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1、BS1检波系统的模型图2肖特基低势望二椒背的尊效电路模型入山22神5岀!岀RF辙入ffpV Vr_ATnulhHXA-InTV V+输出卜输出S3整个检波渕波电路的等效电路图33微波功率探头检波部分原理框图匹配网络图3.4R2mit仃 诗區1检淡器电路； 巧AK视预输岀nHTAV匹配电生常用肖特基二极管型号:常用的有引线式肖特基二极管有 D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。裏40 A*#用專引集盘畀特暮二事的左養魅X鬣电壷/A/A承亢正/V反时 辛电找/V反向悔/L 曙1 DD4按，TD-3PIWJ (XM5C.55jtiwrm -
2、 21D施:.0.?10K)- 220MbF25?5 - 220FP烈徘為- JQU.55和Tt) - 32DFPR1MV0A5MSk常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。翳弘44 EIB第弭豪両封養特二撰的圭要聲歡X堆為反/VIK定征個4K/A向爪降/Vft大反 她療/|mA期童靖禺1肚带式!引 lh/rX帖収5B 4D430J5WJCFU (DPAK)GTasin 4034Q0 552I利囱1MM- 404D13fl&.J5P5MW til 1 R：4ft10 6AdMf*n(M5)KLUDID4GD.5丄0,5toSMO (X -洌ZSOT-2J)3KBtLIC4
3、05机厂1|DQ就也的)FRBO5C轴a，530.53MPD (SOT - 89)丄H tHrKH 0-53C-iM)SM11 (SC1-的Z5OT-23rhKiiin2&3C.530SMC)rki2or)23OE10J5SME3Dhri2iD2Q仇丨10.553flSMt)DREM25U20Drl1d.55SME)AHU45OFtJJ10.45UMDDHU4MF0.55MUMDI)RIU71E20yd10.55典FMD KOT-25)ERE17IHU250.Q3D/20.371HMD (5C- 5*曲T-回V小信iflRI5WU25gC 37 1A2$20-3?盟1訂jdKIWI$F?S(1
4、-20.S?1UMI$A13G0.2Cl .和UM)UBTJlFtmm0.2rd.nILi弼JkU7A3 L；21O.-Q3a.2D.A7iH) CSJT -3t)H肖特基二极管原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为 N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B-A
5、。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A-B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片， 在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是 钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压 值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100% 倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通 过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒， 当加上正偏压E时
6、，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极， 此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图4-44所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。部分在触式肖特基二极管主要参数与代换型号肖特基二极
7、管分为点触式肖特基二极管（也称肖特基势垒二极管）和面触式肖特基二极管（也称硅功率肖特基二极管），前者反向恢复时间短（小于Ins）,工作频率高（大于2GHz），额定正向电流通常在1A以下，主要用于示波器取样、计算机的门电路或微波通信电路中作混频器、检波器、高速开关或小电流的高频整流用。手者反向恢复时间稍长但仍在1 Ons以内，额定正向电流以通常在数百安，主要用于开关电源及保护电路中作续流和整流。特基二极管 F5KQ100F5KQ100肖特基二极管 30CPQ14030CPQ140肖特基二极管 30CPQ10030CPQ100肖特基二极管 30CPQ09030CPQ090肖特基二极管 30CPQ0
8、6030CPQ060肖特基二极管 30CPQ04530CPQ045肖特基二极管 MBRS260T3GMBRS260T3G肖特基二极管 MBRS130T3GMBRS130T3G肖特基二极管 MBRS320T3GMBRS320T3G肖特基二极管 MBRS340T3GMBRS340T3G肖特基二极管 MBRS140T3GMBRS140T3G肖特基二极管 MBRS240LT3MBRS240LT3肖特基二极管 MBRS230LT3MBRS230LT3肖特基二极管 MBRS2040LTMBRS2040LT肖特基二极管 MBR20100MBR20100肖特基二极管 MBR3045MBR3045肖特基二极管
9、MBR2545MBR2545肖特基二极管 MBR2045MBR2045肖特基二极管 MBR1545MBR1545肖特基二极管 MBR1045MBR1045肖特基二极管 MBR745MBR745肖特基二极管 MBR3100MBR3100肖特基二极管 MBR360MBR360肖特基二极管 DSC01232DSC01232肖特基二极管 SB3040SB3040肖特基二极管 IN5817IN5817肖特基二极管 IN5819IN5819肖特基二极管 IN5818IN5818肖特基二极管 IN5822IN5822肖特基二极管 HER107HER107肖特基二极管 HER207HER207肖特基二极管 H
10、ER307HER307肖特基二极管 FR105FR105肖特基二极管 FR2050肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（S iO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成（如图1所示）。在N型基片和阳极金 属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压邙日极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式，如图 1 所示。/MW*!图1肖特基二极管NSi肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式，见图 2。rm閤2有引线式肖特基二极管
