《高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法》由会员分享,可在线阅读,更多相关《高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法(2页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。
19)中华人民共和国国家知识产权局汐(12 )发明专利申请(10)申请公布号CN101139729A(43)申请公布日2008.03.12(21)申请号 CN200710072414.5(22)申请日 2007.06.27(71)申请人 哈尔滨工业大学地址150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号(72)发明人 吴晓宏;秦伟;崔博;姜兆华(74)专利代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所代理人 韩末洙(51)Int.CIC25D11/04;权利要求说明书 说明书 幅图(54)发明名称高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法(57)摘要高太阳吸收率高发射率微弧氧化涂层制备方法,本发明解决了目前铝合金涂层的太阳吸收率、发射率、结合力等达不到航空、航天、装饰等领域要求的问题。本发明的步骤如下:将清洗后的铝合金置于不锈钢电解槽中作为阳极,不锈钢电解槽作为阴极,采用脉冲微弧氧化电源供电,电流密度控制在0.530A/dm法律状态