《电池片电性能参数及影响因素介绍》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电池片电性能参数及影响因素介绍(8页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。
1、电性能参数及影响因素介绍摘要:一、电参数介绍1、各个参数之间的关系 A.在所有参数中,只有电压和电流是测量值,其他参数均是计算值。为在I-V曲线上找一点,使改点的电压乘以电流所得最大,该点对应的电压就是最大功一、电参数介绍I AE=1000 W/m2Pmpvor V VPV短路电流开路电压填充因子甲联电阴恥丈卫口但和少于粉低井联电肛、小wt厚低IIk+Ib大 背面咖嗷果墜电阻邯P商串联电映大;品就図子 嗣.堆肿畫 低过程中硅片被并染低龄r接迪电粗大 及井布不關(&+TQ 大并联电I且Rah水转换簽率低环境洁净窗测量1、各个参数之间的关系A. 在所有参数中,只有电压和电流是测量值,其他参数均是计
2、算值。为在I-V曲线上找一点,使改点的电压乘以电流所得最大,该点对应的电压 就是最大功率点电压Umpp,该点对应得电流就是最大功率点电流Impp为在光强为1000W/M2和500W/M2下所得最大功率点的电压差与电流差的比 值,只是一个计算值,所以有时候会出现负值的情况为暗电流曲线下接近电流为0时曲线的斜率为电压为-10V时的反向电流为电压为T2V时的反向电流和Rsh决定FF和Irev1、Irev2有对应的关系I.计算公式:=Pmpp/S (硅片面积)=Umpp*Impp二 Uoc*Isc*FF=(Umpp*Impp) / (Uoc*Isc)二、转换效率的影响因素三、测试外部参数影响略微增大,
3、整体转换效率降低正常光强为100050W/M2,随着光强的降低,开路电压略微降低,短路电流 急剧下降,整体转换效率降低四、串阻Rs组成测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成:1. 材料体电阻(可以认为电阻率为P的均匀掺杂半导体)2. 正面电极金属栅线体电阻3. 正面扩散层电阻4. 背面电极金属层电阻5. 正背面金属半导体接触电阻6外部因素影响,如探针和片子的接触等烧结的关键就是欧姆接触电阻,也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。可以这样考虑,上述项电阻属于固定电阻,也就是基本电阻;5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值;6属于外部测试因素,也会导致Rs变化五、Rs影响因素广岭音:盘
4、山按和 启吿正药斥到 上册蛭丨厂f检言:网冲細二宦r1=JJ1母什寿由赴音到期电丿近需陸咅进:抒洞酬 旦间时帚洼議锻眦疔氢定方啟在正售币祠債J六、并阻Rsh组成A. 测试中并联电阻Rsh主要主要是由暗电流曲线推算出,主要由边缘漏电和 体内漏电决定B. 边缘漏电主要由以下几个方面决定:C. 边缘刻蚀不彻底D. 硅片边缘污染E. 边缘过刻F.F. 体内漏电主要几个方面决定G. 方阻和烧结的不匹配导致的烧穿I由于铝粉的沾污导致的烧穿J.片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电K.工艺过程中的其他污染,如工作台板污染、网带污染、炉管污染、DI水 质不合格等七、Rsh影响因素八、Uoc影响因素九、Isc影
5、响因素十、网印区工艺过程常见问题处理A. 一、翘曲:.硅片太薄-控制原始硅片厚度.印刷铝浆太厚-控制铝浆重量.烧结温度过高-调整烧结炉 4、5、6、7 区温度.烧结炉冷却区冷却效果不好-查看风扇状况、进出水温度压力等F.二、铝包:.烧结温度太高-调整烧结炉 4、5、6、7 区温度.印刷铝浆太薄-印刷铝浆重量加重.使用前浆料搅拌不充分-搅拌时间必须达到规定时间.铝浆印刷后烘干时间不够-增加烘干时间或提高烘干温度.烧结排风太小-增大烧结炉排风.烧结炉冷却区冷却效果不好-查看风扇状况、进出水温度压力等M.二、虚印:.印刷压力太小-增大印刷压力.印刷板间距太大-减小板间距.印刷刮刀条不平-更换刮刀条.工作台板不平,磨损严重-更换工作台板.网印机导轨不平-重新调整导轨A.四、粗线:.网版使用次数太多,张力不够-更换网版.网版参数不合格-核对该批网版参数,更换网版.浆料太稀,浆料搅拌时间太长-严格执行浆料搅拌时间规定.网印机参数不合适-调整网印机参数