实用新型专利申请书三篇

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1、实用新型专利申请书三篇实用新型专利申请书三篇 篇一：实用新型专利申请书(分立电路) 名称：一种同时匹配的低噪声放大器 说明书摘要 本实用新型公开了一种同时匹配的低噪声放大器 (Low Noise Amplifier-LNA)，特别涉及一种应用在分立电路(Lump Circuit)设计中的同时匹配的 低噪声放大器。为了克服现有技术中低噪声放大器难以在输入级同时实现噪 声匹配和功率增益匹配的缺陷，本实用新型采用了由有源器件、源简并电感 (SourceDegeneration Inductanee)、输入匹配电路、输出匹配电路和直 流偏置电路所构L串联在MOS管的源极和成的低噪声放大器。放大器首先通

2、过一 个源简并电感s地电位之间用来提供串联负反馈效应，使得MOS管栅极的输入阻 抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭；然后利用一个输入匹配网络，将MOS 管的栅极匹配到信号源，从而使得低噪声放大器的输入级同时实现了噪声匹配和 功率增益匹配，NF，而且实现了功率的最大传输；不仅能够达到低噪声放大器的 最小噪声系数min最后利用一个输出匹配网络，实现有源器件的输出端口与负载之 间的匹配。本实用新型方法简单，能够很好地被设计者掌握并应用到实际设计中。 摘要附图权利要求书1、一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，用分立电路 (Lump Circuit)实现，即利用分立的有源和无源元器件制作在射频电路

3、 板上来实现低噪声放大器的设计，并且在输入级能够同时实现噪声匹 配和功率增益匹配设计。2、如权利要求1 所述的一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在 于，由有源器件、源简并电感(Source Degeneration Inductanee)、 输入匹配电路、输出匹配电路和直流偏置电路构成。3、如权利要求2 所述的一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在 于，有源器件由共源结构的MOS管所组成，即MOS管的栅极作为输 入端口，漏极作为输出端口，源极作为公共端口；源简并电感sL连接在MOS管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声 最优源阻抗的共轭；电容1C

4、和电感1L组成一个L型输入匹配网络，其中一端与MOS管栅极相连，另 一端与隔直电容3C 相连接，3C 的另一端与信号输入端连接；电容2C 和电感2L组成一个L型输出匹配网络，其中一端与MOS管漏极相连，另 一端与隔直电容4C 相连接，4C 的另一端与信号输出端连接；两路直流偏置电路分别由电感 3L 、电阻 1R 、电容5C和6C 以及电感4L 、电阻2R 、电容7c和8C 组成，电感3L的一端连接 MOS 管的栅极，电感 3L 的另一端与电阻1R 的一端共同接至电容5C 的一端，电容5C 的另一端接地电位，电阻1R 的另一端接至电源gV，电容6C 的一端接 至电源gV，电容6C 的另一端接地电

5、位，电感4L的一端连接MOS管的漏极，电感4L 的另一端与电阻2R 的一端共同接至电容7C 的一端，电容7C 的另一端接地电位，电阻2R的另一端接至电源dV，电容8C的一端接至电源dV，电容8C 的另一端接地电位。说明书技术领域本实用新型涉及一种同时匹配的低噪声放大器(Low Noise Amplifier-LNA)，特别涉及一种应用在分立电路(Lump Circuit)设计中 的同时匹配的低噪声放大器。背景技术在无线通信领域，低噪声放大器需要放大接收到的弱信号，要求 自身产生的噪声应尽量小。除了低噪声的性能之外，低噪声放大器还 必须具有足够的增益，来抑制接收机后续其他单元的噪声对整个接收 机

6、的影响。请参考图1，低噪声放大器包括有源器件，以及分别用于控 制输入阻抗和输出阻抗的输入匹配网络和输出匹配网络。在进行输入匹配设计时，将信号源与晶体管的输入阻抗之间进行 共轭匹配，便可以获得最大功率传输，即获得最大增益；相应地，为 了达到最小噪声系数 minNF，必须将信号源匹配到晶体管的噪声最优源阻抗optZ ，便可以使放大器得到最佳的噪声性能。然而实现最小噪声系数和最大功率传输之间存在矛盾， 设计者只能在两者之间进行权衡取舍，很难实现噪声和功率的同时匹配。 发明 内容为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种应用在分立电路设 计中的低噪声放大器，即利用分立的有源和无源元器件制作在射频电 路板

7、上来实现低噪声放大器的设计，并且可以在输入级实现最小噪声 系数和最大功率传输的同时匹配。 本实用新型解决上述技术问题的技 术方案是：一种同时匹配的低噪声放大器，包括有源器件、源简并电 感(Source Degeneration Inductanee)、输入匹配电路、输出匹配电 路和直流偏置电路。有源器件由共源结构的MOS管所组成，即MOS管的栅极作为输入端口，漏极作为输出端口，源极作为公共端口；源简并电感sL连接在MOS管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS管栅极的输入阻抗等于或近 似等于噪声最优源阻抗的共轭；电容1C 和电感1L 组成一个 L 型输入匹配网络，其中一端与 MOS

8、 管栅极相连，另一端与隔直电容3C 相连接，3C 的另一端与信号输入端连接；电 容2C 和电感2L组成一个L型输出匹配网络，其中一端与MOS管漏极相连，另 一端与隔直电容 4C 相连接，4C 的另一端与信号输出端连接；两路直流偏置电路分 别由电感3L 、电阻 1R 、电容 5C和6C 以及电感4L 、电阻2R 、电容7C和8C 组成，电感3L 的一端连接 MOS 管的栅极，电感3L 的另一端与电阻1R 的一端共同接至电容5C 的一端，电容5C 的另一端接地电位，电阻1R 的另一端接至电源gV ，电容6C 的一端接至电源 gV ，电容 6C 的另一端接地电位，电感 4L 的一端连接 MOS 管的

9、漏 极，电感4L 的另一端与电阻2R 的一端共同接至电容7C 的一端，电容7C 的另一端接地电位，电阻2R 的另一端接至电源 dV ，电容8C 的一端接至电源 dV ，电容 8C的另一端接地电位。本实用新型提出的一种同时匹配的低噪声放大器，其优点在于： 本实用新型提出的低噪声放大器在输入级同时做到了噪声匹配 和功率增益匹配，不仅能够达到低噪声放大器的最小噪声系数minNF ，而且实现了功率的最大传输。本实用新型方法简单，能够很好地被设计者掌握并应用到实际 设计中。 附图说明图 1 为常规的放大器设计原理图。图 2 为本实用新型的一种同时匹配低噪声放大器的一个示例性实 施例的电路图。 具体实施方

10、式图 2 图解说明本实用新型的一个实施例。有源器件由共源结构的MOS管所组成，即MOS管的栅极作为输 入端口，漏极作为输出端口，源极作为公共端口。有源器件部分亦不 限于只有一个共源结构的MOS管，而可为具有串迭(Cascode)架构的 电路结构。 源简并电感sL连接在MOS管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应 使MOS 管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭。 电容1C 和电感1L组成一个L型输入匹配网络，用于实现MOS管输入阻抗和信号源阻抗之间的匹配，其中一端与MOS管栅极相连，另一端与隔直 电容3C 相连接，3C 的另一端与信号输入端连接。电容2C 和电感2L组成一个L

11、型输出匹配网络，用于实现MOS管输出阻抗和负载 之间的匹配，其中一端与MOS管漏极相连，另一端与隔直电容4 C 相连接，4C的另一端与信号输出端连接。 两路直流偏置电路分别由电感3L 、电阻1R 、电容5C和6C 以及电感4L 、电阻2R、电容7C和8C 组成，电感3L 的一端连接 MOS 管的栅极，电感3L 的另一端与电阻1R 的一端共同接至电容 5C 的一端，电容5C 的另一端接地电位，电阻1R 的另一端接至电源gV ，电容6C 的一端接至电源gV ，电容 6C 的另一端接地电位，电感 4L 的一端连接MOS管的漏极，电感4L 的另一端与电阻2R 的一端共同接至电容7C 的一端，电容7C

12、的另一端接地电位，电阻2R 的另一端接至电源 dV ，电容8C 的一端接至电源dV ，电容 8C 的另一端接地电位。本实用新型的实施案例是以MOS晶体管为范例，在实际的电路实 现上，双极性晶体管或其它具有放大功能的有源器件均可按此设计方 法施行。虽然以上描述的示例性LNA只包括一级放大器，本领域的技 术人员应该可以理解本实用新型的原理能够应用到含有任意数目的放 大器级的LNA。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专 利范围所作的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。说明书附图直流偏置输入匹配网络输出匹配网络信号源负载有源器件图1图2篇二：实用新型专利请求书一、申请实用新

13、型专利，应当提交实用新型专利请求书、权利要 求书、说明书、说明书附图、说明书摘要、摘要附图。申请文件应当 一式一份。二、本表应当使用国家公布的中文简化汉字填写，表中文字应当 打字或者印刷，字迹为黑色。外国人姓名、名称、地名无统一译文时， 应当同时在请求书英文信息表中注明。三、本表中方格供填表人选择使用，若有方格后所述内容的，应 当在方格内作标记。四、本表中所有详细地址栏，本国的地址应当包括省（自治区）、 市（自治州）、区、街道门牌号码，或者省（自治区）、县（自治 县）、镇（乡）、街道门牌号码，或者直辖市、区、街道门牌号码。 有邮政信箱的，可以按规定使用邮政信箱。外国的地址应当注明国别、 市（县

14、、州），并附具外文详细地址。其中申请人、专利代理机构、 联系人的详细地址应当符合邮件能够迅速、准确投递的要求。五、填表说明1. 本表第、。22 栏由国家知识产权局填写。2本表第栏实用新型名称应当简短、准确，一般不得超过25个 字。3本表第栏发明人应当是个人。发明人有两个以上的应当自左 向右顺序填写。发明人姓名之间应当用分号隔开。发明人可以请求国家知识产权 局不公布其姓名。若请求不公布姓名，应当在此栏所填写的相应发明 人后面注明“（不公布姓名）”。4. 本表第栏应当填写第一发明人国籍，第一发明人为中国内地 居民的，应当同时填写居民身份证件号码。5. 本表第栏申请人是中国单位或者个人的，应当填写其名称或者姓名、地址、邮政编码、组织机构代码或者居民身份证件号码；申 请人是外国人、外国企业或者外国其他组织的，应当填写其姓名或者 名称、国籍或者注册的国家或者地区。申请人是个人的，应当填写本 人真实姓名，不得使用笔名或者其他非正式的姓名；申请人是单位的， 应当填写单位正式全称，并与所使用的公章上的单位名称一致。6. 本表第。11 栏，申请人是单位且未委托专利代理机构的，应当填写联系人， 并同时填写联系人的通信地址、邮政编码、电子邮箱和电话号码，联 系人只能填写一人，且应当是本单位的