕兰微面试题目）16、请描述一下国内的工艺现状
13、。（仕兰微面试题目） 17、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目） 18、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最终的结果？（仕兰微面试题目）19、解释latch-up现象和Antennaeffect和其预防措施.（未知）20、什么叫Latchup?（科广试题） 21、什么叫窄沟效应?（科广试题） 22、什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增加型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差异？（仕兰微面试题目）23、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？（仕兰微面试题目） 24、画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图（应当是纵剖面图），
14、给出全部可能的传输特性和转移特性。（Infineon笔试试题） 25、以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。（科广试题） 26、Pleaseexplainhowwedescribetheresistanceinsemiconductor.Comparetheresistanceofametal,polyanddiffusionintranditionalCMOSprocess.（威盛笔试题design-beijing-03.11.09） 27、说明mos一半工作在什么区。（凹凸的题目和面试）28、画p-bulk的nmos截面图。（凹凸的题目和面试）29、写
15、schematicnote（？），越多越好。（凹凸的题目和面试） 30、寄生效应在ic设计中怎样加以克制和利用。（未知） 31、太底层的MOS管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题，由于全是微电子物理，公式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究。IC设计的话需要熟识的软件:Cadence,Synopsys,Avant，UNIX固然也要也许会操作。32、unix命令cp-r,rm,uname。（扬智电子笔试）三、单片机、MCU、计算机原理 1、简洁描述一个单片机系统的主要组成模块，并说明各模块之间的数据流流向和掌握流流向。简述单片机应用系统的设计原则。（仕兰微面试题目）2、画出8031与2716（2K*8ROM）的连线图，要求采纳三-八译码器，8031的P2.5,P2.4和P2.3参与译码，根本地址范
