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1、中等职业技术学校电子技术应用专业参考试题3一、选择题1. 硅二极管的导通电压为 。2. 二极管的部是由 所构成的。A. 两块P型半导体B.两块N型半导体C. 一个PN结D.两个PN结3. 二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 的关系曲线。A. V IB.V RC.I RD.fID DD DD DD4. 二极管的正极电位是一10V,负极电位是一5V，则该二极管处于 。A.导通B.截止C.击穿D.热击穿5. 以下二极管可用于稳压的是。A. 2AU6B. 2BW9C.2CZ8 D.2DP56. 假设把二极管直接同一个电动势为1.5V,阻为零的电源实行正向连接,则该管( )A.击穿B.电流为零C.电流过
2、大而损坏D.正向电压偏低而截止1 用万用表测得 PNP 三极管三个电极的电位分别是 V =6V，CV =0.7V, V =1V则晶体管工作在状态。BEA.放大 B.截止C.饱和D.损坏2在三极管的输出特性曲线中，当 I 减小时，它对应的输出特性曲B线 A. 向下平移B.向上平移面C.向左平移 D.向右平移3.工作在放大区的*三极管，如果当I从10A增大到30A时，I从BC2mA变为3mA，则它的卩约为()A.50B. 20C. 100D.104.工作于放大状态的PNP管,各电极必须满足A.V V VB.V V V VD.V V VBCECEB5.三极管的主要特性是具有作用。A.电压放大 B.单
3、向导电C.电流放大D.电流与电压放大6. 个正常放大的三极管，测得它的三个电极c、b、e的电位分别为6V、3.7V、3.0V，则该管是管。A. 锗 PNPB.锗 NPNC.硅 PNP D.硅 NPN7. 三极管各极对地电位如图 1-3-1 所示，则处于放大状态的硅三极管 是( )8. 当三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流 将( )A.增大B.减少C.反向D.几乎为零9. 三极管的I大，说明该三极管的()。CEOA.工作电流大B.击穿电压高C.寿命长 D.热稳定性差10. 三极管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应 一个特定的( )。A. iB.uC.iD.
4、iCCEBE1. 单相半波整流电路的变压器二次侧电压为10V，其负载上的直流电压为 A.9VB.4.5VC.14VD.2.2V2. 半波整流电路的负载上直流电压为9V,则二极管所承受的最高反向电压的实际值是( )A.20VB.40VC.28.28VD.56.56V3. 桥式整流电路输出的电压为变压器二次侧电压有效值的倍。A. 0.45B.0.707C.1.414D.0.94. 在桥式整流电路中，假设有一只整流二极管开路，则A可能烧毁元器件B.输出电流变大C.电路变为半波整流D.输出电压为05在单相桥式整流电路中，变压器二次电压有效值为10V,则每只 整流二极管承受的最大反向电压为 A. 10V
5、 B.10 2 V C. 5 2 V D.20V6.全波整流电路中，假设需保证输出电压为45V,变压器二次侧电压应为( )1有一桥式整流电容滤波电路的变压器二次侧电压U =20V,R =40Q,2LC=1000uF,现输出电压等于28V,这说明A.电路工作正常B.滤波电容开路C负载开路D.有一只二极管开路2.变压器二次侧的电压U =10V，经桥式整流电容滤波后，其输出直2流电压U约为L3在桥式整流电容滤波电路中，变压器二次侧电压U =20V,二极管承受 2的最高反向电压是( )A. 20VB.28VC.24VD.56V1. 按图2-3-1所示接线后，测得输出电压只有0.7V,原因可能是R 53
6、0 QI2V5. IVA. R开路;C.稳压管V接反;DDR.开路;D.稳压管短路。2.以下元器件中(E2-3-1将电信号转变成光信号。A.发光二极管B. 稳压二极管C. 光电二极管D. 变容二极管1. 在根本放大电路中，基极电阻R的作用是A.放大电流BB.调节偏置电流hC.把放大的电流转换成电压D.防止输入信号短路2. 放大电路在未输入交流信号时，电路所处工作状态是 A.静态B.动态 C.放大状态D.截止状态3. 在根本放大电路中，输入耦合电容C的作用是1A.通直流和交流B. 隔直流通交流C. 隔交流通直流D. 隔交流和直流4. 晶体三极管放大器设置适宜的静态工作点，以保证放大信号时，三 极
7、管 。A.发射结反偏B. 集电结正偏C. 始终工作在放大区D.始终工作在截止区5. 放大电路中，为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用的方法是A.减小IBB.提高Vcc的绝对值C.减小I的值CD增大IBC.不变D.不作任何处理7.在共射放大电路中，偏置电阻Rb增大，三极管的 A.V 减小 B.I 减小CEC增大8.在单级共射放大电路中 ，假设输入电压为正弦波形，则输出与输6. 画放大电路的直流通路时，电容视为B.开路A.短路入电压的相位 A. 同相B.反相C.相差90 D.相差609.在单级共射放大电路中，假设输入电压为正弦波形，而输出波形则 出现了底部被削平的现象，这种失真是(
8、) 失真。A.饱和 B.截止 C.饱和和截止D.交越 10.在共射固定式偏置放大电路中，为了使工作于截止状态的晶体三极管进入放大状态，可采用的方法是( )A.增大RcB.减小Rb1. 温度影响了放大电路中的(A.电阻 B.电容C.三极管C.减小Rc D.增大Rb)，从而使静态工作点不稳定D. 电源2. 采用分压式偏置放大电路，以下说确的是( )。A.起到稳定静态工作点的作用B.带负载能力增强C.提高了电压放大倍数D.减轻了信号源的负担1. 对于射极输出器来说 A. 没有电压放大作用，也没有电流放大作用B. 有电压放大作用，也没有电流放大作用C. 无电压放大作用，有电流放大作用D. 有电压放大和
9、功率放大作用2. 三极管共集电极放大电路具有以下特点 A.输出具有恒流源特性B.输出具有恒压源特性C.输入电阻小D.电压增益大1. 在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是( )多级放大电路。A.阻容耦合 B.变压器耦合 C.直接耦合2. 假设三级放大电路的电压增益G =G =30dB，G =20dB，电路将V1 V2V3输入信号放大了( ) dB。A.80B.800C. 10000D.180003. 一个多级放大器由两个一样的放大器组成，每级的通频带为15KHz,放大器总通频带为A、15KHzB、30KHzC、大于 15KHz D、小于15KHz4. 一个三级放大器，各级放大
10、电路的输入阻抗分别为R =1MQ,i1R =100KQ, R =200KQ，则此多级放大电路的输入阻抗为()。i2i3A.1MQB. 100KQC. 200KQD. 1.3KQ5. 两级放大器的放大倍数A =30, A =50，输入信号有效值V=1mA,V1V2i输出端信号有效值应为 A.80mA B.1.5VC.0.15V D. 150mA6. 两级放大器的第一级电压增益为30dB，第二极增益为20dB，其总的增益为( )A.600dBB.500dB C.5dBD.25dB1.反应系数的定义式为F二A、1+AV B、vf/vi C、vo/vfD、vf/vo2负反应放大器的反应深度等A、1+A
11、FB、1+AFC、1/1+AF D、1AF射极输出器是典型的电压串联负反应 电压并联负反应 放大器的反应是指 将信号送到输入端 输出信号送到输入端放大器电流串联负反应电流并联负反应B、将信号送到输出端D、将输入信号送到输出端5. 判别放大器属于正反应还是负反应的方法是 。A、输出端短路法 B、瞬时极性法C、输入端短路法1. 放大器引入负反应后性能变化是A、放大倍数下降，信号失真减小B、放大倍数下降，信号失真加大C、放大倍数增大，信号失真减小D、放大倍数不变，信号失真减小2. 不属于负反应对放大器性能影响的是A、提高放大倍数的稳定性B、改善非线性失真C、影响输入输出电阻D、使通频带变窄3电压并联
12、负反应放大器可以 A、提高输入电阻和输出电阻B、提高输入电阻、降低输出电阻C、降低输入电阻、提高输出电阻D、降低输入电阻和输出电阻4放大电路引入负反应后，以下说法不正确的选项是A、放大能力提高B、放大能力降低C、通频带变宽D、非线性失真减小5电压负反应对放大信号的影响是 。A、放大倍数减少B、放大倍数增大C、放大倍数减少了，而放大倍数更加稳定了D、放大倍数增大了，而放大倍数更加稳定了6一个阻抗变换电路，要求输入电阻大，输出电阻小，应选 负反应电路。A、电压串联B、电压并联C、电流串联D、电流并联7共集电极电路的反应类型是。A、电压串联负反应B、电流并联负反应C、电压并联负反应D、电流串联负反应
13、 1使用差动放大电路的目的是为了提高 。A输入电阻 B电压放大倍数 C抑制零点漂移能力 D电流放大倍 数2差动放大器抑制零点漂移的效果取决于 。A 两个晶体管的静态工作点B 两个晶体管的对称程度C各个晶体管的零点漂移D两个晶体管的放大倍数3差模输入信号是两个输入信号的 ，共模输入信号是两个输 入信号的 。A和 B差 C比值 D平均值4电路的差模放大倍数越大表示 ，共模抑制比越大表示 。A有用信号的放大倍数越大B共模信号的放大倍数越大C抑制共模信号和零漂的能力越强5差动放大电路的作用是 。A放大差模 B放大共模 C抑制共模 D抑制共模，又放大差 模6. 使用差动放大电路的目的是为了提高 。A、输入电阻 B、电压放大倍数C、抑制零点漂移能力D、电流放大倍数1集成运放电路的实质是一个的多级放大电路。A 阻容耦合式 B 直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都 有2理想集成运放部电路，第一级大多采用 电路A、共发射极 B、共极电极 C、差动放大 D、复合互补对称放大3.差分放大电路当输入信号VI1二一VI2=1Mv；当VI1=VI2=1mV时， VO=0.1mV则该电路的共模抑制比KCMR =A、5000B、0.1C、100D、100004. 直接耦合放大器零点漂移产生的主要原因是
