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1、反应V亲电加成与消除呼亲电比亲核简单不少呢。理解的东西不多，但是要记的东西比较多。总之Dont Worry,Be Happy一、总述亲电加成的主要反应就不说啥了，无非是乙烯加个水 亲电加成主要将讨论：1. 马氏规则、反马氏规则以及特征反应。（区域选择性）2. 重排3. 共轭加成 都是大家很熟的东西，也是学得比较早的。 消除主要讨论：1. 反应条件与“竞争”2. 区域选择性（Zaitsev）、3. 立体选择性4. 重排 内容都比较简单，主要是需要自己小小地总结一下，记住。 考试么大家都是考了的人，估计也不会多考二、亲电加成1马氏规则 与 反马氏规则样）与水，卤化氢加成的时候， H 会加在 H 多
2、的碳上， OH 或 Cl 加在氢少的碳上。OHHI马氏规则是指，在不对称烯烃或炔烃（比如丙烯 CH = CH2，双键左右两边不一H3ccHch2 +H2O1Hg(OAc)2THF,H2O - 2NaBH4,OHH C3OHCHcH3典型的马氏加成典型的反马氏加成 普通的加成 羟汞化-脱汞反应（以及烷氧汞化-脱汞） 烘烃的Hg催化加水 烯、烘的硼氢化反应 过氧化物条件下加HBr （这个不是亲电 加成机理，是自由基机理）h3cchch2 + h2oh3cchch3 羟汞化-脱汞反应（课本 577， 244）1Hg(OAc)2THF,H2O *(1) 反应条件是2NaBH4,OH(2) 炔烃可以加水
3、生成烯醇，烯醇会变成酮。(自己在纸上画一下！一定要自己画一下) 因为是马氏加成，所以只有乙烯加水可以生成醛，其他的炔都生成酮(3)“羟汞化”指的是中间机理。如果不是加水，而是加醇，就应该是“烷氧汞化”条件就1Hg(OAc)2THF,ROH变成 2NaBH4,OH硼氢化反应(课本 125， 139， 244，都不多 、OH 丄，1 BH3 THF 一H3cCH CH2 + H2O2 H2O2, OH H3C CH2CH2(1) 是少数的几种反马氏加成1 BH3 THF 丁反应条件是2 H2O2, OH末端炔烃(R-C三CH)硼氢化，得到的是醛。(自己画一下，真的！) 末端炔烃羟汞化-脱汞，得到的
4、是酮。2. 立体选择主要只介绍烯烃与卤素加成Br 外消旋3. 重排烯烃与水，卤化氢等加成时，因为先加上H形成C正离子，所以，如果生成1级，2 级，四元环的碳正离子，会努力地重排，生成稳定的3级，4级，五元环或六元环碳正离子之前提到“卤代烷亲核取代”的时候谈论过重排的事情。现在可以总结一下，只要形 成C正离子，就需要考虑重排。4.共轭加成（课本155高温有利于1,4-加成，低温有利于1,2-加成三、消除1到底是要消除还是要取代？主要是看反应条件。卤代烷的取代，条件主要是碱的水溶液：而消除用的是强碱，比如氢氧化钠醇溶液，或 者醇钠（尤其是叔丁醇钠，体积大碱性强；消除反应一般需要高级的卤代烷（或者可
5、以重排的）。比如：2区域选择性消除的区域选择规则叫Zaitsev规则，内容是，消除总是有利于生成多取代的烯烃R二取代RRRR一取代三取代四取代Zaitsev 是个好规律。NaOH, EtOH种3.立体选择性其中考试出过一道相关的题，关于消除的反应速率的。这个题的解释要考虑空间。E2消除反应只能进行“反式（反位置）共平面消除”。如下：1-甲基-4-氯环己烷有顺、反两种结构，他们两者的消除速率相差几百倍，试用学过 的知识解释，为什么两者消除速率差别如此巨大？H3ClH3Cl解释：把上面的两个式子写成最稳定的构象式，如下:Cl红色的键表示处于Cl的“反式共平面”位置的键。显然，反-1-甲基-4-氯环己烷在 优势构象的时候，不能消除（那是C-C键，不是C-H）。只有在扭转到不稳定的那种 “不稳定”构象的时候，才能消除所以它慢 右面的那个呢，因为优势构象可以消除，所以消除比快。4. 重排还是那个原则，看到任何醇，三元环四元环，这些东西消除就应该想到重排。 卤代烷 E1 消除和 SN1 取代是竞争关系，平分秋色。因此卤代烷不会考重排。重排的内容，在机理推断部分还要讨论，这里留个印象就行。
