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1、內層線路般使用l2mil厚度之乾膜。通常膜厚度越薄解析度越高，解析度是指乾墨經曝光顯影後所呈現之線路之粗細。二、使用負片底片作業（以乾膜保護線路）。三、廠內內層顯影速度為3.0m/sec，由於顯影液PH值廠商建議為10.6，而廠內僅為10.2明顯濃度不足，故建議顯影速度降低至2.8m/sec。（451-005全死在這裡）四、使用氯化銅酸+鹽酸走酸性蝕刻（須注意水滯效應之影響）O基材銅內層乾膜l2mil乾膜PP負片底片內層曝光&顯影底片空白處即為線路吐為負片底片l2mil乾膜光線經由底片空白處照射到乾膜，此乾膜用來保護線路不被蝕刻。此處乾膜沒有接觸到光線故會被顯影掉PP內層蝕刻乾膜保護線路、”此
2、處即為線路處銅箔被蝕刻掉內層剝膜此處即為線路外層線路一、廠內使用1.5mil乾膜。二、底片使用正片作業（於二銅時以鍍錫鉛保護線路）。三、鹼性蝕刻蝕刻液成分忘了。四、僅可單面曝光。因為曝光機台玻璃面透光能力較塑膠面佳。因此外層把上燈管給拆掉了。外層乾膜基材銅PP外層曝光&顯影黑色部分即為正片底片此處乾膜沒有被光繚照射故被顯影掉鍍二銅&鍍錫鉛二銅（約0.7mil）錫鉛約0.3mil剝膜乾膜已被清除將需鹼性蝕刻錫具有怕酸不怕鹼之特性故能保護線路錫具有怕酸不怕鹼之特性故能保護線路二銅錫鉛錫鉛二銅一銅一基材銅一剝錫二銅一銅V附註、TENTING製程為一銅加二銅後以負片作業走酸T生Ml刻，作業方式如同內層
3、作業。若外層搭配1.2mil乾膜可蝕刻較細線路，但若銅厚太厚或是鍍銅不均勻，則易造成蝕刻不潔而短路。因此雙面板或多層板若走TENTING製程其基板銅厚通常為l/3oz或l/4oz居多以期能達到較佳的時刻效果。二、PATEN製程為一銅後外層乾膜再鍍二銅走鹼性蝕刻，此為廠內一般外層線路做法。通常一銅鍍0.3mi匚銅ig0.7mil。如遇線距較細且密集的電路板，在二銅製程時易造成夾膜短路。二銅製程依序簡述為鍍銅f鍍誦f剝膜T触性育虫亥剝j錫二銅是鍍在線路上，乾膜是附著線距上面，因此當線距較細小時兩旁的線路會因鍍銅的關係使線路上幅連結將現距上的乾膜包覆在銅內此即為夾膜短路如下圖。故外層線距較細小時通常都走TENTING製程。乾膜線路f線距二銅夾膜短路示意圖因線距較細小鍍二銅時線路上幅會連結在一起將乾膜包覆於內
